Статистика разгона памяти ddr3
После выхода платформы Nehalem требования к памяти DDR3 немного возросли и для безопасного функционирования новых процессоров напряжение питания на модулях не должно превышать 1,65 В при максимально возможных 1,87 В, тогда как лучшие оверклокерские планки работали при 1,9 В и выше. Да и напряжения питания отдельных блоков CPU также имеют определенные ограничения, что затрудняет разгон для достижения очень высоких частот как самого процессора, так и памяти. Естественно, производители памяти вскоре представили трехканальные комплекты высокочастотных модулей, рассчитанных на рабочее напряжение 1,65 В, вот только заставить их функционировать на частоте свыше 1800 МГц оказалось не так легко.
Как это работает?
Проблема разгона планок после 1800 МГц заключается в том, что контроллер памяти, перенесенный в процессор Core i7, а также кэш-память третьего уровня (вся эта часть процессора называется Uncore) работают на частоте в два раза превышающей эффективную частоту модулей. И если со стандартным режимом никаких проблем не наблюдается — при частоте планок вплоть до 1600 МГц частота контроллера памяти и L3-кэша составит лишь 3,2 ГГц, то с памятью DDR3-1866/2000 этот показатель достигнет 3,7-4 ГГц, что уже сказывается на стабильности работы CPU. В таком случае необходимо поднимать напряжение на контроллере памяти (в BIOS Setup это пункты Uncore Voltage, QPI/VTT Voltage, CPU VTT Voltage, QPI/DRAM Core Voltage, FSB VTT Voltage и пр.) со стандартных 1,15 В до 1,4~1,6 В (официально безопасные 1,35 В; не путать с напряжением входных/выходных усилителей контроллера памяти процессора — Vddq, которое равно напряжению на модулях), в зависимости от экземпляра процессора. Кстати, производители оверклокерской памяти как раз об этом и заявляют — для модулей DDR3-1866 и выше устанавливать напряжение Uncore именно на таких значениях.
Но и это еще не все. Как известно, частоты памяти, процессора микроархитектуры Nehalem и различных блоков в нем формируются за счет перемножения определенного коэффициента (на блок-схеме множители xM1, xM2, xM3 и xM4) на опорную частоту (Bclk), равную в номинале 133 МГц.
Так, например, рабочая частота 3,2 ГГц процессора Core i7-965 получается при использовании коэффициента умножения x24, памяти DDR3-1333 — x10 (на самом деле используется x5, но он интерпретируется в эффективный), а частота встроенной части северного моста в процессор уже будет формироваться за счет коэффициента x20, что даст в итоге 2,66 ГГц на Uncore. При использовании иной модели процессора или памяти коэффициенты, естественно, будут совершенно другие:
Модель | Частота CPU, ГГц | Множитель CPU* | Множитель Uncore | Множитель памяти** | Множитель QPI |
Core i7-975 EE | 3,33 | x12-x25-x63 | x16-x34 | x6, x8, x10, (x12, x14, x16) | x18, x20, x24 |
Core i7-965 EE | 3,2 | x12-x24-x63 | x16-x34 | x6, x8, x10, (x12, x14, x16) | x18, x20, x24 |
Core i7-950 | 3,06 | x12-x23 | x16-x34 | x6, x8, (x10, x12, x14, x16) | x18 |
Core i7-940 | 2,93 | x12-x22 | x16-x34 | x6, x8, (x10, x12, x14, x16) | x18 |
Core i7-920 | 2,66 | x12-x20 | x16-x34 | x6, x8, (x10, x12, x14, x16) | x18 |
** — в скобках указаны не официально поддерживаемые множители; все множители эффективные, т.е. реальные в два раза меньше
Также при разгоне за счет поднятия опорной частоты необходимо (в зависимости от того, что разгоняется) снижать определенные множители на памяти или процессоре. А теперь самое интересное — при поиске максимальной стабильной частоты работы модулей при тех или иных таймингах придется иногда подбирать комбинацию множителей процессора и памяти с частотой Bclk. Т.е. планки памяти запросто могут функционировать при 200-мегагерцовой опорной частоте с меньшим коэффициентом умножения, тогда как при Bclk 166 МГц, но с большим множителем, откажутся даже запускаться, хотя результирующая частота в обоих случаях будет одинаковой.
Естественно, становится интересно, зачем использовать высокочастотную память, если даже для того, чтобы заставить ее работать в номинале требуется поднятие напряжений и эффективное охлаждение CPU? Дело в том, что для обычного пользователя подобные комплекты ни к чему, ему достаточно памяти DDR3-1600, а вот при экстремальном оверклокинге такая память не будет влиять на потенциал процессора. Также можно использовать ее при более низкой частоте с меньшими таймингами.
G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD и F3-16000CL9T-6GBTD
Оба рассматриваемых комплекта поставляются в крупном блистере с этикеткой-вкладышем, на которой ничего особого не отмечено, кроме иллюстрации, показывающей эффективность работы системы охлаждения памяти.
Правда, такой этикеткой может похвастаться лишь набор с 1866-мегагерцовыми планками.
Модули F3-16000CL9T-6GBTD и F3-15000CL9T-6GBTD относятся к новой серии Trident и отличаются от рассмотренных ранее комплектов памяти этого производителя обновленными алюминиевыми радиаторами черного цвета. Аналогично планкам Пи-серии высота системы охлаждения Trident накладывает некоторые ограничения по использованию процессорных кулеров. Например, на плате Intel DX58SO кулер башенного типа (Noctua NH-U12P) придется расположить поперек платы.
По конструкции радиатор напоминает СО памяти серии Blade от OCZ: одна половинка имеет сложный профиль (в данном случае, даже с ребрами), увеличивающий площадь рассеивания тепла, а вторая представляет собой обычную пластину, прикрученную к основной. Дополнительно хитспридеры приклеены к чипам памяти с помощью «термолипучки». Из-за скоса на краю ребер устанавливать планки в материнскую плату не очень удобно — с ребрами одной высоты было бы куда проще.
Комплект G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD рассчитан на частоту 1866 МГц при таймингах 9-9-9-24 и напряжении 1,65 В — немного высоковаты задержки, хотя tRAS ниже, чем у некоторых конкурирующих продуктов.
Для набора F3-16000CL9T-6GBTD характерны такие же значения таймингов и напряжения питания памяти, но рабочая частота уже составляет 2000 МГц. Как отмечалось в начале статьи объем каждого трехканального набора равен 6 ГБ.
Но это по версии Lavalys Everest. В CPU-Z помимо частот и напряжения для двух профилей XMP уже указаны задержки, и даже еще одна частота в SPD — 1482 МГц с таймингами 10-11-11-27.
Данные в SPD набора F3-16000CL9T-6GBTD соответствуют 1866-мегагерцовым модулям, но профиль XMP всего лишь один, в котором уже прописаны как основные, так и второстепенные тайминги.
Если судить по утилите MemSet, то расхождений по основным характеристикам памяти с программой Everest никаких нет.
Скажем несколько слов материнской плате, на которой выяснялись нюансы разгона памяти DDR3 на платформе Nehalem. Плата относится к серии LanParty JR (аббревиатура от слова «junior», т.е. младший) и поставляется в небольшой коробке с изображением тинэйджера, катающегося на доске — как раз под стать названию.
- инструкция к материнской плате;
- инструкция по ABS;
- диск с драйверами и ПО;
- два кабеля SATA;
- один аэродинамический кабель IDE;
- один аэродинамический кабель FDD;
- переходник питания для SATA-устройств;
- задняя планка I/O;
- мостики SLI и CrossFire;
- набор разъемов Smart Connectors.
Из особенностей отметим наличие шести слотов памяти, горизонтально расположенные разъемы SATA, установленный динамик, индикатор POST-кодов и кнопки Power и Reset. Дополнительно к двум разъемам PCI-E x16 на плате нашлось место еще одному PCI-E x4 и обычному PCI.
Подсистема питания процессора выполнена по 6-канальной схеме с использованием твердотельных конденсаторов, как и во всех цепях питания платы. Охлаждение северного моста осуществляется за счет алюминиевого радиатора с ребрами сложной формы, который посредством тепловой трубки передает тепло (или принимает) радиатору на силовых транзисторах, набранному уже из тонких алюминиевых пластин.
BIOS платы имеет достаточное количество изменяемых параметров, чтобы произвести тонкую настройку системы, и даже разогнать процессор. В последнем случае эта малютка не особо отличается от полноразмерных сородичей.
Настройки для оверклокинга сосредоточены в разделе Genie BIOS Setting, причем, даже параметры, отвечающие за те или иные технологии, которые поддерживает процессор, сгруппированы в один из подразделов, что очень удобно. Обычно некоторые производители разбрасывают их по всем разделам BIOS Setup, а ту все в одном месте.
В недостатке настроек также не упрекнешь — есть все, что необходимо для разгона, начиная от изменения коэффициентов умножения процессора, памяти и Uncore с шиной QPI, и заканчивая широким списком различных напряжений. Хотя, по правде говоря, при выяснении разгонного потенциала большую лепту внесут напряжения на процессоре, памяти и контроллере, чем все остальные вместе взятые.
Не менее интересный у платы мониторинг, который показывает важнейшие напряжения (девять значений), температуру (четыре значения) и скорость вращения пяти вентиляторов. Кстати, показания напряжений питания процессора, памяти, северного моста и блока Uncore дублируются в подразделе, отвечающем за настройку этих самых напряжений.
И последнее веяние моды — сохранение профилей для разгона, или каких других настроек системы.
Изначально уже сохранено три профиля для процессоров Core i7-920, i7-940 и i7-965, которые позволяют разогнать каждый из CPU на 14,5%.
Методика тестирования
Соотношение частоты тактового генератора, множителя на памяти и процессоре в BIOS Setup материнской платы подбирались в индивидуальном порядке, но чаще множитель CPU был х23 или х21, а частота Bclk была в пределах 133-165 МГц. Пропускная способность шины QPI составляла 4800 МТ/с. Напряжение на контроллере памяти выставлялось на уровне 1,48 В, так как при более высоком процессор перегревался и система выдавала ошибку во время тестирования. И это притом, что родные вентиляторы кулера Noctua NH-U12P пришлось заменить на более скоростные модели. Напряжение на памяти равнялось 1,65 В. Остальные настройки BIOS не влияли на уровень разгона и выставлялись в значение Auto.
Результаты разгона
Набор G.SKILL F3-16000CL9T-6GBTD при таймингах 9-9-9-27(24) без проблем удалось запустить на частоте 1920 МГц, что меньше номинальных для этой памяти 2000 МГц. Установка более агрессивных задержек незначительно снизило частоту — система стабильно проходила тесты при 1896 МГц. Тайминги 7-7-7-21 опять значительно повлияли на результат, и итоговая частота составила 1644 МГц, что даже ниже, чем у менее дорогого комплекта памяти.
Результаты тестирования
Результаты тестирования занесены в следующую таблицу:
Выводы
С выходом процессоров Core i7 с интегрированным трехканальным контроллером памяти необходимость в высокочастотных модулях отпала и на данный момент 1600-мегагерцовых планок более чем достаточно. Использование памяти DDR3-1866/2000 оправдано при условии экстремального разгона, ибо, как показало наше тестирование, даже запустить модули на номинальной частоте становится проблематично. Из-за архитектурных особенностей процессоров на ядре Bloomfield ограничивающим фактором становится частота встроенной в процессор части северного моста, называемой Uncore, которая в два раза должна превышать частоту памяти. Если использовать планки DDR3-2000, то результирующая частота Uncore составит 4 ГГц — в таком случае требуется сильно поднимать напряжение на контроллере памяти, что влечет за собой значительный нагрев процессора, и без соответствующего охлаждения добиться стабильной работы не выйдет. Но даже если порог высокочастотных модулей составит всего 1800-1900 МГц можно использовать память на такой частоте при более низких таймингах, что повысит быстродействие системы.
В числе участников - модули памяти Silicon Power, NCP, Patriot, GeIL, Kingston, Samsung, основанные на микросхемах Elpida, Micron, Samsung. Обзор, разгон, краткий список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт на модуль и использованных в них микросхем.
Упаковка и внешний вид: Samsung M378B1G73BH0-CH9, тестовый стенд и ПО, методика тестирования, результаты разгона: Silicon Power SP008GBLTU133N02, NCP NCPH10AUDR-13M28, Patriot PSD38G13332, GeIL GB316GB1600C10DC
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
Проведенное некоторое время назад тестирование бюджетных модулей памяти объемом 4 Гбайта, основанных на микросхемах Hynix, Samsung, Micron и Elpida, показало, что именно первые два производителя выпускают наиболее интересные (с точки зрения разгонного потенциала) микросхемы памяти. Поэтому в тестировании модулей объемом 8 Гбайт не обошлось без участия представителей Samsung. Что касается Hynix, то судя по информации на сайте , у этого производителя также есть микросхемы и модули такого объема, но найти их в продаже пока не удалось.
реклама
В очередной раз оригинальные модули Samsung попали на тестирование в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации.
Модуль памяти стандартного размера, выполнен на печатной плате традиционного для Samsung зеленого цвета. Шестнадцать микросхем установлены с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.
На наклейке указана маркировка модуля (M378B1G73BH0-CH9), его объем (8 Гбайт), рейтинг (PC3-10600), дата (6 неделя 2012 года) и страна производства (Китай).
Компания Samsung использует микросхемы собственного производства. В данном случае это четырехгигабитные SEC K4B4G0846B-HCH9, выпущенные на 4-й неделе 2012 года. Они рассчитаны на частоту 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1717 Кбайт).
Информация на случай изменения маркировки: размер микросхем 10.0x11.0 мм, дизайн точки в левом нижнем углу – четыре вертикальные линии внутри круга, но при этом сама точка заметно меньше, чем у Elpida.
реклама
Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: samsung_m378b1g73bh0-ch9_spd.
Samsung M378B1G73BH0-CH9 использует печатную плату с маркировкой CK 77-13.
Инструменты изменения показателей
Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:
- Использование интерфейса БИОСа.
- Установка и использование сторонней программы.
Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно, быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.
Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:
- К изменению показателя частоты работы устройства следует относиться с осторожностью, так как правильная корректировка заключается не только во введении одной цифры. Частота зависит от произведения двух основных значений: FSB и BCLK. Получаемое значение принято считать «опорной частотой». Если будет проводиться изменение только множителя, то увеличить производительность будет невозможно.
- Принято уделять внимание особенностям процессора при разгоне модулей ОЗУ, так как этот элемент более важен в системе. Часто наблюдается ситуация, что одинаковые значения тайминга и тактовой частоты при различных процессорах дают разный результат. При этом точные рекомендации сложно найти, производители и вовсе не рекомендуют проводить изменение устанавливаемых настроек.
- Результат проведения работы по разгону зачастую непредсказуемый, но увеличить шансы на успех можно при изучении специализированных форумов, где можно найти пример похожего сочетания процессора и планок памяти.
Тестирование производительности
Для исследования производительности мы использовали следующие тесты: wPrime 1.55 (режимы 32M и 1024М), Super Pi 1.5 (режим 1M), WinRar (встроенный тест производительности), 7-Zip (встроенный тест производительности), Cinebench R10 (тест CPU), Cinebench R11.5 (тест CPU) и тесты памяти из программного комплекса Aida64.
Базовые настройки системы:
частота работы процессора — 4503 МГц (19x237), контроллера памяти — 2607 МГц.
Тестирование производилось для частот работы памяти 2528, 2212 и 1896 МГц при минимально доступных для каждого из комплектов памяти таймингах. Показатели комплектов Corsair и G.Skill объединены, ибо результаты их разгона практически идентичны. Память Kingmax тестировалась только при частотах 2212 и 1896 МГц, поскольку работать при частоте 2528 МГц не способна.
По результатам измерений производительности прежде всего выделяется комплект Kingmax. Несмотря на свое невезение с одним конкретным модулем, он лидирует в большинстве тестов. Память на базе микросхем Samsung и Hynix показала приблизительно одинаковые результаты. Однако следует отметить провал комплекта Kingston в тесте производительности WinRar. Это, скорее всего, было обусловлено односторонней компоновкой модулей с восемью микросхемами, а не с шестнадцатью, как у всех остальных участников тестирования.
Видео
Из этого видео вы узнаете, как правильно настроить и разогнать оперативную память вашего ПК.
Поставь лайк, это важно для наших авторов, подпишись на наш канал в Яндекс.Дзен и вступай в группу Вконтакте
Оптимальные методы разгона
При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность — обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.
Среди основных рекомендаций выделим следующие моменты:
- При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
- При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.
Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.
Процессоры Intel и AMD
Тесты, которые проводятся при разгоне оперативной памяти, указывают на то, что процессоры Intel, построенные на современной архитектуре, плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если провести его изменение, то велика вероятность возникновения серьезных сбоев.
Эта информация определяет то, что изменить «опорную частоту» будет довольно сложно. Поэтому единственный выход из сложившей ситуации — изменение показателя множителя, что обычно приводит к незначительному повышению мощности.
Некоторые из процессоров рассматриваемого производителя хорошо реагируют на подобные эксперименты. Примером назовем Core i7−8. При их производстве используется архитектура Lynnfield.
На результаты проводимых экспериментов может оказать влияние и тип материнской памяти. Данный элемент компьютера также имеет чипсет, который отвечает за обработку некоторой информации.
Процессоры, выпускаемые под брендом AMD, постепенно уходят с рынка. При этом они ведут себя более предсказуемо при увеличении производительности оперативной памяти, что позволяет снизить вероятность возникновения ошибок.
В заключение отметим, что повышение производительности всегда приводит к выделению большего количества тепла. Поэтому при недостаточном охлаждении системного блока следует провести установку более мощной системы отвода тепла, так как велика вероятность перегрева.
Результаты разгона
Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229.
Кроме проверки разгонного потенциала, каждый тип памяти был проверен на минимальные тайминги для стандартных частот (1333, 1600, 1866, 2133 МГц) и напряжения (1.50 В).
Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).
Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения: слабая и не зависит от установленных таймингов.
NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).
Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения:
- На номинальной и более низкой частоте: практически отсутствует;
- После разгона до 1500-1600 МГц: крайне слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.75 В.
Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Один из двух модулей Patriot PSD38G13332 оказался заметно хуже второго (примерно на 100-150 МГц). При переразгоне он переставал определяться материнской платой, в то время как второй модуль продолжал стабильно работать на более высоких частотах. Чтобы убедится в том, что это именно разница их разгонного потенциала, а не сложность совместной работы в двухканальном режиме (с этим не было проблем не только у Patriot PSD38G13332, но и у остальных протестированных модулей), оба модуля дополнительно были проверены по отдельности. Полученные на двух модулях результаты показывают потенциал худшего из них.
- X-X-(X-2) на средних частотах (1600-1875 МГц);
- X-X-(X-1) на низких частотах (около 1333 МГц).
Реакция на изменение напряжения: не зависит от установленных таймингов.
- от 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
- от 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (20-30 МГц);
- от 1.75 B до 1.85 B: отсутствует.
Минимальные тайминги для стандартных частот:
GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
Профиль XMP, устанавливающий частоту 1600 МГц с таймингами 10-10-10-28 и напряжением 1.50 B:
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-X-(X-1).
RAS Precharge (tRP) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL) без потери по частоте.
RAS to CAS Delay (tRCD) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL), но с потерей 50-70 МГц.
Реакция на изменение напряжения:
- при tRCD = tCL: частота изменяется в пределах 10 МГц на каждые 0.10 В.
- при tRCD = tCL - 1: отсутствует.
Минимальные тайминги для стандартных частот:
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оперативная память является формально пассивным компонентом платформы, то есть как таковое понятие производительности памяти некорректно привязывать к самим модулям. Производительность зависит от контроллера памяти в процессоре.
Тем не менее, как объект тестирования память небезынтересна. В первую очередь потому, что с некоторых пор в современных процессорах наряду с документированной и сертифицированной частотой, имеется возможность без разгона самого процессора выставить повышенную частоту памяти.
Например, «разблокированные» модели процессоров Intel позволяют выставить частоту памяти до DDR3-2666 без разгона процессора. Отсюда возникает практический интерес в приобретении и установке высокочастотной памяти даже «законопослушными» пользователями, которые не увлекаются экстремальным разгоном, а, например, ограничиваются разгоном в пределах штатной частоты либо вообще принципиально не поднимают опорную частоту. И при этом хотят полностью раскрыть потенциал процессора, установив высокочастотную память.
Не все приложения, конечно, чувствительны к частоте памяти (и уж тем более далеко не все могут серьезно ускориться), но все же определенного прироста ожидать следует, к тому же сейчас все чаще в процессоре оказывается и графическое ядро, которое использует ту же системную память, нагрузка на которую при задействовании встроенной графики растет соответственно.
Методика тестирования
Целью тестирования было выяснить: имеет ли смысл покупать высокочастотные модули памяти, если вы не являетесь сторонником экстремального разгона и, как максимум, повышаете частоту лишь в пределах, с запасом укладывающихся в режим работы со стандартным напряжением?
Для этого мы провели две серии тестов. В первом случае мы старались установить максимальный стабильный режим работы (максимальная частота + минимальные тайминги) при стандартном заявленном производителем модулей напряжении памяти, а также стандартном напряжении процессора. Для этого с помощью множителя выставлялась максимальная частота памяти, а затем она доводилась до стабильного максимума незначительным увеличением опорной частоты.
Во втором случае мы выясняли: сможет ли пользователь, принципиально не повышающий частоту процессора (не использующий разгон с помощью повышения опорной частоты), получить прирост производительности за счет снижения таймингов после установки максимальной частоты памяти исключительно с помощью множителя? Иными словами, можно ли «обменять» недобранный частотный потенциал на бонус производительности за счет установки более жестких таймингов.
Разумеется, играя с напряжением и устанавливая нестандартные системы охлаждения, особенно позволяющие охладить компоненты до температур ниже нуля, можно получить гораздо более впечатляющие результаты. И в первую очередь, за счет того, что сильно разогнанным оказывается сам процессор. Но результаты, полученные в лабораторных условиях в подобных режимах, имеют достаточно малую практическую ценность. Многое зависит от того, насколько удачные попадутся экземпляры процессора и модулей памяти. Кроме того, в столь далеких от штатных режимах работы гарантировать стабильность (даже если система проходит соответствующие тесты) довольно сложно, и поэтому вопрос, обнаружен ли реальный стабильный максимум, или мы уже «переразогнали» (или, наоборот, «недоразогнали») наш компьютер, остается открытым.
Именно поэтому, в данном тестировании мы не использовали разгон с подъемом напряжений относительно рекомендованных производителем (де-факто это тоже нестандартное напряжение, как правило 1,65 В, но коль скоро производитель гарантирует стабильность и срок службы модулей при таком напряжении, мы, конечно, вправе его использовать).
В качестве тестового стенда использовался компьютер на процессоре Intel Core i7-3820 (3,6/3,8 ГГц, кэш 10 МБ) с кулером Thermaltake Contac 30. Дополнительные компоненты: системная плата ASUS P9X79 Pro, видеокарта AMD Radeon HD7950, блок питания Enermax Revolution87+ 750 Вт.
Стабильность установленного режима проверялась с помощью специального режима нагрузки памяти в программе AIDA64.
Также в этой программе мы снимали скорость чтения, записи и латентность памяти. Из несинтетических тестов использовалось кодирование видеофайла кодером x264, а также компиляция проекта с помощью MS Visual Studio 2010.
Безусловно, в реальной практике ожидать прироста от повышения производительности памяти следует в первую очередь в программах, обрабатывающих большие объемы данных, которые необходимо держать в оперативной памяти. Соответственно, быстрая память более востребована в основном в «серьезных» приложениях (САПРах, 3D-моделировании), а не в развлекательном сегменте.
И, кстати, пользователи «серьезных» приложений гораздо более консервативны в отношении разгона, потому что нестабильность (и потеря результатов работы) может свести к нулю всю экономию времени, которую дал разгон. Поэтому, надеемся, для них результаты нашего теста будут более актуальны, чем обычно практикуемое в подобных обзорах тестирование с разгоном всего и вся.
Заявленные и реальные характеристики
Ниже приведены характеристики и результаты протестированных на данный момент модулей памяти, в дальнейшем база результатов будет постоянно пополняться.
Внимание! По щелчку на названии каждого комплекта модулей в таблице можно перейти на страницу с подробным описанием этого комплекта и впечатлениями от его тестирования.
Модули памяти | Объем | Заявленная макс. частота, МГц | Рекомендуемые тайминги | Средняя цена (количество предложений) |
AData AX3U2133XC4G10-2X | 2×2 ГБ | 2133 | 10-11-11-30 | Н/Д(0) |
Corsair Dominator Platinum CMD16GX3M4A2666C10 | 4×4 и 2×4 ГБ | 2666 | 10-12-12-31 | Н/Д(0) |
Kingston HyperX KHX2800C12D3T1K2-4GX | 2×2 ГБ | 2800 | 12-14-14-32 | Н/Д(0) |
Kingston HyperX KHX1866C9D3T1K2-4GX | 2×2 ГБ | 1866 | 9-11-9-27 | Н/Д(0) |
Crucial Ballistix Tactical BLT4G3D1896D71TX | 2×2 ГБ | 1866 | 9-9-9-27 | Н/Д(0) |
Модули памяти | Макс. частота (по условиям теста), МГц | Фактические тайминги | Нагрев (в тесте стабильности) |
AData AX3U2133XC4G10-2X | 2448 | 10-12-12-31 CR2 | 47,3 °C |
Corsair Dominator Platinum CMD16GX3M4A2666C10 | 2520 | 10-12-12-31 CR2 (в 4-канальном) CR1 (в 2-канальном) | 31,8 °C |
Kingston HyperX KHX2800C12D3T1K2-4GX | 2520 | 12-12-12-31 CR2 | 28,9 °C |
Kingston HyperX KHX1866C9D3T1K2-4GX | 2133 | 12-12-12-31 CR2 | 30,1 °C |
Crucial Ballistix Tactical BLT4G3D1896D71TX | 2133 | 11-12-12-31 CR2 | 48 °C |
Работа контроллера памяти при столь высоких частотах также является нештатным режимом для самого процессора, поэтому на практике, когда мы говорим о разгоне без повышения напряжений, верхний предел на частотах выше DDR3-2400 будет зависеть от «способностей» конкретного экземпляра процессора в ничуть не меньшей степени, чем при обычном разгоне с поиском максимальной частоты вычислительных ядер.
Для нашего процессора таким порогом, вероятно, оказалась частота 2520 МГц — возможно, чуть выше. Она устанавливалась за счет выбора множителя памяти, соответствующего частоте DDR3-2400, и небольшого повышения опорной частоты (до 105 МГц). Любопытно, что модули Corsair Dominator Platinum позволяли системе зайти в BIOS Setup и на частоте 106 МГц, тогда как 2800-мегагерцовый комплект Kingston заставлял компьютер аварийно отключать питание при запуске на этой частоте.
Зато для модулей с официально заявленной частотой менее 2400 МГц, как правило, есть возможность некоторого разгона с соответствующим смягчением таймингов.
А теперь о том, что получилось в тестах.
Тестирование
Обращает на себя внимание отставание модулей Kingston, для которых пришлось выставить повышенные тайминги. Причем тут же добавим, что и на частоте 2400 МГц понизить тайминги для этого комплекта не удалось (впрочем, как и для «платинового» Corsair). Частота 1600 МГц с таймингами 12-12-12-31 приведена в качестве «референсной» для сравнения чистого прироста от использования высокочастотной памяти по сравнению с памятью, официально заявленной в спецификации процессора. Безусловно, на этой частоте данный комплект памяти позволяет использовать и гораздо более жесткие тайминги, но вряд ли кто будет покупать этот комплект, чтобы использовать его в таком режиме.
На скорость записи разница в таймингах влияет уже не так значительно. Легко заметить, что здесь основное узкое место — производительность контроллера памяти в процессоре. Соответственно, большое преимущество получают конфигурации, в которых мы повышали опорную частоту и, соответственно, частоту процессора.
На латентность тайминги влияют напрямую — собственно, они ее как раз и определяют.
Всегда интересно оценить производительность и в живых тестах. Разница между участниками, конечно, есть, особенно если сравнивать работу на штатной частоте (1600 МГц) и максимальные варианты разгона.
В тесте компиляции разница также наличествует. Причем видно, что, в отличие от предыдущего теста, этот больше зависит не от пропускной способности памяти, а от латентности.
Выводы
В первую очередь надо отметить, что высокочастотная память действительно имеет право на существование и вне оверклокерских систем, если пользователь хочет по максимуму раскрыть потенциал процессора, без повышения напряжения и тепловыделения компьютера — и, конечно же, с сохранением надежности и стабильности. Что касается стабильности, то тут можно порекомендовать ограничиться разгоном исключительно за счет множителя, до 2400 МГц. За максимально заявленной частотой комплекта модулей памяти, в таком случае, гнаться нет никакой необходимости. Даже не факт, что модули с большей частотой обнаружат запас (по таймингам) при работе на пониженной частоте, что мы как раз и обнаружили в случае с 2800-мегагерцовым комплектом Kingston.
Из протестированных модулей положительно порадовали модули AData, позволившие превысить рекомендованную частоту при сохранении минимальных таймингов. Corsair Platinum традиционно впечатляют общим техническим уровнем и эффективным радиатором, но они, конечно, вряд ли способны порадовать ценой. Да и четырёхканальность памяти используемой в тестах платформе, строго говоря, нужна как известному сельскохозяйственному животному популярный в народе музыкальный инструмент.
За пять лет эволюции DDR3-памяти вышло уже несколько поколений продуктов, нацеленных на энтузиастов, стремящихся добиться максимальной производительности. Перед тем как приступать к рассмотрению возможностей современных модулей, давайте вспомним, как происходила эта эволюция.
Чтобы было понятно, о чем речь, приведем базовые понятия.
• Частота работы памяти. Измеряется количеством тактов в секунду. Это основная характеристика, определяющая пропускную способность памяти.
• Тайминги. Проще говоря, это задержки, необходимые для выполнения той или иной операции. Формула основных таймингов выглядит как CL-tRCD-tRP-tRAS-Command Rate, где CL (Cas Latency) – минимальное количество тактов между подачей команды на чтение данных и непосредственно началом чтения данных. Если рассмотреть память как двумерный массив, то tRCD (RAS to CAS delay) – это минимальное количество тактов между подачей сигнала на выбор строки и сигнала на выбор столбца. tRP (Row Precharge) — минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. tRAS (Row Active Time) — минимальное время активности строки. Command Rate — минимальное время между подачей двух команд.
Чем выше частота работа памяти и чем ниже значения таймингов, тем производительнее память. Также стоит понять, что задержки измеряются в количестве необходимых для операции тактов, а частота работы есть не что иное, как количество тактов в секунду, т. е. при росте частоты временные значения таймингов уменьшаются. Именно поэтому повышение частоты сопряжено с необходимостью увеличивать значения таймингов.
А теперь о том, какие микросхемы были наиболее популярны в различные временные отрезки.
1. Изначально в продаже появилась память DDR3 на базе микросхем плотностью 512 Мбит, что давало объем 512 Мбайт для односторонних и 1 Гбайт для двусторонних модулей. Это было в 2008 г., и в основном энтузиасты ценили память на базе микросхем Micron D9GTR. Главное, что их отличало, – возможность работать с таймингами вида 6-5-5 при частотах вплоть до 1800 МГц или 7-6-6 при частотах вплоть до 2 ГГц. Кроме того, к особенностям можно отнести линейную зависимость результатов разгона от используемых напряжений, которые поднимались вплоть до значений 2,2--2,3 В. Данные микросхемы отошли на второй план с появлением платформы LGA 1156, где высокие напряжения питания памяти были критичными и могли приводить к деградации процессоров.
3. 2011 г. ознаменовался началом массового выпуска памяти на базе микросхем плотностью 2 Мбит. Наиболее популярными стали модули, имеющие объем 4 Гбайт. Здесь выбор микросхем невелик, наиболее распространенной стала продукция производства Samsung и Hynix. В способностях использовать агрессивные значения таймингов данная память уступает микросхемам плотностью 1 Мбит, но превосходит их в умении работать на высоких частотах. Кроме того, особенностью этой памяти является работоспособность при низких напряжениях. В общем, микросхемы Samsung предпочтительнее в диапазоне частот до 2400 МГц, в то время как на микросхемах Hynix уже встречается память, штатно функционирующая на частоте 2800 МГц. Один из таких комплектов даже будет участвовать в данном тестировании. А еще среди модулей объемом 4 Гбайт следует отметить микросхемы Micron D9PFJ, способные разгоняться на уровне старых D9GTR. Причем для хорошего разгона требуется напряжение питания около 2 В. Также данная память независимо от таймингов «упирается» в частоту 2150--2200 МГц. В настоящее время начинают появляться микросхемы плотностью 4 Мбит, однако они пока не отличаются высоким частотным потенциалом.
В нашем тестировании будут участвовать четыре современных комплекта высокочастотной памяти, а именно два 2-Гбайт Kingmax Hercules Nano DDR3-2400 на базе микросхем Powerchip, два 4-Гбайт G.Skill Trident X DDR3-2400, два 4-Гбайт Corsair Dominator GT DDR3-2133 на основе микросхем Samsung и два 2-Гбайт Kingston HyperX DDR3-2800, построенных на микросхемах Hynix.
Kingston KHX2800C12D3T1K2/4GX
Эта память оснащена высокими радиаторами, и хотя микросхемы расположены лишь с одной стороны модуля, они закрывают модуль с обеих сторон.
Если учитывать холодный характер современной памяти, то такие радиаторы представляют собой, скорее, декоративное решение, способное привести к проблемам совместимости с крупными процессорными охладителями. Используются микросхемы производства Hynix, которые, в отличие от Powerchip, ведут себя куда более предсказуемо и логично. Для наиболее полного раскрытия частотного потенциала памяти на микросхемах Hynix используется формула таймингов вида X (X+2) (X+1), т. е. когда TRCD завышен относительно CL на две единицы, а TRP — на одну. Кроме того, одной из особенностей памяти, основанной на микросхемах Hynix, является слабый отклик на увеличение напряжения питания свыше 1,65 В.
Результаты разгона для микросхем Hynix неплохие, комплект относительно удачный. Об этом свидетельствует возможность работать при таймингах 9-11-10 на частотах вплоть до 2312 МГц. При таймингах вида 12-14-13 и выше ограничивает разгон связка «процессор — системная плата».
Тестовый стенд и методика тестирования
Для изучения частотного потенциала были выбраны платформа AM3+, системная плата Asus M5A99X Evo и процессор AMD FX-8150. Как выяснилось в процессе тестирования, максимальная частота работы памяти, доступная связке «системная плата — процессор», оказалась на уровне 2637 МГц. Это недотягивает до максимальных способностей комплекта Kingston, но все же перекрывает весь диапазон «потребительских» частот, достижимых с процессорами, не подвергающимися селекции.
Проверка частотного потенциала производилась для трех значений напряжения питания: 1,5 В – стандартное значение напряжения питания памяти, установленное спецификациями JEDEC; 1,65 В – значение напряжения большинства «оверклокерских» комплектов памяти; и 1,8 В – значение, близкое к предельно допустимому для современной памяти типа DDR3. В качестве теста стабильности был применен Prime95 в режиме Blend, наиболее быстро выявляющий нестабильность в работе ОЗУ. Проверка на стабильность производилась в течение 5--10 мин.
Методика тестирования
Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой ЦП на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.
Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе - это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например, до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.
При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.
Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). Этот же профиль был использован и для модулей объемом 8 Гбайт. После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:
Единственный тайминг, который был проверен отдельно - Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode.
Все модули проверялись со следующим набором напряжений:
- Номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
- Номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
- Номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).
реклама
Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.
Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.
Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, поскольку ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +25°C.
Использование тестов
Точного способа разогнать оперативную память ddr3 нет. Это связано с тем, что существует огромное количество планок ОЗУ, каждая может отреагировать по-разному на изменение заводских параметров. Именно поэтому выходом из ситуации становится подбор наиболее подходящих настроек при тестировании каждого изменения. Для этого можно использовать специальные программы, которые существенно упрощают поставленные задачи.
При выборе программ для тестирования работы компьютера рекомендуется уделить внимание следующим:
Выделить лучшую программу с двух вышеприведенных сложно, так как каждая имеет свои достоинства и недостатки. Почему именно эти две программы при огромном выборе? Ответ довольно прост — они не только делают мониторинг основных показателей при нагрузке или простое устройства, но и имеют функцию отслеживания стабильности работы многих моделей ОЗУ. Подобным образом снижают вероятность того, что проведенные изменения приведут к потере стабильности работы оперативной памяти.
Corsair CMT8GX3M2B2133C9
Если у Kingston и G.Skill все же имеются высокие радиаторы, то в Corsair пошли еще дальше, обеспечив модули памяти активным охлаждением с омощью
.
Понятно, что пользы от этого никакой (особенно с учетом штатного напряжения памяти в 1,5 В), зато внешний вид модулей самый грозный. К слову, о внешнем виде. На этикетке с характеристиками указана формула таймингов 9-11-9, хотя в XMP-профиле написана формула 9-11-10. Разумеется, при 2133 МГц и 9-11-9 память даже не стартует. Как и в случае с комплектом G.Skill, используются микросхемы Samsung, так что от модулей можно ожидать схожего поведения.
Рабочее напряжение
Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым. Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.
На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.
При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.
Тестовый стенд и ПО
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Итоги
Пока еще пальма первенства в тестах производительности остается за памятью на микросхемах плотностью 1 Мбит. Однако за более высокий частотный потенциал при агрессивных значениях таймингов зачастую приходится расплачиваться непредсказуемостью поведения модулей, а также отсутствием каких-либо универсальных формул таймингов. Полной противоположностью можно назвать память на основе микросхем Samsung и Hynix. Разгонять их несложно, память максимально предсказуема, однако предельные возможности данной памяти все же выше. Если выбирать между Hynix и Samsung, то в большинстве случаев предпочтительнее будет выглядеть память на базе микросхем Samsung, т.е. среди испытуемых комплектов — Corsair и G.Skill.
Оперативная память является важным компонентом компьютера или ноутбука, который частично определяет его быстродействие и возможности. Немногие знают о том, что производительность устройств можно существенно повысить, не прибегая к замене основных элементов. Делается это путем «разгона» установленных микросхем, в том числе и ОЗУ. Процесс разгона отличается от повышения мощности процессора или видеопамяти. Мы расскажем вам, как сделать это правильно, не допуская ошибок.
Тестовый стенд и ПО
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Kingmax FLLE85F-B8KJ9A FEIS
Данный комплект не имеет радиаторов системы охлаждения, однако, по заверениям Kingmax, на микросхемах используется специальное напыление, существенно улучшающее отвод тепла. Верить производителю или нет, вопрос спорный. На мой взгляд, достаточно одного факта – на модулях имеются наклейки с характеристиками, которые перекрывают сразу по три микросхемы. Следовательно, тепло от них не отводится вовсе. Однако микросхемы Powerchip горячим нравом не отличаются, и если не «жарить» их напряжениями 1,8 В+, то и проблем возникать не должно.
Как видно на графике, в комплект Kingmax попали не слишком удачные микросхемы, иначе говоря, просто не повезло. Если оценивать разгон по CL, то показатели в целом неплохие, ведь в итоге с CL7 удалось достичь частоты работы памяти 2360 МГц. В то же время комплект оказался неудачным по значению TRCD и еще более неудачным по значению TRP, что показали результаты при таймингах вида 7-10-8, 7-11-8 и 7-11-9. Интересно отметить, что при таймингах вида 7-11-7 и напряжении питания 1,65 В частота стабильной работы составляет всего 1967 МГц, в то время как Windows можно загрузить и при частоте работы памяти 2400 МГц. Реакция на недостаточное значение TRP проявляется в полной мере. Также показателен режим 7-10-8, демонстрирующий, что память не любит высоких напряжений, когда разгон ограничивается значением TRCD.
Специфика процесса
Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности. Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно — все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.
Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:
- Увеличения показателя тактовой частоты. Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
- Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле. При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.
Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.
G.Skill F3-2400C10D-8GTX
Как и в случае с модулями Kingston, комплект G.Skill, несмотря на низкое тепловыделение микросхем, оснащен высокими радиаторами.
Используются микросхемы Samsung, максимально предсказуемые при разгоне, как и в случае с Hynix. Они имеют оптимальные формулы таймингов. Но, в отличие от Hynix, для микросхем Samsung используется две различные формулы таймингов: X (X+1) (X+1), оптимальные при низких напряжениях, и X (X+2) (X+2), оптимальные при высоких.
Как видно из графика, в диапазоне частот 2000--2500 МГц более предпочтительна память на базе микросхем компании Samsung, нежели на микросхемах Hynix, поскольку она позволяет достигать тех же частот при меньших значениях таймингов, особенно если рассматривать режимы работы с низкими напряжениями. А вот после 2500 МГц память на микросхемах Samsung уже не слишком хороша. Дальнейшее увеличение таймингов не привело бы к значительному росту частотного потенциала, даже если бы разгон не сдерживался используемой платформой. Помимо того, следует отметить наличие запаса по частоте, превышающего 100 МГц, при использовании штатных характеристик (10-12-12, 1,65 В), что является редкостью для «оверклокерской» памяти.
Что следует знать о частоте ОЗУ
Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты. Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.
Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:
Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.
Читайте также: