Драйвер ir2101 как проверить
В этом материале пойдет речь о центральном звене схемотехники источников бесперебойного питания (ИБП) - контроллере инвертора, в частности, автор описывает диагностику довольно распространенной микросхемы IR2101 фирмы International Rectifier.
Одним из важнейших элементов любого ИБП является инвертор, который позволяет преобразовывать напряжение постоянного тока аккумулятора в выходное напряжение переменного тока ИБП. Инвертор представляет собой несколько транзисторов (их количество определяется мощностью инвертора), переключающихся в определенной последовательности. Алгоритм переключения транзисторов инвертора и определяет форму выходного напряжения ИБП. А поэтому, схема управления инвертором, без преувеличения является центральным звеном всей схемотехники источника бесперебойного питания.
Эквивалентная схема инвертора ИБП представлена на рис. 1. Со вторичной (повышающей) обмотки силового трансформатора Т1 снимается переменное напряжение величиной 220. 230 В. Источником тока в первичной обмотке является аккумулятор ИБП. Для создания переменного тока в обмотке Т1 используются транзисторные ключи, которые коммутируются по определенному алгоритму, задаваемому микропроцессором или схемой ШИМ контроллера.
Рис. 1. Эквивалентная схема инвертора ИБП
Для создания первой полуволны переменного тока открываются, например, транзисторы Q1 и Q4, при этом через первичную обмотку силового трансформатора Т1 течет ток, направление которого показано на рис. 2. Для создания второй полуволны открываются транзисторы Q2 и Q3, при этом через Т1 течет ток в противоположном направлении (рис. 3). Вот так, поочередно коммутируя транзисторы Q1, Q2, Q3 и Q4, создается переменный выходной ток ИБП. В представленной схеме можно выделить "верхние" ключи (Q1, Q2) и "нижние" ключи (Q3, Q4). Через верхние ключи к обмотке трансформатора прикладывается питающее напряжение от аккумулятора, а через нижние ключи обмотка подключается на общий провод.
Рис. 2. Фаза 1 - открыты транзисторы Q1, Q4
Рис. 3. Фаза 2 - открыты транзисторы Q2, Q3
В реальных схемах ИБП каждый из ключей Q1, Q2, Q3 и Q4 может выполняться в виде целого ряда параллельно включенных транзисторов, имеющих общее управление (рис. 4). Мощные ключевые транзисторы инвертора в подавляющем своем большинстве являются транзисторами типа MOSFET или IGBT. Управление транзисторами этого типа требует некоторых особенностей, в том числе - для обеспечения ключевого режима транзисторов необходимо использование двухтактного комплементарного каскада для формирования импульсов на затворе (рис. 5).
Рис. 4. Параллельное включение транзисторов инвертора
Рис. 5. Двухтактные комплементарные выходные каскады управляющей схемы для управления MOSFET-транзисторами
Для упрощения схемы, снижения стоимости и повышения технологичности производства печатного монтажа, в современных ИБП применяются микросхемы, обеспечивающие формирование управляющих сигналов инвертора. Эти микросхемы часто называют драйверами транзисторов инвертора. Одним из примеров микросхем драйверов может служить IR2101, в частности, она используется в источнике бесперебойного питания APC "BackUPS BF500GR/BF350GR".
Описание микросхемы IR2101
Микросхема IR2101 представляет собой формирователь сигналов для управления высоковольтными транзисторами MOSFET и IGBT, коммутирующими напряжение до 600 В. Микросхема обеспечивает независимое управление транзисторами "верхних" и "нижних" ключей, позволяя переключать их с очень высокой скоростью. Микросхема управляется сигналами логических уровней CMOS и LSTTL. Выходные каскады микросхемы являются сильноточными, позволяя тем самым увеличить скорость переключения транзисторов MOSFET и IGBT. Микросхема производится в двух типах корпусов (рис. 6): DIP-8 (IR2101) и SO-8 (IR2101S).Типовой вариант включения микросхемы представлен на рис. 7.
Рис. 6. Типы корпусов микросхемы
Рис. 7. Типовой вариант включения микросхемы IR2101
Выходом HO управляется "верхний" ключ, а выходом LO - "нижний" ключ. Длительность и соотношение импульсов на выходах HO и LO определяется сигналами на входах микросхемы - HIN и LIN.
Основные характеристики выходных импульсов IR2101 представлены в табл. 1.
Часовой пояс: UTC + 3 часа
Питание драйвера IR2101
Доброго времени суток. Ищу достаточно простую схемку DC-DC конвертера на 4 канала на 12 В для питания верхней части драйверов. ток нужен совсем небольшой - для удержания открытыми верхних ключей. Схема из даташита требует периодически подзаряжать бурст-емкость, это в моем случае не смертельно и решаемо, но выливается в дополнительные МК на каждый мост (два Н моста, по два драйвера на мост, поэтому и 4 канала). Стабилизации особой и ОС я думаю не требуется. намудрить простенький генератор на 555 я то могу, но тут теряюсь какая лучше схема собсно инвертора и какая проще в изготовлении. Потери тоже важны, покольку это все делается для модэли и питание акумуляторное. вот пришла мысль взять ионисторы вместо емкостей - один раз зарядил в начале и хватит на час-другой для удержания. вот только в наличии у нас на 5.5В.
Заранее спасибо.
Делаешь ген на 555 на частоту 40-70 кгц (питание 12 вольт ведь?), через ёмкость вешаешь на его выход небольшой трансик на колечке, намотанный 1:2:2:2:2, каждую вторичку выпрямляешь диодным мостом. Всё! 4 изолированных напряжения по 12 вольт у нас есть!
_________________
Прибор, защищённый предохранителем, сгорает первым, защитив предохранитель. Закон Мерфи.
_________________
Хоть оптика и увеличивает изображения но, глядя через оптический прицел, все проблемы мельчают.
Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Делаешь ген на 555 на частоту 40-70 кгц (питание 12 вольт ведь?), через ёмкость вешаешь на его выход небольшой трансик на колечке, намотанный 1:2:2:2:2, каждую вторичку выпрямляешь диодным мостом. Всё! 4 изолированных напряжения по 12 вольт у нас есть!
это то понятно, спасибо канечно) но вот меня интересуют примерные намоточные данные такого трансика, какого размера должно быть колечко..
задачу я уже попробую решить с помощью схемы из даташита - наконец-то вьехал как она работает)) а если учесть что нагрузка у меня активно-индуктивная, то при открытом нижнем ключике и закрытии верхнего у меня должен быть выброс на индуктивности и отсюда ускоренный заряд буст кандера. лиш бы не прожечь драйвер если емкость поставлю небольшую и она не поглотит всю энэргию в момент паузы - тогда напряжение на ней подскочит и спалит драйвер) думаю можно решить каким-нибуть стабилитроном. но за идеи и схему спасибо, сохраню на будущее, я так думаю с инверторами мне не раз еще придется иметь дело)
На вебинаре были представлены линейка компонентов для электропитания и интерфейсные модули. Мы рассмотрели популярные группы изолированных и неизолированных (PoL) DC/DC-преобразователей последних поколений, новые компактные модульные источники питания, устанавливаемые на печатную плату (открытые и корпусированные), источники питания, монтируемые как на шасси (в кожухе и открытые), так и на DIN-рейку.
viewtopic.php?f=11&t=33756 , а конкретно download/file.php?id=106659
Схема полумост, дед-тайм 0.5 мкСек, кольцо выберешь сам. Остальные данные должны быть тебе известны.
_________________
Прибор, защищённый предохранителем, сгорает первым, защитив предохранитель. Закон Мерфи.
Встраиваемые ИП LM(F) производства MORNSUN заслуженно ценятся производителями во всем мире, поскольку среди широчайшего ассортимента продукции компании можно найти источник питания для любых задач. Представители семейств LM и LMF различаются по мощности и выходному напряжению, их технические и эксплуатационные характеристики подходят для эксплуатации в любых электрических сетях и работают в широком диапазоне условий окружающей среды. Неизменными остаются высокое качество и демократичная цена.
я вот запускаю Н мост, с использованием бутстрепного питания верхних ключиков. Ключи у меня IRF540, конденсаторы стоят танталовые на 22 мкф, мост крутит движок от шуруповерта с редуктором. так вот, ключи комутируются, но плохо - греются, с нуля схема стартует плохо. если применить отдельное питание драйверов, работа схемы улучшается, ключики почти не греются. но на осциле на затворе ключей вместо меандра, подобие пилы. посоветуйте что можно сделать для улучшения работы схемы. может емкости увеличить? или зашунтировать керамикой? кстати, бутстрепные конденсаторы шунтированы супрессорами на 15В, но я не думаю что дело в этом. в качестве диодов через которые заряжаются кандеры я применил что-то импортное и стекляное))) уже не помню марку, эта вся схема на работе лежит. но помню что они на 200мА в номинале. может заменить на более мощные? заранее благодарен за подсказки.
Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т.п. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку (хвала текстовым процессорам с указанием ошибок), то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто.
И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее.
Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на , само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно. Обычно это выглядит так:
— берём двигатель
— берём компоненты
— подсоединяем компоненты и двигатель
— …
— PROFIT!1!
Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.
Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится.
Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.
Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:
Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110
Рисунок 2 — Распиновка IR2110
Рисунок 3 — Описание пинов IR2110
Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.
Теперь поговорим о различных контактах.
VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график:
Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания
Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт. Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.
Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33). При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.
Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.
Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.
HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю.
Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.
SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.
Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2110 для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на полумостовые схемы.
Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления полумостом
D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как 30-50кГц, я использую ёмкость от 4.7мкФ до 22мкФ. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором. Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый.
D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.
+MOSV может быть максимум 500В.
+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.
Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.
Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного полумоста
Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами (кликабельно)
На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.
Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами (кликабельно)
Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня
На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.
Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня
Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня
Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.
Полевые МОП-транзисторы с каналом p-типа, которые проще использовать в качестве верхнего ключа, сложнее в изготовлении, по сравнению с их n-канальными сородичами. В результате их выбор достаточно мал, они дороже, а сопротивление сток-исток часто оставляет желать лучшего при значительной ёмкости затвора.
Поэтому часто в качестве верхнего ключа используются транзисторы с каналом n-типа. Однако, управление ими представляет определённую сложность, поскольку для того, чтобы держать затвор открытым, на него необходимо подавать повышенное напряжение.
Одним из подходов является использование драйверов верхнего плеча, с бутстрапной схемой (bootstrap, она же иногда называются бустрапная, или даже бустрэпная, вобщем называют кто во что горазд).
International Rectifier выпускает целую кучу таких драйверов всех размеров и цветов на разный ток и способ подключения, одним из таких драйверов является IR2101 обеспечивающий ток заряда затвора управляемого транзистора до 130, а разряда до 270 миллиампер.
Примерная схема включения вот:
IR2101 собирается в восминогих корпусах dip или so, работает при напряжении питания от 9 до 25 вольт и включает в себя два независимых драйвера: один для нижнего и один для верхнего ключа. При этом управляется логическими уровнями на напряжении от 3 Вольт. В этот драйвер встроена защита по напряжению, и при падении напряжения ниже 8,2 Вольта он перестаёт работать, пока напряжение не поднимется до 8,9 Вольт.
С нижним ключом всё понятно: выход LO в зависимости от логического уровня на входе LIN подключается либо к линии питания Vcc, что обеспечивает заряд затвора управляемого транзистора, либо к "земле" (com) что обеспечивает его разряд.
Чтобы обеспечить повышенное напряжение и используется как раз та самая бутстрапная (бустрепная или как её там) схема, представляющая из себя диод D1 и конденсатор С1.
В тот момент, когда верхний ключ закрыт, конденсатор C1 заряжается через диод D1 и нагрузку, подключенную к транзистору. Когда же транзистор открыт, этот конденсатор своим зарядом обеспечивает то самое повышенное напряжение на входе VB.
О расчёте конденсатора можно почитать вот здесь.
Такой подход накладывает некоторые ограничения на тип нагрузки: например, цепь светодиодов уже не будет работать, поскольку не обеспечит заряд конденсатора.
Кроме того, заряд конденсатора со временем теряется на токи утечки, а значит схема должна работать в импульсном режиме, дабы конденсатор успевал подзаряжаться.
В автомобиле
Напряжение в бортовой сети машины может быть использовано как для питания схемы, так и для подключения ключа. Но работа приборов в импульсном режиме, даже с достаточно большим коэффициентом заполнения, не всегда приемлема, да и пульсации тока могут создавать помехи для работы остального оборудования.
Чтобы транзистор был постоянно открыт, необходимо обеспечить подзарядку конденсатора С1. Мне в голову пришла идея как использовать драйвер нижнего ключа этой микросхемы для подзарядки бутстрапного конденсатора:
В схему добавлен диод D2 и конденсатор C2. Когда ключ управляется в импульсном режиме, конденсатор C1 заряжается через оба диода и работает в обычном бутстрапном режиме. Когда же ключ находится в постоянно открытом состоянии, на вход нижнего ключа подаётся меандр, в результате чего конденсатор C2 подключается на "землю", в результате чего он сам заряжается через D2, после чего конденсатор подключается на линию питания, и через диод D1 поддерживает заряд конденсатора C1.
Важно, чтобы поддерживающий конденсатор был притянут к "земле" на то время, пока транзистор закрыт. Иначе, если он будет притянут к линии питания, то он начнёт заряжать конденсатор C1, который притянут к "земле" нагрузкой. Как следствие на конденсаторе C1 появится удвоенное напряжение, которое может превысить максимально допустимое для затвора транзистора няпряжение.
Для простоты оба входа можно подключить к ШИМ-выходам одного таймера микроконтроллера, которые будут работать синфазно. Но коэффициент заполнения для входа нижнего ключа выбирать всегда в 2 раза меньше, чем для верхнего.
В таком режиме подключения ключ сможет оставаться непрерывно открытым сколь угодно долго.
Мужчины, здравствуйте.
Битый час сижу и туплю над вроде бы простейшей схемой питания ШИМа в импульсном БП (в зеленом прямоугольнике). Резистор с сетевой банки, и потом переход на питание от ТПИ после запуска.
Как оно работает? При превышении напряжения на стабилитроне запирается VT3? А как он (VT3) тогда вообще открывается, если VT2 практически полностью заперт резистором в 180 ом на землю?
Или эта схема такой хитрый стабилизатор?
Елки палки, стыдно от собственной несообразительности
Лучше не надо. Я тут недавно тему создал радиобрелок 433мгц, уже 15 страниц
Добавлено 22.12.2017 22:00
чет там перемудрили, хватило бы обычного параметрического стабилизатора
Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки
Справочная информация
Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:
- Диагностика
- Определение неисправности
- Выбор метода ремонта
- Поиск запчастей
- Устранение дефекта
- Настройка
Неисправности
Все неисправности по их проявлению можно разделить на два вида - стабильные и периодические. Наиболее часто рассматриваются следующие:
- не включается
- не корректно работает какой-то узел (блок)
- периодически (иногда) что-то происходит
О прошивках
Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.
На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.
Схемы аппаратуры
Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:
Справочники
На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).
Marking (маркировка) - обозначение на электронных компонентах
Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.
Package (корпус) - вид корпуса электронного компонента
При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:
- DIP (Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
- SOT-89 - пластковый корпус для поверхностного монтажа
- SOT-23 - миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
- TO-220 - тип корпуса для монтажа (пайки) в отверстия
- SOP (SOIC, SO) - миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа (SMD)
- TSOP (Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
- BGA (Ball Grid Array) - корпус для монтажа выводов на шарики из припоя
Краткие сокращения
При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:
Сокращение | Краткое описание |
---|---|
LED | Light Emitting Diode - Светодиод (Светоизлучающий диод) |
MOSFET | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - Полевой транзистор с МОП структурой затвора |
EEPROM | Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - Электрически стираемая память |
eMMC | embedded Multimedia Memory Card - Встроенная мультимедийная карта памяти |
LCD | Liquid Crystal Display - Жидкокристаллический дисплей (экран) |
SCL | Serial Clock - Шина интерфейса I2C для передачи тактового сигнала |
SDA | Serial Data - Шина интерфейса I2C для обмена данными |
ICSP | In-Circuit Serial Programming – Протокол для внутрисхемного последовательного программирования |
IIC, I2C | Inter-Integrated Circuit - Двухпроводный интерфейс обмена данными между микросхемами |
PCB | Printed Circuit Board - Печатная плата |
PWM | Pulse Width Modulation - Широтно-импульсная модуляция |
SPI | Serial Peripheral Interface Protocol - Протокол последовательного периферийного интерфейса |
USB | Universal Serial Bus - Универсальная последовательная шина |
DMA | Direct Memory Access - Модуль для считывания и записи RAM без задействования процессора |
AC | Alternating Current - Переменный ток |
DC | Direct Current - Постоянный ток |
FM | Frequency Modulation - Частотная модуляция (ЧМ) |
AFC | Automatic Frequency Control - Автоматическое управление частотой |
Частые вопросы
После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.
Кто отвечает в форуме на вопросы ?
Ответ в тему Помогите разобраться со схемой как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.
Как найти нужную информацию по форуму ?
Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.
По каким еще маркам можно спросить ?
По любым. Наиболее частые ответы по популярным брэндам - LG, Samsung, Philips, Toshiba, Sony, Panasonic, Xiaomi, Sharp, JVC, DEXP, TCL, Hisense, и многие другие в том числе китайские модели.
Какие еще файлы я смогу здесь скачать ?
При активном участии в форуме Вам будут доступны дополнительные файлы и разделы, которые не отображаются гостям - схемы, прошивки, справочники, методы и секреты ремонта, типовые неисправности, сервисная информация.
Полезные ссылки
Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.
Ты, наверное, это хотел спросить?
.
Методика проверки микросхемы IR2101
Так как микросхема IR2101 устанавливается в каскадах управления ключами инвертора и имеет непосредственную гальваническую связь с мощными транзисторами, то отказ этих микросхем - явление весьма обычное и распространенное при пробоях силовых транзисторов. Можно даже утверждать, что в случае пробоя транзисторов инвертора очень мала вероятность "выживания" микросхемы. Поэтому при диагностике ИБП, содержащих IR2101, проверка исправности микросхемы является одной из обязательных процедур.
При отказе полевого транзистора зачастую наблюдается пробой перехода сток-затвор (исток-затвор), при этом к выходам микросхемы (HO и LO) прикладывается высокое напряжение, и через внутренние транзисторы IR2101 начинает протекать чрезвычайно большой ток, что приводит к пробою внутренних выходных транзисторов микросхемы. Именно это и является основной их неисправностью. Таким образом, проверить микросхему IR2101 достаточно просто - необходимо просто убедиться в исправности внутренних выходных транзисторов. Для этого измеряют сопротивление между следующими выводами микросхемы: 8 и 7, 7 и 6, 1 и 5, 5 и 4.
У исправной микросхемы во всех четырех случаях сопротивление должно быть бесконечно большим. Если это условие не соблюдается, то микросхему необходимо заменить. Естественно, что если вы будете проводить измерения, не выпаивая микросхемы, то необходимо учесть сопротивление внешних элементов (резисторов, диодов, стабилитронов, переходов транзисторов), которые могут быть подключены к перечисленным выводам микросхемы.
В заключение необходимо заметить, что подобный способ проверки данной микросхемы справедлив и для других приборов данной серии. Например, в стиральных машинах ARISTON/INDESIT с 3-фазным приводным мотором в электронном модуле используются выходные каскады с использованием микросхем IR2106, выполняющих аналогичные функции, что и IR2101. К тому же расположение выводов у указанных приборов совпадает. Они различаются только своими электрическими характеристиками.
Читайте также: