Обзор ssd samsung 850 evo
Подопытным на обновление накопителя на этот раз оказался ноутбук Asus A53S (i7-2630QM 2GHz, 8GB DDR3, Windows 10) из за того что в нем в по умолчанию поставлялся HDD Hitachi на 640Гб и это было самое слабое звено в цепи характеристик ноутбука так как механическое хоть и совершенное устройство записи в современном мире переваривать очень сложно оно будет априори медленным и тем более установленное в вещь которая может упасть и повредится, при этом вся ваша информация накроется медным тазом вообще в голове не укладывается, было решено его заменить на SSD Samsung 850 EVO так как и по надежности и по скорости претензий из отзывов в интернете не нашел, тем более по тестам он показывает очень приличные характеристики тем более данный накопитель подкрепляется гарантией на срок 5 лет что дает уверенность в его стабильной долговременной работе, не так часто можно встретить такие гарантийные сроки на оборудование. Как и раньше миграцию можно осуществить с помощью Samsung Datа Migration Tool но в данном случае этого не потребовалось так как после установки Windows 10 и до установки всех обновлений есть возможность активировать ее с помощью ключа активации наклеенного на ноутбуке от Windows 7.
Samsung 850 EVO Технические характеристики (2TB)
- Емкость: 120GB, 250GB, 500GB, 1TB, 2TB
- Размеры (ДхШхВ): 100 х 69,85 х 6,8 (мм)
- Интерфейс: SATA 6 Гбит / с (Совместим с SATA 3 Гбит / с и SATA 1,5 Гбит / с)
- Форм-фактор: 2,5 дюйма
- Контроллер: дополнительный контроллер Samsung MHX
- NAND флэш-памяти: Samsung 3D V-памяти NAND MLC 3bit
- DRAM кэш-памяти: 2 Гб
- Представление
- Последовательное чтение: Макс. 540 Мб / с
- Последовательная запись: Макс. 520 Мб / с
- 4KB Random Read (РА.1): Макс. 40000 IOPS
- 4KB Random Write (РА.1): Макс. 98000 IOPS
- 4KB Random Read (QD32): Макс. 90000 IOPS 2TB
- 4KB Random Write (QD32): Макс. 90000 IOPS (120GB / 250GB)
- Активный Чтение / запись (Average): Макс. 3.7W (2TB) / Макс. 4.7W (2TB)
- Idle: Макс. 60mW
- Сон Прибор: 5mW (2TB)
- Рабочая: от 0 ° C до 70 ° C
- Нерабочий: от -40 ° C до 85 ° C
- Нерабочий: 20 ~ 2000Hz, 20G
- Нерабочий: 1500G, длительность 0.5m сек, 3 оси
Глядя на производительность Samsung 850 EVO она смотрится как лучшие предложение в своем классе. Таким образом, модель показала свои мускулы во время синтетических тестов, отправляя впечатляющее 546.53MB / с для чтения и 519.10MB / с запись по результатам проприетарной утилиты Samsung. В тоже время протестированы через программу CrystalDiskMark изменились на доли процента. Эти результаты ставят ssd в ряд лидеров по предложению цена/скорость. Хочу обратить внимание на то как возрасли скорости в режими Rapid MOD на запись.
Если быстро пробежаться по скоростям которые были получены после перехода на SSD Samsung 850 EVO 2.5" 250Gb то вот тест без RAPID MOD:
А вот скорости после включения Rapid MOD:
Не забывайте что при включении режима Rapid Mode оперативная память резервируется для кэширования од ssd диск
Технические характеристики ноутбука на котором производилось тестирование:
Технические характеристики SSD:
Буклет и коробка:
Коробка заклеена на скотч все в порядке.
Все инструкции запечатаны в конверте очень удобно. Только наклейку не доложили.
Хорошо иметь свое производство. А иметь хорошее производство — еще лучше. В Samsung приложили немало усилий, чтобы стать лидером по выпуску всевозможной памяти. На сегодняшний день приличное количество передовых разработок принадлежит именно южнокорейскому производителю. Поэтому изучать новинки Samsung вдвойне интересно. Они как лакмусовая бумажка всего того, что происходит в индустрии. В этот раз знакомимся с накопителями серии 850 EVO — доступными, но быстрыми SSD.
Не так давно на нашем сайте вышел обзор накопителя 950 PRO — это самое быстрое запоминающее устройство на потребительском рынке в 2016 году. Второй в табели о рангах идет линейка 850 PRO с интерфейсом SATA 3.0. И снова южнокорейской компании принадлежит самый быстрый накопитель в своем классе. Серия 850 EVO, — а мы познакомимся сразу с двумя моделями различных форм-факторов — предлагает высокое быстродействие вкупе с небольшой ценой. Такого привлекательного во всех отношениях симбиоза удалось достичь путем перевода TLC-памяти в трехмерное пространство. Технология получила название 3D V-NAND. А еще серьезно увеличилась надежность накопителей.
Samsung 850 EVO
Технические характеристики и особенности конструкции
«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.
Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.
Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.
В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».
Samsung 850 EVO Интерфейс SATA 3.0 M.2 Маркировка модели MZ-75E120BW MZ-75E250BW MZ-75E500BW MZ-75E1T0BW MZ-N5E120BW MZ-N5E250BW MZ-N5E500BW Объем 120 Гбайт 250 Гбайт 500 Гбайт 1 Тбайт 120 Гбайт 250 Гбайт 500 Гбайт Память Samsung, 40 нм, TLC V-NAND, 128 Гбит, 32 слоя Контроллер Samsung MGX Samsung MEX Samsung MGX Буферная память 256 Мбайт LPDDR2-1066 512 Мбайт LPDDR2-1066 1024 Мбайт LPDDR2-1066 512 Мбайт LPDDR3 Максимальная скорость последовательного чтения/записи 540/520 Мбайт/с 540/500 Мбайт/с Максимальная скорость произвольных чтения/записи 94 000/88 000 IOPS 97 000/88 000 IOPS 98 000/90 000 IOPS 97 000/89 000 IOPS Ресурс записи 75 Тбайт 150 Тбайт 75 Тбайт 150 Тбайт Гарантия 5 лет Цена 4600 руб. 8100 руб. 12 400 руб. 24 500 руб. 4800 руб. 7000 руб. 12 500 руб. Купить Есть в линейке 850 EVO и серия под разъем mSATA. Старенький, бесперспективный стандарт, который используется в крошечных компьютерах (например, Intel NUC), ноутбуках и некоторых материнских платах. В современных решениях я его давно не встречал. И все же наличие в продаже этой серии — отличный способ омолодить свою машину.
Характерная черта линейки 850 EVO: отсутствие у накопителей какой-либо сопутствующей комплектации. В картонной коробке, помимо устройства, покоится только краткое руководство пользователя.
Героями нового обзора станут два твердотельных накопителя. Первый – малоизвестный, обладающий традиционным для Toshiba зубодробительным и трудновыговариваемым названием. Второй участник – тоже зубодробительный. Но не за счет названия, оно-то как раз простое (Samsung 850 EVO), а за счет уникальной для рынка аппаратной платформы, использующей флеш-память 3D TLC V-NAND.
Технические характеристики
Сводная таблица спецификаций всех участников данного тестирования.
Тестовый стенд и ПО
Отнюдь не во всех «десктопных» материнских платах реализована поддержка команды DIPM, переводящей накопитель в режим «глубокого сна», в результате чего его энергопотребление падает до крайне низких значений. В относительных величинах разница может впечатлять: до пяти-семи раз, однако в фактическом отношении речь идет о значениях около одного ватта и менее. Последнее для обычного настольного ПК не играет никакой роли.
Но в то же время твердотельные накопители часто ставят в ноутбуки, и вопрос поддержки этой команды в конкретных моделях интересует пользователей во вполне практическом свете: режим DevSleep, в который переходит SSD с активной поддержкой DIPM, позволяет добавить к автономной работе лишних пять-десять минут, что иногда бывает критичным.
В процессе тестирования используются две материнских платы: Gigabyte GA-Z77X-D3H, не поддерживающая DIPM, и Zotac Z77-ITX WiFi (Z77ITX-A-E), где необходимая поддержка реализована. Это оказалось несколько проще, чем искать системную плату с нужными характеристиками «в одном»: тестирование только на одной модели Zotac оказалось нецелесообразно из-за того, что она в ряде тестов (например, на время доступа) демонстрирует несколько более низкий уровень производительности SATA-контроллера, нежели обычные платы на Intel Z77.
А во избежание повреждения процессорного сокета материнской платы (как известно, процессорный разъем типа LGA довольно хрупок и рассчитан на достаточно ограниченное число переустановок ЦП) было решено собрать две практически полноценных тестовых конфигурации: материнские платы прямо в сборе с процессором, оперативной памятью и прочим просто переставляются на стенде по мере необходимости. Общим остался только блок питания – Corsair HX750W мощностью 750 Ватт.
И в довершение удобства ротации тестовых конфигураций даже системные накопители использованы форм-фактора mSATA и установлены в соответствующие посадочные места на материнских платах, благо они предусмотрены на обеих. Также было решено отказаться от громоздких систем охлаждения в пользу компактных, типа Intel BOX. Собственно, на основной тестовой конфигурации (материнская плата Gigabyte) эта система охлаждения и установлена, а вторичной конфигурации (на материнской плате Zotac) достался нашедшийся в моих запасах некий Titan, модель которого благополучно забылась. С учетом минимальной эксплуатации (стенд запускается на считанные минуты) и экономичного процессора проблем с ним не возникает.
Конфигурация №1: тестирование работоспособности DIPM
реклама
- Материнская плата: Zotac Z77-ITX WiFi (Z77ITX-A-E);
- Процессор: Intel Celeron G1610 «Ivy Bridge» 2.6 ГГц (штатный режим);
- Система охлаждения: Titan;
- Термоинтерфейс: Arctic Cooling MX-2;
- Видеокарта: интегрированное в центральный процессор видеоядро Intel HD Graphics 2500;
- Оперативная память: 2 х 2 Гбайт Crucial DDR3-1333 (9-9-9-24), работающая на частоте 1600 МГц с таймингами 9-9-9-24-1T;
- Дисковая подсистема:
- SSD KingSpec mSATA.6i 64 Гбайт (mSATA; JMicron JMF606 + 20 нм MLC 64 Гбит SyncNAND Intel, SVN474) установлен в mSATA2 – для операционной системы и тестовых приложений;
- Испытуемый накопитель подключался к порту SATA 6 Гбит/с на материнской плате, режим AHCI включен;
Конфигурация №2: тестирование производительности
Многие наверняка обратили внимание на то, что в качестве системы охлаждения процессора используется обычная штатная СО. Возможно, это прозвучит неожиданно для некоторых читателей, однако ее вполне хватает для корректного проведения тестов, в ходе которых температура ЦП остается довольно далеко от пороговых значений, при которых срабатывает защита от перегрева («троттлинг»).
Ведь задачей является тестирование накопителей, а не процессора, поэтому нагрузка на него далека от максимальной (пиковые всплески нагрузки крайне непродолжительны) и проблем с перегревом, которые дали бы о себе знать при запуске Prime или LinX, попросту не возникает.
Программное обеспечение:
- Microsoft Windows 7 SP1 x64 со всеми текущими обновлениями;
- Драйверы набора контроллера SATA системной логики:
- Штатный драйвер msahci – для тестирования производительности;
- Intel Chipset Device Software 9.3.0.1026 и штатный драйвер msahci – тестирование работоспособности DIPM;
Глобальные настройки операционной системы:
- Отключены индексация и дефрагментация;
- Не установлен антивирус;
- Отключена служба System Restore;
- Отключен спящий режим, профиль электропитания – «высокая производительность», «отключать диски – никогда»;
- Файл подкачки отключен;
- Создание файловой системы стандартными средствами ОС Windows 7 одним разделом на весь объем носителя, файловая система NTFS, размер кластера – «стандартный», «сжатие файлов» отключено.
В качестве тестового программного обеспечения используются:
- Futuremark PCMark 7 (тестирование только носителя, стандартные настройки);
- AS SSD Benchmark версии 1.7.4739.38088 (тесты Copy-Benchmark ISO, Program и Game);
- CrystalDiskMark (64bit) версии 3.0.1 (стандартные настройки);
- Intel NAS Performance Toolkit 1.7.1 (стандартный набор тестов).
Операции с реальными файлами (все операции – в пределах тестируемого носителя):
- Копирование папки с фотографиями в формате jpeg, размер 1.52 Гбайт (1 634 455 894 байт), 423 файла;
- Копирование папки с HD-видео (AVC), размер папки 10.3 Гбайт (11 085 980 739 байт), 7 файлов;
- Копирование папки с музыкальными аудиозаписями в формате mp3, размер папки 1.51 Гбайт (1 631 352 647 байт), 479 файлов;
- Копирование папки с документами в формате doc, размер папки 1.50 Гбайт (1 614 504 324 байт), 555 файлов;
- Обработка контейнера mkv при помощи программы MKVToolnix 6.1.0 с удалением всех звуковых дорожек и субтитров (в качестве файла использовался доступный в сети короткометражный анимационный фильм Sintel, в виде файла размером 5.11 Гбайт);
- Архивация папки с фотографиями и папки с документами в один архив (архиватор 7Zip версии 9.20 x64, тип архива – 7z, без сжатия).
Для удобства замеров первые четыре операции осуществлялись с помощью утилиты TeraCopy версии 2.27, выдающей статистические данные по окончании процесса операции с файлами. Кроме того, программа не использует системный файловый кэш, отчего скорость копирования не зависит от внутренних настроек операционной системы и более агрессивного кэширования файлов, когда «проводник» Windows отчитался о завершении операции копирования, но на самом деле процесс еще не завершился.
Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт
Компания Toshiba является одним из ведущих производителей флеш-памяти на сегодняшний день – ее продукцию можно встретить под крышкой многих моделей твердотельных накопителей Corsair, Kingston, Seagate, Plextor, Phison и других. При этом у нее есть ассортимент собственных решений, которые ориентированы в основном на корпоративных заказчиков, занимающихся сборкой готовых ПК и промышленного оборудования.
Из чего проистекает совершенно дикая для рядового потребителя система маркировок моделей. К примеру, THNSNH256GBST и THNSNS256GBST: первый основан на контроллере Marvell, а второй – SandForce. Из почти полутора десятков букв в маркировке отличается только одна, а разрыв в реальных потребительских характеристиках очень значителен. А еще есть обозначения вида THNSNH***EZSWA, THNSNH***EZSTA и так далее.
И все это благополучно попадает на прилавки, хотя официально Toshiba поставляет в розницу только две модели – Q Series (старое название – HG5d) и Q Series Pro. И вариантов поставки только два, при этом оба коробочные: базовый, где накопитель упакован в пакет-«дутик», а к нему прилагается несколько буклетов и пластиковая утолщающая рамка, и расширенный PC Upgrade Kit, в который добавлен адаптер SATA-USB, установочный адаптер-переходник 2.5"-3.5", шлейф SATA и прочее.
Взятый на тест накопитель THNSNJ256GCSU является еще одним ОЕМ-продуктом Toshiba без общедоступной информации об использованной аппаратной платформе и характеристиках, но, тем не менее, продающимся в обычных магазинах. Именно такой и попал к нам в лабораторию. Разумеется, без какой-либо упаковки и комплектации.
реклама
Внешний вид устройства можно считать оригинальным фирменным дизайном компании: в розничной продаже больше нет ни одного SSD с аналогичным оформлением. Среди кучи безликих одинаковых корпусов здесь просто бальзам на душу для человека, который не первый год занимается компьютерами, ибо дизайн решений Toshiba напоминает уже давно вышедшие из массового обращения флоппи-приводы. Ностальгия.
На обратной стороне «твердотельника» наклеена этикетка, из которой можно почерпнуть информацию, например, о версии микропрограммы.
Но за этой оригинальностью скрывается не самая радостная картина: Toshiba, обладая мощной инженерной и производственными базами, на сегодняшний день является единственным производителем флеш-памяти, не располагающим собственным контроллером NAND-памяти. Злая ирония: когда-то руководство компании не оценило перспектив флеш-памяти, и Фудзио Масуоке, создавшему ее, пришлось искать спонсоров не в стенах родной лаборатории, а вне оных.
Точно в такой же ситуации Toshiba затем оказалась и с контроллерами. В итоге она и поныне вынуждена довольствоваться сторонними разработками, в роли которых выступают Marvell, JMicron и SandForce. Но подход компании не лишен оригинальности и здесь: лицензируются только документация и сопутствующие патенты. Затем инженеры Toshiba вносят свои доработки, снабжают собственными версиями микропрограмм и выпускают в готовом виде, но исключительно под свои нужды.
Таковым является и рассматриваемый THNSNJ256GCSU объемом 256 Гбайт:
Сопутствующий микросхемам флеш-памяти контроллер несет свою собственную маркировку и лишен внешней микросхемы буферной памяти DRAM. Тем не менее, перед нами контроллер Marvell.
Еще одной доработкой инженеров Toshiba стало то, что контроллер и память работают в двух режимах: быстром и медленном. Суть первого заключается в том, что данные на накопителе пишутся по одному биту в каждую ячейку (его иногда называют режимом «псевдо-SLC») с увеличенной скоростью до того момента, пока не будет исчерпана половина свободного места. После чего диск резко переключается в обычный режим, попутно начиная приводить в порядок те ячейки, куда была записана информация в «ускоренном» режиме.
Быстрый режим записи всегда лимитирован лишь объемом свободного пользовательского пространства. К примеру, если на накопителе свободно 30 Гбайт, то 15 будут записаны именно в первом режиме. Нужно понимать, что такой эффект проявляется только при непрерывной записи данных. Поэтому в обычном пользовательском режиме объем записываемых «одной большой порцией» данных редко превышает даже один гигабайт, переключение в медленный режим происходить попросту не будет, а саморасчистка будет выполняться в фоновом режиме, незаметно для пользователя.
В кои-то веки Toshiba, наконец, выпустила собственное программное обеспечение для обслуживания ее накопителей. Хотя функциональность этого программного пакета оставляет желать лучшего.
реклама
Интерфейс – только англоязычный, встроенная справка – в отдельном файле pdf, функция обновления микропрограммы контроллера отсутствует. Пользователь может выделить дополнительное место для повышения быстродействия (Overprovising), выполнить очистку накопителя (Secure Erase) и просмотреть SMART. Доступно создание загрузочного флеш-накопителя – также для выполнения Secure Erase.
Но при этом объем установочного файла данного программного пакета составляет аж 401 Мбайт (желающие могут убедиться лично).
Вступление
Героями нового обзора станут два твердотельных накопителя. Первый – малоизвестный, обладающий традиционным для Toshiba зубодробительным и трудновыговариваемым названием. Второй участник – тоже зубодробительный. Но не за счет названия, оно-то как раз простое (Samsung 850 EVO), а за счет уникальной для рынка аппаратной платформы, использующей флеш-память 3D TLC V-NAND.
реклама
Итак, благодаря нашему партнеру – компании Регард, перед вами обзор двух SSD объемом 240-256 Гбайт: Toshiba THNSNJ256GCSU и Samsung 850 EVO.
Тестирование производительности
Тяжка судьба обозревателя, занятого серийным тестированием моделей SSD. Но не менее тяжела она у того, кто интересуется твердотельными накопителями на серьезной основе, а не по принципу «Ага, бренд! Заверните два!». Проблема заключается в том, что производители, пользуясь невысоким уровнем знаний некоторых пользователей, а также тем, что корпуса накопителей непрозрачные и опломбированы, могут под крышку своего продукта помещать что угодно. Да, сначала идет самое лучшее, затем же, когда пройдет волна обзоров и наберется некоторая масса положительных отзывов, в ход начинает идти что-то более дешевое. А иногда одна и та же модель изначально идет в различных вариациях. Кому-то из пользователей это без разницы, а кого-то – интересует вопрос, за что же он уплатил деньги?
Кто-то начинает тестировать свежекупленное устройство и затем сравнивать полученные результаты с теми, что он видит в обзорах. И могут возникать вполне закономерные вопросы: «А почему мой SSD показывает меньший/больший уровень производительности, чем в обзоре?» Да, причина разницы может крыться и в некорректно настроенном ПК (например, в фоне работают приложения вроде антивируса), не совсем удачном микрокоде BIOS материнской платы (пример выше – тестовая плата Zotac) и изначально невысоком уровне производительности системы. Например, контроллер SATA 6 Гбит/с в наборах системной логики AMD даже в самых новых A88X и A78 ненамного, но слабее, чем в уже не самом «свежем» Intel Z77.
А тут еще и игры производителей с начинкой твердотельных накопителей. Особенно вопрос разности устройства касается платформы SandForce: особенность ее такова, что в ней нет одной-двух-трех (и так далее, то есть ограниченного числа) конфигураций контроллера и флеш-памяти. Общее число конфигураций у этой платформы на сегодняшний день таково, что их нумерация уже преодолела значение в 33000 (не опечатка, именно тридцать три тысячи). Как правило, бренды стараются внутри одной модели использовать наиболее близкие по производительности конфигурации, однако так бывает не всегда. Иногда случаются и казусы, как в прошлом обзоре.
Разберем обновленные графики на примере. На данном графике присутствуют два Silicon Power S60 и два Silicon Power S70, а также формально они же, но в более толстом 9 мм корпусе V60 и V70. Вот здесь уже можно видеть наглядную разницу в их производительности.
В скобках указывается:
- Контроллер;
- Техпроцесс, режим работы памяти и ее производитель (в том случае, если производитель один, а упаковщик другой, то указывается «упаковщик/производитель», например, «Spectek/Micron»);
- Идентификатор конфигурации памяти и контроллера (актуально для SandForce);
- Версия микропрограммы, с которой проводилось тестирование.
В случае если какие-то данные отсутствуют или есть сомнения в достоверности (например, непонятен упаковщик микросхем памяти), стоит знак вопроса («?»). Это значит, что они мною не были зафиксированы или же были утеряны. В основном это касается идентификаторов SandForce – даже не предполагалось, что накопленная статистика постепенно разрастется до масштабов нескольких сотен моделей. И данные эти мы уже никогда не узнаем, ибо выловить ту же конфигурацию сложно, а спустя год-полтора – и вовсе невозможно.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Память 3D V-NAND была представлена вместе с high-end накопителями Samsung SSD 850 PRO, позднее память нашла применение и в линейке Samsung SSD 850 EVO для массового рынка. Новая версия 850 EVO была названа Samsung 850 EVO "v3", цифра здесь как раз означает третье поколение памяти 3D. В результате линейка 850 EVO существует в двух версиях. Кроме того, новая 3D-память нашла применение еще в одном накопителе Samsung, а именно Samsung Portable SSD T3 – он предоставляет емкость до 2 Тбайт в очень компактном формате.
Корпус Samsung SSD 850 EVO v3 не изменился
Идею 3D-памяти можно объяснить довольно просто: ячейки памяти 2D, как можно догадаться по названию, планарные, тот есть располагаются в одной плоскости. И если вы хотите увеличить количество ячеек, то придется идти на увеличение площади кристалла. Кристаллы большой площади производить намного дороже, поэтому 2D-память уперлась в порог своего роста. И кроме дальнейшего уменьшения техпроцесса увеличить плотность расположения ячеек не представляется возможным. С уменьшением техпроцесса не все так просто, поскольку сказываются физические ограничения. В случае 3D-памяти ячейку памяти можно представить в виде цилиндра. И данные цилиндры могут устанавливаться друг на друга в несколько слоев.
Разница в структуре памяти 2D и 3D. (источник: Samsung)
Цилиндры устанавливаются друг на друга, что позволяет памяти «расти» в высоту, хотя основание остается прежним. Такой способ позволяет существенно увеличить плотность хранения данных. После оригинальной версии 3D-памяти в SSD 850 PRO, в накопителе Samsung SSD 850 EVO использовался вариант с 32 слоями и 3-битными ячейками (TLC).
В новой версии Samsung SSD 850 EVO число слоев было увеличено на 50% до 48. Ячейки по-прежнему хранят три бита информации. На практике плотность хранения данных увеличивается меньше теоретического уровня 50%, поскольку часть площади чипа уходит на схемы управления памятью. В 2017 году Samsung планирует увеличить число слоев до 100, что позволит выпускать SSD в 2,5-дюймовом формате емкостью в несколько терабайт. Нынешний уровень 48 слоев достаточен для емкости 4 Тбайт, такую модель Samsung планирует выпустить во втором квартале 2016. Накопитель 850 EVO емкостью 1 Тбайт доступен еще с февраля, вариант 850 EVO на 2 Тбайт появится одновременно с 4-Тбайт версией 850 EVO.
С 2000 года Samsung производит память DRAM и NAND на заводе в Хвасоне (Южная Корея)
Кроме памяти в вариантах на 250 и 500 Гбайт никаких изменений не произойдет. Но в 1-Тбайт версии контроллер MEX уступит место варианту MGX. В результате во всех моделях будет использоваться одинаковый контроллер. То же самое касается кэша DRAM, в 1-Тбайт модели ранее использовалась память LPDDR2, с переходом на новую память NAND кэш перейдет на LPDDR3, как у остальных моделей. По расчетным объемам записываемых данных изменений не произошло. Для емкости 250 Гбайт мы по-прежнему получаем 75 Тбайт TBW, для 500 Гбайт и 1 Тбайт – 150 Тбайт TBW.
Слева направо: 250 Гбайт, 500 Гбайт, 1 Тбайт. Сверху новые версии, снизу - старые
Существенный прирост производительности SSD получают из-за одновременного обращения к нескольким чипам памяти параллельно: в потребительском сегменте обычно используется от четырех до восьми каналов, в корпоративных SSD – до десяти каналов, по которым контроллер работает с флэш-памятью. Увеличение плотности хранения данных, как в случае Samsung SSD 850 EVO v3, приводит к уменьшению числа чипов памяти. Возможно, по этой причине Samsung не захотела обновлять 120-Гбайт версию 850 EVO, которая по-прежнему опирается на память NAND с 32 слоями.
Как можно видеть на фотографиях, емкость 250 Гбайт теперь достигается всего одним чипом, хотя раньше их требовалось два. Даже у 500-Гбайт накопителя число чипов памяти уменьшилось в два раза, с четырех до двух. То же самое касается и 1-Тбайт версии, здесь удалось уменьшить размер печатной платы.
Слева направо: 250 Гбайт, 500 Гбайт, 1 Тбайт. Сверху новые версии, снизу - старые
Чтобы увеличить производительность на небольшой период времени, многие производители опираются на кэш псевдо-SLC. Samsung называет этот кэш Turbo Write, его емкость зависит от емкости накопителя. Накопители на 120 и 250 Гбайт используют 3 Гбайт кэша, 500-Гбайт модель получает уже шесть гигабайт, а накопитель на 1 Тбайт – 12 Гбайт. Кэш ускоряет операции записи, поскольку память в режиме SLC записывается гораздо быстрее. Ниже мы протестировали влияние кэша Turbo Write: в первой колонке мы проводили последовательную запись на накопитель в течение пяти секунд, измеряя скорость. Во второй колонке мы увеличили время записи до 60 секунд, но скорость мы измеряли на протяжении последних пяти секунд.
Влияние кэша TurboWrite
С кэшем Без кэша Емкость 250 GB 1 TB 250 GB 1 TB Последовательная скорость записи (Мбайт/с) 465,45 465,11 319,57 465,21 В случае 1-Тбайт накопителя кэш Turbo Write не успевал заполниться, поэтому скорость оставалась прежней. Но у 250-Гбайт SSD скорость после заполнения кэша Turbo Write снизилась примерно на 30%.
Изощренный тест Samsung 850 EVO
В микропрограмме Samsung 840 EVO и 850 EVO заложено несколько различных алгоритмов кэширования. Возникает один интересный в своей сути вопрос: а каково их влияние на практическую сторону жизни? Посмотрим на 850 EVO подробнее.
На самом деле все довольно просто: все так называемые бенчмарки работают по очень простой схеме «записал и тут же прочитал». Если говорить более понятно, то любое приложение, производящее тесты, создает какие-то свои файлы и затем с ними работает. Поэтому фактически может случиться так, что мы, запустив, тест, получим не реальные рабочие показатели, а скорости буфера, которые, естественно, выше.
реклама
К сожалению, я не обладаю достойным уровнем знаний в редактировании программного кода, поэтому мне пришлось обратиться за помощью к одному из опытных участников конференции, который и помог найти решение. А сам эксперимент ставился на известном бесплатном приложении Crystal Disk Mark, которое выложено его разработчиком не только в виде скомпилированных файлов .exe, но и в виде исходных кодов, которые можно изменять по своему усмотрению.
Итак, для начала мы запустим оригинальный Crystal Disk Mark и посмотрим на то, что он нам выдаст. Стандартные настройки: пять проходов по 1000 Мбайт каждый.
Великолепные цифры, не правда ли? Как на линейных чтении и записи, так и на случайных операциях с мелкими блоками. Почти 47 Мбайт/с на случайном чтении – подобное не может выдать ни один розничный SSD-накопитель (кстати говоря, даже 850 Pro показывает только 37-38 Мбайт/с). Перед нами истинный бестселлер всех времен и народов?
Подозрение в том, что на деле что-то не так, возникает, когда мы наращиваем размер тестового паттерна до 4000 Мбайт.
Уже 41 Мбайт/с – сразу отминусовалось 13 процентов. Нет, результат очень хороший, но уже отнюдь не уникальный: даже накопители на базе считающегося среди обычных пользователей медленным контроллера SandForce SF-2281 способны выдавать схожие показатели на чтении. Не все модели, конечно, а лишь некоторые. Но способны.
Почему так происходит? Очевидно потому что увеличенный до 4000 Мбайт тестовый паттерн (который физически представляет собой одиночный файл, внутри которого и происходят все операции) перестает помещаться в буфер контроллера. Но все же часть его туда влезает и влияет на средние показатели, поэтому полученные результаты не совсем корректны с точки зрения «честности» измерения. Таким образом, наша задача формулируется достаточно просто: нужно, чтобы Crystal Disk Mark производил замеры чтения не сразу после того, как тестовый файл был создан, а через некоторое время и после дополнительных нагрузок на накопитель, чтобы буфер был заполнен другими данными. Именно так мы добьемся условий, максимально приближенных к реальным.
Моим добровольным помощником (который просил не называть его) был взят исходный код Crystal Disk Mark и в него были внесены изменения таким образом, чтобы соответствовать нашей задаче, которая описана выше. И новый алгоритм таков:
- Создается файл, с которым будет производиться последующий тест;
- После создания файла программа останавливается и ждет заданный интервал (я решил, что минуты будет достаточно);
- На накопитель пишется еще один заданный объем данных, который играет роль «мусора», забивающего внутренний буфер (повторюсь: если он есть);
- Снова ожидание в одну минуту;
- Запускается тест.
И таким образом – для каждого из тестов (и на чтение, и на запись).
реклама
В итоге мы должны получить значения скоростей, значительно более близкие к реальности, нежели при запуске базовой версии Crystal Disk Mark. Наша модифицированная версия при идентичных оригинальной версии Crystal Disk Mark настройках выдает те же показатели, а вот дальше…
И надо сказать, результаты по операциям случайного чтения одиночными блоками 4 Кбайт значительно отличаются от тех, что наблюдались ранее. Причем дополнительное ужесточение условий теста не приводит к каким-либо серьезным изменениям. Другие значения остаются практически неизменными. И это объяснимо: «бутылочным горлышком» здесь является контроллер накопителя и интерфейс SATA 6 Гбит/с – сам массив флеш-памяти вполне способен на большее (типичной иллюстрацией могут быть, к примеру, Plextor M6e и Plextor M5 Pro, которые, основываясь на одной и той же памяти, обеспечивают разные скоростные показатели).
Таким образом, можно сделать следующий вывод: без оптимизаций не обошлось и буфер действительно существует. Он влияет на показатели, но значение его должно быть не слишком значительно. Хотя более точно мы это проверить не сможем, из-за закрытости или сложности (нецелесообразности) правки исходного кода других тестов.
Поэтому тестирование 850 EVO будет проходить по стандартной методике, но при рассмотрении результатов стоит помнить, что в реальной жизни показатели будут несколько ниже.
Оглавление
Участники тестирования
Представим наших новых участников:
- Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт . Примерная цена в московской рознице – около 9 100 рублей; . Примерная цена в московской рознице – около 9 500 рублей.
Цены указаны на момент написания данного материала.
Samsung 850 EVO 250 Гбайт (MZ-75E250BW)
А вот Samsung отнеслась к разработкам продукции на основе флеш-памяти более серьезно и на данный момент является единственным производителем, который может изготовить твердотельный накопитель исключительно собственными силами, благо располагает собственным производством флеш-памяти, контроллеров, DRAM-памяти и всего остального.
Летом прошлого года компания замахнулась на звание безусловного технологического лидера в производстве твердотельных накопителей и представила линейку 850 Pro. А затем в декабре последовал выход 850 EVO.
Накопитель поставляется в относительно некрупной коробке белого цвета.
А вот взгляд на содержимое коробки заставит улыбнуться.
Если два буклета (на снимке в самом низу, под гарантийной карточкой) отпечатаны типографским способом, то все остальное – черно-белый лазерный принтер. Да еще и вырезано, судя по всему, ножницами. Привет 1990-м!
Помимо такого подхода, который, надеюсь, в дальнейшем все же сменится нормальной полиграфией, в комплекте прилагается компакт-диск с фирменным ПО Samsung Magician. Кстати, можно отметить исчезновение из комплекта наклеек с логотипом Samsung на системный блок.
Перед нами привычный металлический корпус с глянцевым покрытием под гласасфальт со скосами на гранях. Если 840 EVO был светлым, то здесь – темный, почти черный тон.
С обратной стороны наклеена информационная наклейка, из которой можно почерпнуть лишь общую информацию о модели, прочей полезной информации об устройстве нет. Даже версия микропрограммы, зашитой на заводе, здесь не указана (хотя на нерозничных моделях Samsung это делает).
Винты, скрепляющие дно и крышку, как это повелось еще в 840-м семействе, свободны лишь частично, а частично скрыты под этикеткой. Однако само число винтов сократилось до двух.
Под крышкой скрывается контроллер Samsung MGX и TLC 3D V-NAND, работающая в режиме Toggle Mode и выполненная с соблюдением норм 40 нм техпроцесса, сам контроллер сопровождается микросхемой буферной памяти LPDDR2-1066 объемом 512 Мбайт.
TLC – эта аббревиатура стала очередной страшилкой для пользователей, однако нужно учитывать, что в данном случае используется довольно «крупный» 40 нм техпроцесс, поэтому ресурс, по крайней мере, в теории должен быть выше, нежели у 840 EVO.
Никуда не делась и фирменная технология, получившая название TurboWrite – все тот же режим «псевдо-SLC», о котором говорилось выше. Но за исключением одной особенности: здесь объем данных, который может быть записан в таком режиме, четко фиксирован в зависимости от объема – равно как и у 840 EVO.
Мало того, здесь присутствует даже некоторое ухудшение: если у 840 EVO размер этого буфера составлял от 9 Гбайт у SSD объемом 120 и 250 Гбайт до 36 Гбайт у SSD объемом 1 Тбайт, то у 850 EVO всего лишь 3 (у моделей на 120 и 250 Гбайт), 6 (модель на 500 Гбайт) и 12 Гбайт (у терабайтной модели). Соответственно, лишь в пределах от 3 до 12 Гбайт запись данных будет происходить быстро. Затем скорость резко падает. Однако достаточно убрать нагрузку и дать накопителю «передышку» буквально на несколько секунд, как режим ускоренной записи снова включится.
Также сохранилась поддержка технологии кэширования Rapid Mode, когда данные сохраняются сначала в специальный буфер в оперативной памяти (помимо буфера в самом накопителе) и только затем уже передаются по интерфейсу SATA. Мы его уже как-то рассматривали, повторяться особо нет смысла, поскольку никаких принципиальных изменений здесь не произошло.
Samsung 850 EVO прекрасно работает с фирменным приложением Samsung Magician.
Пользователю доступен просмотр характеристик устройства (можно проверить оригинальность накопителя Samsung) и его состояния (износ и SMART).
Программа сопровождается встроенной справочной системой, переведенной на различные языки, в том числе и русский.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Героями нового обзора станут два твердотельных накопителя. Первый – малоизвестный, обладающий традиционным для Toshiba зубодробительным и трудновыговариваемым названием. Второй участник – тоже зубодробительный. Но не за счет названия, оно-то как раз простое (Samsung 850 EVO), а за счет уникальной для рынка аппаратной платформы, использующей флеш-память 3D TLC V-NAND.
Читайте также: