Тайминги оперативной памяти ddr2 667
Ребята,помогите, не могу разобраться с таймингами,вернее не могу понять что это за цифры 5-5-5-15 или 6-6-6-20?как их толковать?
вот читай там все написано
а вообще то кажется где то тут такая тема уже была
Добавлено спустя 7 минут 14 секунд:
короче,я так понял чем тайминги ниже тем лучше
Да, но только на одной частоте.
Вот хорошая стать по поводу" таймы или частота"
http://people.overclockers.ru/gloomdemon/record26" target p39969" >
Не будет ли конфликта если поставить память с разными таймингами.
Стоит 2 планки Teamgroup DDR2 667 Elite PC2-5300 2GB Kit 4-4-4-12
хочу добавить GSkile DDR2 667 PC2-5400 5-5-5-15. 2 по 512Mb.
Костя.
вероятен факт что все будет работать на ура
на при первом запуске с такой памятью рекомендую выставить тайминги 5-5-5-15
а потмо уже с ними баловатся и доводить да номинальных более быстрой памяти
Память разогнана до 830Мгц. Вся инфа в профиле. Интересует следущее: тайминги в БИОСе 5-5-5-15, а CPU-Z и др. проги показывают 5-6-6-16 2Т. Так каковы реальные задержки моей памяти?!
KoRnet
те которые спуз показывает - скорее всего твоя мать неверное ставит тайминги когда их ставиш ручками
KoRnet
По крайней мере точно до 5-5-5-15 их выставить можно, а дальше в зависимости от заявленных производителем таймингов и напряжения. ну и от разгона.
В БИОСе выставил 4-4-4-13, CPU-Z показывает то же самое. Нужно ли проверять память на стабильность после изменения таймингов?
Может имелось ввиду SPD? А то я как-то невоспринимаю ситуацию.
Если тайминги изменяются, особенно в меньшую сторону, то обязательно. развечто ты ориеннтируешся что может сама память исходя из знаний чипов.
Если у памяти нет XMP или EPP и данное неактивировано то в большинстве случаем мать поставит "свои" тайминги.
При 4-4-4-13 в тестах Prime95 и S&M после 10мин.посыпались ошибки:-( Лечится повышением напряжения памяти? Сейчас выставлю 5-5-5-15 и прогоню все тесты ещё раз.
Добавлено спустя 1 час 31 минуту 44 секунды:
Погонял тесты при 5-5-5-15 всё стабильно! Можно оставлять? Или рекомендуете ещё понизить?
Если память позволяет то почему нет))) Какую ставишь напругу?в БИОСе Static Read Control - поставь в Авто, Transaction Booster - Enable - Boost level -3. Такие значения позволят работать подсистеме памяти значительно быстрее. Правда, в урон максимальной частоте разгона, но тыж к ней и не стремишься.
[mod="Drager"] следующий раз не создавайте отдельную тему[/mod]
Смотря какие тайминги поставишь. Вся память будет работать на одинаковых таймингах, так что если поставишь 2-3-3-8, то все ок будет, а если 2-3-3-7, то остальные планки могут и не заработать с такими настройками.
Добавлено спустя 2 минуты 19 секунд:
Забей, я не заметил, что для последнего модуля тайминги 2-3-3-7 для работы на частоте 133, она у тебя может даже и не завестись на 200мгц. Избавься от этой планки и купи такую, как все остальные.
Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.
Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом "юзере". Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.
Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно - изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.
- Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
- Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
- Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
- Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только "половина" видеокарты)
- HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
- Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
- Блок питания: Zalman ZM600-HP
В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.
Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95, в качестве утилиты настройки таймингов "на лету" в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD). Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI, рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.
Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS'е других плат настройки памяти могут находиться в "Advanced Chipset Features" (Biostar), "Advanced/Memory Configuration" (Intel), "Soft Menu + Advanced Chipset Features" (abit), "Advanced Chipset Features/DRAM Configuration" (EPoX), "OverClocking Features/DRAM Configuration" (Sapphire), "MB Intelligent Tweaker" (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как "Memory Voltage", "DDR2 OverVoltage Control", "DIMM Voltage", "DRAM Voltage", "VDIMM" и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.
Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя "метод научного тыка". Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.
Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.
В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, - Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две - 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три - 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи - SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024x768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.
Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.
В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено - видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет "провал" на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.
И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (~0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный "тюнинг" имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.
Мы продолжаем цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В настоящей статье будет рассмотрена пара 512-МБ модулей памяти DDR2-667, производимых компанией Golden Emperor International Ltd. (сокращенно GeIL). Информация о производителе модуля
Фото модуля памяти
- Скоростные характеристики: PC5300 (что правильнее называть PC2-5300), 667 МГц, тайминги 4-4-4
- Микросхемы: 64x8 DDR2 в FBGA-упаковке
- Параметры модуля: 240-контактный, non-ECC, unbuffered
- Алюминиевый теплоотвод
- 6-слойная экранированная печатная плата с крайне низким уровнем помех
- Питающее напряжение: 1.8 1.9V
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Режим | Тайминги |
---|---|
DDR2-667 | 5-4-4-15 |
DDR2-533 | 4-3-3-12 (с округлением в сторону ближайшего целого) |
DDR2-400 | 3-2-2-9 (с округлением в сторону ближайшего целого) |
Представленная схема таймингов для случая DDR2-667 значительно отличается от заявленной на самом модуле и на странице описания продукта схемы 4-4-4(-12), причем не в лучшую сторону. Остальные схемы получены путем округления значений tRCD и tRP в сторону ближайшего целого числа (в данном случае в меньшую сторону). В то же время, практика показывает (и ниже мы еще раз в этом убедимся), что практически все материнские платы при автоматической настройке параметров подсистемы памяти округляют значения в большую сторону (по-видимому, из соображений максимальной стабильности).
Из прочих особенностей данных SPD следует отметить присутствие Part Number (который совпадает с указанным на самих модулях) и серийного номера. Также нельзя не обратить внимания на не просто отсутствие, но и некорректность данных о дате изготовления модулей. Конфигурации тестовых стендов и ПО
Тестовый стенд №1
- Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott D0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925X
- Материнская плата: Gigabyte 8ANXP-D, версия BIOS F1 от 06/07/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №2
- Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott D0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925X
- Материнская плата: MSI 925X Neo, версия BIOS от 06/18/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №3
- Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott D0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 915P
- Материнская плата: MSI 915P Neo2, версия BIOS V1.3B0 от 09/08/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №4
- Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott D0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 915P
- Материнская плата: ECS PF4 Extreme, версия BIOS от 06/01/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №5
- Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott D0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 915G
- Материнская плата: MSI 915G Combo, версия BIOS 080011 от 07/14/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №6
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
- Чипсет: Intel 925XE, частота FSB 200 МГц
- Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS от 12/07/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестовый стенд №7
- Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
- Чипсет: Intel 925XE, частота FSB 266 МГц
- Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS от 12/07/2004
- Память: 2x512 МБ GeIL DDR2-667
- Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.0.1.1002, DirectX 9.0c
Тестирование модулей памяти GeIL DDR2-667 осуществлялось в режиме DDR2-533, поскольку, во-первых, большинство участвующих в нашем тестировании материнских плат (на чипсете i915P/G и i925X) вообще не поддерживает режим DDR2-667, а во-вторых, его использование во-многом является бессмысленным, поскольку пропускная способность (ПС) подсистемы памяти жестко лимитирована ПС системной шины, которая составляет 6.4 ГБ/с при 200-МГц и 8.53 ГБ/с при 266-МГц частоте FSB. Напомним, что пиковая ПС DDR2-667 в двухканальном режиме равна 10.66 ГБ/с.
Тесты производительности
В первой серии тестов использовались «стандартные» значения таймингов, выставляемые BIOS материнских плат в режиме «by SPD». Как мы уже отмечали выше, большинство подпрограмм настройки параметров подсистемы памяти, реализованных в BIOS, склонно округлять дробные значения в большую сторону что в данном случае привело схему таймингов в весьма привычный для DDR2-533 вид 4-4-4-12.
Отметим, что на материнской плате ECS PF21 Extreme (стенды №6 и №7) рассматриваемые модули памяти функционировать отказались (настройка материнской платы на 200-МГц и 266-МГц режим, естественно, осуществлялась предварительно с использованием других модулей памяти).
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5 | Стенд 6 | Стенд 7 * |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Тайминги | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | | |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4892 | 4943 | 4770 | 4769 | 4719 | | |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2113 | 2017 | 2017 | 2031 | 2002 | | |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6435 | 6497 | 6436 | 6436 | 6371 | | |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4327 | 4323 | 4309 | 4266 | | |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 48.7 | 48.2 | 51.1 | 51.0 | 51.7 | | |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 56.0 | 55.4 | 58.3 | 58.3 | 59.0 | | |
Минимальная латентность случайного доступа ** , нс | 118.5 | 117.2 | 122.1 | 122.7 | 123.9 | | |
Максимальная латентность случайного доступа ** , нс | 137.7 | 136.0 | 140.9 | 141.3 | 142.7 | | |
* частота FSB 266.7 МГц
** размер блока 16 МБ
Наилучшие результаты производительности подсистемы памяти (максимум ПСП, минимум латентности) наблюдаются на платах, основанных на чипсете i925X MSI 925X Neo (стенд №2) и Gigabyte 8ANXP-D (стенд №1). Системные платы с чипсетом i915P MSI 915P Neo2 (стенд №3) и ECS PF4 Extreme (стенд №4) располагаются посередине, а последнее место достается, что вполне предсказуемо, комбинированному DDR/DDR2-решению MSI 915G Combo (стенд №5) на чипсете i915G.
Тесты стабильности
Значения таймингов (за исключением tCL) варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью специально разработанной нами вспомогательной утилиты, которая вскоре выйдет в свет в виде отдельного приложения, поставляемого вместе с тестовым пакетом RMMA.
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь с данными модулями на всех материнских платах, 3-3-2, можно считать весьма значительными. А именно, нам удалось снизить величину tCL на единицу, tRCD дотянуть до заявленного в SPD номинала (что совсем немного не дотянуло до абсолютного рекорда 3-2-2, поставленного модулями серии Corsair XMS2 PRO), а tRP снизить на 2 такта по сравнению со «стандартом», и на единицу по сравнению с номиналом. Значение последнего параметра (tRAS), выставленное в настройках чипсета, данными модулями памяти, как и подавляющим большинством других модулей DDR2, игнорируется.
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5 | Стенд 6 | Стенд 7 * |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Тайминги | 3-3-2 | 3-3-2 | 3-3-2 | 3-3-2 | 3-3-2 | | |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5143 | 5191 | 5002 | 4990 | 4931 | | |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2302 | 2320 | 2228 | 2248 | 2252 | | |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6509 | 6567 | 6538 | 6519 | 6460 | | |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4331 | 4323 | 4309 | 4266 | | |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 46.6 | 46.2 | 48.5 | 48.8 | 49.3 | | |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 53.6 | 53.2 | 56.0 | 56.1 | 56.9 | | |
Минимальная латентность случайного доступа ** , нс | 103.4 | 102.8 | 107.9 | 108.3 | 109.2 | | |
Максимальная латентность случайного доступа ** , нс | 124.3 | 123.4 | 128.0 | 128.4 | 129.7 | | |
* частота FSB 266.7 МГц
** размер блока 16 МБ
Разгон модулей по таймингам позволяет немного «подтянуть» результаты, получаемые на материнских платах с чипсетом i915P (стенды №3 и №4), т.е. приблизить их к результатам лидеров на чипсетах i925X (стенды №1 и №2), а также ощутимо снизить величины латентности случайного доступа на 13-15 нс. Итоги
Протестированные модули памяти GeIL DDR2-667 серии XMS2 PRO имеют отличную производительность (величины ПСП практически равны предельным значениям, а латентности весьма низки) и показывают весьма солидный «разгонный потенциал» по таймингам минимальные значения (3-3-2) весьма близки к абсолютному рекорду, недавно поставленному модулями Corsair XMS2 PRO. Тем не менее, нельзя не отметить «не 100%-ную» совместимость данных модулей с современными материнскими платами на чипсетах 915-й и 925-й серий модули отказались функционировать на одной из плат, участвующих в нашем тестировании, основанной на чипсете i925XE, который позволяет в большей степени раскрыть потенциал памяти DDR2.
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В нашем очередном исследовании мы рассмотрим 1-ГБ пару модулей DDR2-667 производства Apacer на сегодняшний день, можно сказать, вполне обычное предложение среди данной категории.Информация о производителе модуля
Фото модуля памяти
Фото микросхемы памяти
Под стильной золотой крышкой-теплоотводом стандартной конструкции скрывается вполне обычная «планка» памяти, на которой невооруженным глазом можно разглядеть 8 используемых микросхем DDR2-памяти производства Elpida.
Важно заметить, что сам радиатор, по большей части, можно считать просто красивой декорацией, поскольку, как показано на приведенной выше фотографии, клейкая теплопроводящая прослойка вообще не касается большинства микросхем памяти, расположенных по краям модуля исключение составляют, пожалуй, лишь две, максимум четыре центрально расположенные микросхемы. Поскольку рассматриваемые модули являются серийными, а не инженерными образцами, мы считаем нужным обратить внимание читателей на этот факт. Проблема связана с достаточно большой шириной теплоотвода, явно рассчитанного для охлаждения микросхем двухбанковых модулей памяти. Решение этой проблемы тривиально использовать более толстую прослойку (причем не обязательно обладающую высокой теплопроводностью) с тыльной стороны модуля. Тем не менее, по каким-то причинам производитель пока что не потрудился этого сделать. Будем надеяться, что ситуация изменится в дальнейшем.Part Number модуля и микросхемы
Расшифровка Part Number модуля
Расшифровка Part Number микросхемы
Поле | Значение | Расшифровка |
---|---|---|
0 | E | Производитель: E = Elpida Memory |
1 | Тип (отсутствует, D = монолитное устройство) | |
2 | Код продукта (отсутствует, E = DDR2) | |
3 | 51 | Емкость/количество банков: 51 = 512Мбит/4 банка |
4 | 08 | Ширина внешнего интерфейса микросхем памяти: 08 = x8 |
5 | A | Протокол питания: A = SSTL 1.8V |
6 | E | Ревизия кристалла |
7 | Код упаковки (отсутствует, SE = FBGA) | |
8 | 6E | Параметры быстродействия микросхемы: 6E = DDR2-667 (5-5-5) |
9 | E | Код охраны окружающей среды: E = без использования свинца |
Маркировка микросхем данного модуля несколько не соответствует официальной спецификации, приведенной в технической документации данного типа микросхем. А именно, отсутствуют поля, характеризующие тип устройства (монолитное, DDR2) и упаковки (FBGA). То же самое наблюдалось ранее и в других модулях памяти DDR2 с микросхемами Elpida, например, модулях бюджетной серии DDR2 Kingston ValueRAM.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Тестовый стенд №1
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x512 МБ Apacer DDR2-667
Тестовый стенд №2
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x512 МБ Apacer DDR2-667
Тесты производительности
В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). На используемой для тестов материнской плате ASUS P5WD2-E она выставилась в соответствии с данными, прописанными в SPD.
Параметр | Стенд 1 | Стенд 2 * |
---|---|---|
Тайминги | 5-5-5-15 | 5-5-5-15 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5383 | 6400 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2101 | 2296 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6633 | 8342 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5677 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 56.6 | 50.1 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 66.1 | 57.2 |
Минимальная латентность случайного доступа ** , нс | 116.2 | 102.9 |
Максимальная латентность случайного доступа ** , нс | 140.4 | 121.0 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 87.2 | 77.8 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 113.0 | 96.4 |
Минимальная латентность случайного доступа ** , нс (без аппаратной предвыборки) | 117.0 | 104.0 |
Максимальная латентность случайного доступа ** , нс (без аппаратной предвыборки) | 143.0 | 123.1 |
* частота FSB 266 МГц
** размер блока 16 МБ
По приведенным выше результатам видно, что рассматриваемые модули характеризуются достаточно средними скоростными характеристиками (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем обычно составляют примерно 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и порядка 9 ГБ/с при 266 МГц). То же самое можно сказать и о задержках при доступе в память (латентностях), которые оказываются ниже при частоте системной шины 266 МГц, но, тем не менее, все равно выше по сравнению с типичными значениями для производительных модулей DDR2-667 (порядка 70 нс при псевдослучайном обходе с отключением аппаратной предвыборки что можно считать истинной характеристикой латентности памяти как таковой).
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
Параметр * | Стенд 1 | Стенд 2 * |
---|---|---|
Тайминги | 4-4-4 | 4-4-4 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5490 | 6608 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2344 | 2681 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6675 | 8464 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5684 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 54.5 | 47.5 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 64.0 | 55.2 |
Минимальная латентность случайного доступа ** , нс | 110.1 | 96.5 |
Максимальная латентность случайного доступа ** , нс | 134.4 | 115.6 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 83.7 | 73.3 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 109.8 | 93.1 |
Минимальная латентность случайного доступа ** , нс (без аппаратной предвыборки) | 110.9 | 97.4 |
Максимальная латентность случайного доступа ** , нс (без аппаратной предвыборки) | 137.5 | 116.7 |
* частота FSB 266 МГц
** размер блока 16 МБ
Как видно из представленной выше таблицы, в этой серии тестов без потери устойчивости нам удалось достичь минимальных значений таймингов 4-4-4 можно сказать, типичные для производительных модулей DDR2-667 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Выставление такой схемы таймингов незначительно сказывается на величинах ПСП (что вполне предсказуемо), но приводит к некоторому снижению задержек при доступе в память (примерно на 3-4 нс при псевдослучайном обходе и 6-7 нс при случайном обходе).Итоги
Протестированные модули памяти Apacer DDR2-667, учитывая их объем и скоростные характеристики, можно считать вполне «средним» решением в данной категории. Минимальные значения таймингов, которые позволяют достичь эти модули в режиме DDR2-667, 4-4-4, выглядят достаточно скромно, поскольку являются нормой для современных высокопроизводительных модулей памяти типа DDR2-667. Более того, рассмотренные серийные образцы модулей не лишены конструктивного недостатка, заключающегося в отсутствии надлежащего контакта теплопроводящей пластины теплоотвода с большинством микросхем памяти, расположенных по краям модуля.
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Совсем недавно мы рассмотрели двухканальный комплект модулей памяти Kingston high-end серии HyperX, рассчитанный на функционирование в нестандартном режиме «DDR2-900», сегодня же будет рассмотрено похожее предложение, но укладывающееся в рамки стандарта JEDEC двухканальный комплект модулей памяти Kingston HyperX DDR2-800 высокой емкости (суммарный объем 2 ГБ), обладающих, как утверждает производитель, низкими задержками.Информация о производителе модуля
Фото модуля памяти
Со снятыми радиаторами:
Фото микросхемы памяти
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. В краткой технической документации модулей с Part Number KHX6400D2LLK2/2G указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (Low Latency, отсюда сокращение «LL») объемом 1 ГБ каждый, имеющих конфигурацию 128M x 64 и основанных на 16 микросхемах с конфигурацией 64M x8. Производитель гарантирует 100% стабильную работу модулей в штатном режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и питающем напряжении 2.0 В, но в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию прописан режим DDR2-800 со стандартными таймингами 5-5-5-15 и напряжением питания 1.8 В.
Расшифровка Part Number микросхемы
Как и в ранее исследованных Kingston HyperX DDR2-900, в настоящих модулях памяти использованы микросхемы с оригинальной маркировкой их реального производителя (Elpida), что позволяет нам изучить их характеристики в том числе, воспользовавшись описанием технических характеристик (data sheet) 512-Мбит чипов памяти DDR2 Elpida, применяемых в данных модулях.
Поле | Значение | Расшифровка |
---|---|---|
0 | | Производитель (отсутствует, «E» = Elpida Memory) |
1 | | Тип (отсутствует, «D» = монолитное устройство) |
2 | E | Код продукта: «E» = DDR2 |
3 | 51 | Емкость/количество логических банков: «51» = 512М/4 банка |
4 | 08 | Ширина внутренней шины данных: «08» = x8 |
5 | A | Протокол питания: «A» = SSTL 1.8V |
6 | G | Ревизия кристалла: «G» |
7 | | Код упаковки (отсутствует, «SE» = FBGA) |
8 | 6E | Скорость компонента: «6E» = DDR2-667 (5-5-5) |
9 | E | Код охраны окружающей среды: «E» = без использования свинца |
В маркировке рассматриваемых микросхем Elpida, как обычно, отсутствуют поля, характеризующие производителя (Elpida Memory) и тип устройства (монолитное), а также код упаковки устройства (FBGA). Как видно из приведенных в таблице характеристик, микросхемы модуля имеют конфигурацию 64M x8 (полная емкость 512 Мбит) и рассчитаны на функционирование в «медленном» режиме DDR2-667 (при таймингах 5-5-5), соответствующем первой ревизии стандарта DDR2-667. Заметим, что такие же микросхемы (но другого производителя) применяются в еще более высокоскоростных модулях Kingston HyperX DDR2-900, рассмотренных нами ранее. По-видимому, в обоих случаях можно говорить о тщательном отборе производителем модулей микросхем DDR2-667, обладающих наилучшими показателями скорости и надежности функционирования, вместо использования реальных микросхем скоростной категории DDR2-800.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0404 от 03/22/2006
- Память: 2x1024 МБ Kingston HyperX DDR2-800 Low Latency
Тесты производительности
В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование осуществлялось в двух скоростных режимах DDR2-667 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 1.67 и 1.25, соответственно) и DDR2-800 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 2.0 и 1.5, соответственно). Напомним, что, начиная с нашего предыдущего исследования, в тестах модулей памяти используется новая версия тестового пакета RMMA 3.65, в которой по умолчанию выбран больший размер тестируемого блока памяти (32 МБ), что позволяет в большей степени устранить влияние сравнительно большого 2-МБ L2-кэша процессора Pentium 4 Extreme Edition.
В режиме DDR2-667 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-13 («наугад», т.к. соответствующие данные отсутствуют в SPD), тогда как в режиме DDR2-800 по умолчанию выставляется схема 5-5-5-16, соответствующая рассмотренным выше данным SPD.
Параметр / Режим | DDR2-667 | DDR2-800 | ||
---|---|---|---|---|
Частота FSB, МГц | 200 | 266 | 200 | 266 |
Тайминги | 5-5-5-13 | 5-5-5-13 | 5-5-5-16 | 5-5-5-16 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5387 | 6406 | 5617 | 6875 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2056 | 2252 | 2321 | 2465 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6491 | 8232 | 6528 | 8541 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5660 | 4279 | 5679 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 56.6 | 50.0 | 52.5 | 45.5 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 66.2 | 57.3 | 61.7 | 53.0 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 118.8 | 105.3 | 106.0 | 95.4 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 143.8 | 123.9 | 130.2 | 115.5 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 87.0 | 78.2 | 80.3 | 70.4 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 113.7 | 96.5 | 107.3 | 90.1 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 119.6 | 105.5 | 106.2 | 95.9 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 145.5 | 125.0 | 133.7 | 116.6 |
Скоростные показатели модулей достаточно высоки максимальная реальная ПСП составляет примерно 6.4-6.5 ГБ/с при 200-МГц FSB и 8.2-8.6ГБ/с при 266-МГц FSB, т.е. практически достигает теоретического максимума ПС процессорной шины (и даже несколько превосходит его, т.к. некоторое влияние L2-кэша процессора все же присутствует). Задержки при доступе в память, как обычно, уменьшаются при переходе как к более скоростным режимам (от DDR2-667 к DDR2-800), так и к более высокой частоте системной шины (от 200-МГц к 266-МГц FSB). Минимальная латентность памяти в режиме DDR2-800 при частоте системной шины 266 МГц находится в интервале от 45.5 нс (псевдослучайный обход, аппаратная предвыборка включена) до 116.6 нс (случайный обход, аппаратная предвыборка отключена), что несколько уступает значениям, полученным ранее на более «топовых» модулях Kingston HyperX DDR2-900.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
Параметр / Режим | DDR2-667 | DDR2-800 | ||
---|---|---|---|---|
Частота FSB, МГц | 200 | 266 | 200 | 266 |
Тайминги | 3-4-4 (2.0 V) | 3-4-4 (2.0 V) | 4-5-4-12 (2.0 V) | 4-5-4-12 (2.0 V) |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5537 | 6798 | 5652 | 6990 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2260 | 2465 | 2358 | 2613 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6501 | 8331 | 6515 | 8632 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5664 | 4281 | 5675 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 53.1 | 46.1 | 49.3 | 44.4 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 62.5 | 53.3 | 59.0 | 51.8 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 109.6 | 95.4 | 105.5 | 92.7 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 133.9 | 114.9 | 129.7 | 112.7 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 81.9 | 70.9 | 75.2 | 68.5 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 107.9 | 93.2 | 102.0 | 88.4 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 110.4 | 95.9 | 105.8 | 93.1 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 136.6 | 116.7 | 132.6 | 113.6 |
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-667 при использовании рекомендованного производителем повышенного питающего напряжения 2.0 В, как ни странно, выглядят весьма скромно 3-4-4 (изменение параметра tRAS в данном случае игнорируется). Напомним, что с модулями Kingston HyperX DDR2-900 в указанных условиях нам удалось достичь гораздо более «экстремальную» схему 3-3-2. Еще хуже обстоят дела в режиме DDR2-800 минимальной возможной (устойчивой) оказалась лишь схема 4-5-4-12, что даже выше по сравнению с «официально» заявленной производителем схемой 4-4-4-12. Что интересно, параметр tRAS в данном случае вносит решающий вклад в устойчивость функционирования подсистемы памяти его уменьшение приводило к немедленному «зависанию» системы.
Как обычно, выставление «экстремальных» схем таймингов лишь незначительно увеличивает пропускную способность подсистемы памяти и отчетливо проявляет себя лишь в величинах латентностей истинно случайного доступа к памяти. Максимальный эффект снижения задержек достигается в режиме DDR2-667 и составляет порядка 9 нс, т.е. примерно 8%.Итоги
Исследованные модули Kingston HyperX DDR2-800 (PC2-6400) высокой емкости с «низкими задержками» способны функционировать в скоростных режимах DDR2-667 и DDR2-800 при номинальных условиях (т.е. стандартных схемах таймингов, вроде 5-5-5-15 для режима DDR2-800) и характеризуются высокой производительностью в указанных режимах. В то же время, «разгонный потенциал» модулей по таймингам явно оставляет желать лучшего, что с трудом позволяет говорить о них как о модулях класса «Low Latency». Минимально возможная схема таймингов в режиме DDR2-667, не приводящая к потере устойчивости функционирования подсистемы памяти, составляет всего 3-4-4 (при рекомендованном питающем напряжении 2.0 В), а в режиме DDR2-800 4-5-4-12, что «не дотягивает» даже до значений 4-4-4-12, официально заявленных производителем в документации. По крайней мере, на используемой в тестах материнской плате (ASUS P5WD2-E), надежно зарекомендовавшей себя для тестирования высокоскоростных модулей памяти DDR2.
Читайте также: