Разгон оперативной памяти ddr2 800 до 1066
Теория показаний мультиметра и частот чипов памяти на примере чипов DDR2, а также показания не рабочих чипов.
Начало серии статей о ддр2 памяти.
Binned Chips DDR2: отбор чипов памяти под разгон - предыстория
Binned Chips DDR2: отбор чипов памяти под разгон - теория ddr2 667
В этой части просмотрим все показания чипов которые я считаю PC6400.
В таблицах будет кружки разноцветные, где номера чипов, это попытка собрать 3-4 планки с похожими близко значениями сигнала DQ.
Жёлтый ниже 1200 по возможности, если не выйдет, то первую половину планки собираю на тех что ниже 1200, вторую половину те что останутся ближе к 1200.
Синий ближе к 1300 это легче думаю.
Салатовый выше 1300 думаю тоже проблем не будет.
реклама
Patriot
Чипы с маркировкой Patriot, а вот производство я буду называть то которое привыкли с 2007 года. В данном случае производство Powerchip (PSC-X)
И так все чипы как заметно отличаются снижением цифр от основной части чипов 667, особенно первая строка сразу видна, там было 1000 - 1200 и 500-530. Тут 850 и 260. А также видно, что уже нет ни каких Диапазонов значений как были там, картина такая как у KingMax за исключением там цифры другие.
И так все 15 чипов имеют практически +- копейки все строки идентичные, кроме DQ двух чипов, это 7 и 3. По моим предположениям это лучшие чипы из данных 15, но так как чип 3 имеет провал на сигнале /CK, его нельзя отнести к лучшим.
Patriot
Чипы с маркировкой Patriot, Powerchip (PSC-X). 8 чипов идентичны первым, самое близкое значение по DQ имеют 5, 7 и 1 чипы. Их я также откладываю в сторону, а также второй чип для той что выше 1300 по значению.
Patriot
Чипы с маркировкой Patriot, Powerchip (PSC-X) и PSC-T. Сборная солянка из 9 чипов, только один чип пригодится.
Patriot
Чипа с маркировкой Patriot, Powerchip (PSC-T). Сразу 9 чипов идут на самую медленную память (предположительно).
реклама
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec эти уже 100% имеют знаки, что это Elpida rev.G, вертикальные чёрточки в точке толще и буква E в коде. Но по показаниям они потрёпанные. Красным не означает, что они не рабочие, в 667 и не такие были, просто явно эти красным отмеченные не являются хорошим вариантом для нормальной памяти. Отличный тут 6 чип и крайний справа, а также 8 чип пойдёт для другой планки.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec, Powerchip (PSC-T). 3 чипа пойдут для памяти со значениями выше 1300.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec явно опять Elpida rev.G, два чипа пойдут для памяти до 1300 включительно.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec, если содрать краску, то видна надпись TwinMos, думается Elpida rev.H. Забегу в перёд, мне не хватило 3ёх чипов, чтоб собрать планку до 1200, поэтому я включил 3 чипа с этой планки (у меня нашлось ещё несколько планок, скорей всего я чипы сниму, если там попадутся ниже 1200, обязательно эти заменю)
реклама
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec явно Elpida rev.G, только один чип, для памяти ниже 1300.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec, производитель Elpida или Powerchip (PSC). Подходит второй чип и пара чипов для другой планки.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec в корпусе как производила Elpida, скорей всего она и есть только почему с буквы U начинается не знаю.
У них корпуса другие, я могу конечно их вклинить к тем, но не хочется, из этих чипов я соберу четвёртую планку, со значениями 1200 - 1225.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec такие же, как и выше скорей всего Elpida.
реклама
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec их всего три и два из них пригодятся.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec явно Elpida rev.G, все кроме пятого пойдут в дело.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec, Powerchip (PSC-T), 6 чипов для памяти близко к 1300 включительно.
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec уже точно Elpida rev.G
M.tec
Чипы с маркировкой M.tec, как и выше Elpida rev.G
Patriot
Чипы с маркировкой Patriot, Elpida rev.G, видавшая виды, кажется это деградация, хотя 3WC в маркировке говорит что она и так должна быть по хуже 2.5. С другой стороны выше было много 30, которые ни чем от 25 не отличались.
Hynix
Чипы с маркировкой Hynix, тут просто для примера, они и в 667 отличались цифрами от остальных, от 667 практически ни чем не отличаются, только то что VDDL не заведён на VDD и также VSSDL, хотя два чипа другой партии имеют или обрыв или так и нужно. Также сигналы DQ и A всё-таки на много лучше выглядят.
Samsung
Чипы Samsung также просто для примера, показания отличаются от всех.
NCP
Чипы с маркировкой NCP, по виду Elpida rev.J
Ни чего не напоминает из первой части статей об отборе чипов?
Как жаль что их всего 12 штук, но сделаю пол планки для эксперимента. Хотя у меня потерялось где-то 16 чипов с той планки OCZ, я помню что одну планку я напаял, а 16 чипов посадил шарики на чипы и отложил, для поисков нормальной PCB для неё, сравнить результат хорошие чипы на обычной планке и хорошие чипы на планке из 8 слоёв. Если обнаружу их то, выберу из них 4 штуки и дополню ими эту NCP.
Некоторые выводы из обеих теорий. Память PC6400 в 95% не имеет ни каких огромных диапазонов значений на сигналах A, а если и есть такое, то явно это что-то выходящее за пределы нормы. Hynix, Samsung явно производят память по своей технологии и она не совместима в большей степени с остальной, а судя по Hynix то некоторые партии и друг с другом не совсем совместимы, я про сигналы VDDL и VSSDL. Хотя возможно это были просто бракованные чипы, которые трудолюбивые Китайцы бережно посадили на планки и продали её.
Общий фон значений у 6400 ниже чем у 5300, сигналы DQ у общего количества чипов колеблются от 1150 до 1330, у 5300 самое меньшее было 1300.
Итог:
Есть чипы для планки, где показания 1280 - 1300
Есть чипы с корпусом Elpida, где показания до и чуть выше 1200.
Есть 12 чипов идентичных OCZ PC9600 сделаю или пол планки, а если найду те OCZ то тогда целую.
Есть 13 чипов со значением ниже 1200 или равное ему, придётся делать половину из них, а на вторую половину ставить 5 чипов + 3 чипа где выше 1200. И проверять её на разгон как 512Мб, а после как 1024.
И есть 16 чипов со значением выше 1300.
Вот этим я и буду заниматься.
Следующая статья наверное через месяц будет, о том как паять BGA чипы, некоторые нюансы и так далее, не уверен насчёт видео, нет рук свободных да и штатива и света, может что и будет.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим первое предложение максимальной неофициальной скоростной категории DDR2-1066 (PC2-8500) двухканальный комплект модулей памяти Corsair XMS2-8500, являющихся логическим продолжением высокоскоростных решений серии XMS2, предыдущее из которых было представлено ранее исследованными нами модулями XMS2-8000UL класса «DDR2-1000». Справедливости ради следует заметить, что предложения класса «DDR2-1066» (например, от компании A-DATA) номинально известны уже где-то с середины прошлого года, тем не менее, рассматриваемые в настоящей статье модули являются первым предложением на рынке, реально способным функционировать в неофициальном режиме DDR2-1066, т.е. при частоте шины памяти 533 МГц.Информация о производителе модуля
Хочешь больше полезной информации про компьютерные железки?
Замечательно! Тогда, дорогой друг, подписывайся на канал в Дзене и подписывайся на канал на Ютюбе !
В этой статье мы разберем что такое оперативная память , каких типов она бывает и как разогнать ОЗУ не спалив свой компьютер.
В одной из предыдущих статей мы уже останавливались на теме разгона компьютерных комплектующих. Вы можете ознакомиться с ней здесь . Тем не менее, один из элементов аппаратного обеспечения требует гораздо большего внимания и был оставлен на будущее, для детального рассмотрения. Этим элементом является оперативная память или, сокращенно, ОЗУ.
Разгоняя, например, GPU (графический процессор) вы можете столкнуться с негативными последствиями только в случае критического повышения частот. И даже в этом случае компьютер скорее зависнет и потребует перезагрузки со сбросом изменений, чем позволит карте сгореть. Однако ситуация с ОЗУ несколько иная. Если вы хоть немного превысите допустимый порог частот, компьютер просто перестанет включаться. И для исправления полученного результата может понадобиться полный сброс BIOS. Поэтому мы решили рассмотреть оперативную память отдельно и помочь вам разогнать ее без каких либо негативных последствий.
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 серии XMS2 на сайте производителя отсутствует. В брошюре модулей TWIN2X1024-8500 указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый (самим по себе модулям присвоен Part Number CM2X512-8500), основанных на 8 микросхемах 64M x8. Производитель на 100% гарантирует функционирование модулей в максимально скоростном (пока что неофициальном) режиме DDR2-1066 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении 2.2 В, однако в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию прописан максимальный стандартный режим DDR2-800 с таймингами 5-5-5-15.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0404 от 03/22/2006
- Память: 2x512 МБ Corsair XMS2-8500 (DDR2-1066, PC2-8500)
Что такое оперативная память (ОЗУ)
Оперативная память (RAM или ОЗУ) является одним из важнейших компонентов не только для настольных ПК и ноутбуков, но и для таких девайсов как смартфоны и приставки. Без нее скорость работы устройств была бы существенно ниже. Однако даже если она установлена на вашем ПК, в случае нехватки имеющегося объема приложения все равно будут работать с крайне низкой производительностью.
Но что же такое ОЗУ? Не вдаваясь глубоко в техническую терминологию, это просто очень быстрый тип компьютерной памяти. Ее задача заключается во временном хранении информации, которая может потребоваться вашему ПК для работы как сейчас, так и в ближайшем будущем. Как только необходимость в хранении данных пропадает, ОЗУ автоматически очищается. Такой тип хранения информации сильно отличается от того, который мы привыкли наблюдать в случае с жесткими дисками.
Типы оперативной памяти
RAM (в этой главе мы будем отталкиваться от англоязычной терминологии) — это весьма популярное название оперативной памяти. Тем не менее, оно обобщенное и мы сходу можем привести целых два подтипа RAM: DRAM (динамическая память с произвольным доступом) и SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом). Каждый из этих подтипов взаимозаменяем, однако полезно будет знать и некоторые тонкости о них.
Наиболее распространенным типом памяти в 2019 году является DDR4. Иногда можно найти и устаревшие DDR2, DDR3, однако слоты, готовые работать с такой ОЗУ, уже выходят из применения. Эти типы можно назвать поколениями оперативной памяти. Пользователи, которые следят за миром IT-технологий, должны были заметить тенденцию — каждое новое поколение ОЗУ имеет более высокие показатели в частоте работы (МГц). Кроме того, как мы уже сказали выше, используя материнскую плату со слотом DDR3, вы не сможете подключить к ней чипсет оперативной памяти поколения DDR4.
Другой популярный термин в среде оперативной памяти — VRAM (видеопамять). Сегодня она используется для идентификации памяти, доступной для графического чипа. Несмотря на то, что большинство видеокарт имеют встроенную память для обработки графики, ОЗУ по прежнему поддерживает свою собственную видеопамять. Полное название VRAM — Graphics DDR SDRAM, или сокращенно GDDR SDRAM. Большинство современных видеокарт используют тип памяти GDDR5, хотя на рынке вы уже вполне можете найти новое поколение памяти для GeForce RTX — GDDR6.
Фото модуля памяти
Тесты производительности
Начиная с данного исследования, мы переходим на использование новой версии тестового пакета RMMA 3.65, в которой был увеличен максимальный размер выделяемого блока памяти и, соответственно, поменялись параметры большинства подтестов, используемых по умолчанию. В частности, размеры блока памяти в подтестах, применяемых для исследования характеристик подсистемы памяти, возросли до 32 МБ, что позволяет существенно уменьшить влияние большого объема L2-кэша (2 МБ), довольно часто встречающегося в современных процессорах класса Pentium 4/Pentium D. В связи с этим, приведенные ниже характеристики гораздо более достоверно отражают реальные значения пропускной способности подсистемы памяти и не могут быть сопоставлены количественно с характеристиками, приводимыми в более ранних исследованиях.
Как обычно, в первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование осуществлялось в трех скоростных режимах DDR2-667 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 1.67 и 1.25, соответственно), DDR2-800 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 2.0 и 1.5) и в неофициальном режиме «DDR2-1066» при частоте системной шины 266 МГц и максимально возможном (для чипсета Intel 975X) множителе памяти 2.0.
Для режима DDR2-667 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-15 («наугад», т.к. данный режим не прописан в SPD модулей), для режима DDR2-800 схему 5-5-5-18 (в строгом соответствии с данными SPD) и, наконец, для максимального скоростного режима DDR2-1066 схему 5-6-6-18. Как показывает практика, это наименее скоростная схема, которую способна выставлять по умолчанию материнская плата ASUS P5WD2-E, применяемая нами в тестах высокоскоростных модулей.
Параметр / Режим | DDR2-667 | DDR2-800 | DDR2-1066 | ||
---|---|---|---|---|---|
Частота FSB, МГц | 200 | 266 | 200 | 266 | 266 |
Тайминги | 5-5-5-15 | 5-5-5-15 | 5-5-5-18 | 5-5-5-18 | 5-6-6-18 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5382 | 6396 | 5614 | 6878 | 7394 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2001 | 2163 | 2175 | 2415 | 2861 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6468 | 8148 | 6530 | 8527 | 8669 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5668 | 4279 | 5685 | 5697 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 56.7 | 50.1 | 52.7 | 45.7 | 39.7 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 66.2 | 57.4 | 61.9 | 53.2 | 46.9 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 118.4 | 105.2 | 105.7 | 95.4 | 84.1 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 143.4 | 123.1 | 130.5 | 114.8 | 102.4 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 87.1 | 77.9 | 80.6 | 70.7 | 60.6 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 114.1 | 97.2 | 106.9 | 91.0 | 80.5 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 119.2 | 105.9 | 106.1 | 95.9 | 84.3 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 145.5 | 124.7 | 133.4 | 116.0 | 103.2 |
Скоростные показатели модулей выглядят весьма неплохо максимальные значения ПСП в официальных режимах составляют примерно 6.4-6.5 ГБ/с и 8.2-8.7 ГБ/с при частоте FSB 200 и 266 МГц, соответственно, т.е. практически равны максимальной теоретической ПС 200-МГц и 266-МГц процессорной шины, соответственно (ее некоторое превышение, связанное с влиянием 2-МБ L2-кэша, способного «покрыть» 2МБ/32МБ * 100% = 6.25% обращений к памяти, все же имеет место быть). Заметим, что максимальная реальная ПСП на чтение, как в случае 200-МГц, так и 266-МГц FSB, ощутимо возрастает при переходе от наименее скоростного режима DDR2-667 к максимально скоростному DDR2-1066.
По задержкам модули также не уступают предыдущим высокоскоростным решениям от Corsair и аналогам от других производителей. Одновременно с указанным выше увеличением ПСП, использование как более скоростных режимов (переход от DDR2-667 к DDR2-800 и DDR2-1066), так и более высокой частоты системной шины (переход от 200-МГц к 266-МГц FSB) приводит к ощутимому уменьшению задержек. Соответственно, минимальная латентность памяти наблюдается при функционировании в режиме DDR2-1066 (частота системной шины 266 МГц) и находится в интервале от 39.7 нс (псевдослучайный обход, аппаратная предвыборка включена) до 103.2 нс (случайный обход, аппаратная предвыборка отключена), чем несколько выигрывают как у предыдущих Corsair XMS2-8000UL (DDR2-1000, частота FSB 250 МГц, тайминги 5-6-6-18), так и у рассмотренных в предыдущей статье Kingston HyperX DDR2-900 (DDR2-900, частота FSB 270 МГц, тайминги 5-6-6-18).
Фото модуля памяти
Почему Samsung DDR3-1333 смогла взять 2400?
Я не знаю. Нашёл в интернете много информации по данным планкам, они реально гонятся. Другие не гонятся.
Как их определить? По маркировке. Из моего фото видно, что оканчивается маркировка на DH0-CH9. Какие ещё подойдут? Я понял, что вместо буква D могут быть и другие. A, B, C, D, E. Чем дальше буква от начала алфавита, тем более новая ревизия и потенциально лучше разгон. Вроде бы как B и C планки могут спокойно брать 2133МГц.
Размер — не главное
Наибольшее внимание при покупке оперативной памяти обычно уделяется ее объему. Для начала вам необходимо минимальное количество ОЗУ, которое потребуется для запуска операционной системы, рабочих программ и компьютерных игр. Каждый софт имеет свои собственные требования к оперативной памяти, выражающиеся в цифрах от 1 Гб до 8 Гб. Крайне важно иметь запас оперативной памяти. Не должно быть так, что приложение требует от вас 8 Гб ресурсов ОЗУ, а это все что вы имеете на данный момент. Позаботьтесь о превышении этого порога хотя бы на 4 Гб, чтобы компьютер не потерял в производительности.
Объем оперативной памяти — это лишь один из важных ее аспектов. Он поможет компьютеру с многозадачностью и вы на собственном опыте убедитесь в этом. Но не стоит забывать о втором аспекте — оперативная память, как и процессор, имеет свою тактовую частоту, отвечающую за то сколько данных она может обрабатывать в секунду.
Давайте рассмотрим этом на примере чипсета поколения DDR4. Пропускная способность такой оперативной памяти находится в диапазоне между 2133 МГц и 3000 МГц; некоторые карты способны работать даже в режиме 4000 МГц. И каждое из этих значений всегда можно повысить, тем самым на порядок улучшив производительность оперативной памяти.
Мировой финансовый кризис и вызванные им последствия заставили многих по-новому взглянуть на расходование своих честно заработанных денежных средств. Кому-то пришлось отказаться от покупки новой видеокарты, кому-то – от сборки новой системы с процессором Core i7, подобных примеров можно привести массу. В сложившихся условиях особенно актуальным становится один из основных принципов оверклокинга – «максимум производительности за минимум денег».
Системы на базе LGA1366 и оперативная память DDR3 с понятием «минимума денег» в настоящее время никак не сочетаются, что способствует поддержанию интереса к LGA775 и оперативной памяти DDR2. По этому случаю к нам на тестирование попали три 4-гигабайтных комплекта оперативной памяти DDR2-1066 и один – DDR2-800 производства Corsair и Geil.
реклама
Тестовый стенд предоставлен магазином Xpert.
- Материнская плата: ASUS P5Q Deluxe (P45/ICH10R), BIOS version 1702
- Центральный процессор: Intel Core 2 Duo E8400, E0, LGA775, множитель зафиксирован x6 на протяжении всего тестирования
- Охлаждение ЦП: Thermalright Ultra 120 eXtreme-775 с немного неровным основанием и не очень хорошим контактом с ним тепловых трубок
- Термоинтерфейс: КПТ-8 производства ЗАО “Химтек” на NB, SB, CPU
- Видеокарта: ATI Radeon HD 4870 X2 (HIS) 750/900MHz (3600MHz GDDR5)
- Дисковая подсистема: Western Digital VelociRaptor 300GB (WD3000GLFS-01F8U0) 10000rpm 16MB
- Блок питания: Thermaltake Toughpower 1200W (W0156RE)
Радиатор северного моста обдувался 70-мм вентилятором от кулера Igloo 2510 Pro (4200-4500 об/мин, 40 CFM). Оперативная память охлаждалась при помощи турбомодуля от Corsair Dominator.
- Intel Chipset Device Software v9.1.0.1007
- Prime95 v25.8
- LinX v.0.5.2
- Memset 4.0.0
- Microsoft Windows Server 2003 Enterprise 64 bit SP2
Максимальные частоты работы оперативной памяти определялись для трех наборов таймингов – CL3 (3-3-3-10), CL4 (4-4-4-12) и CL5 (5-5-5-15), во всех случаях материнской платой устанавливалось значение Command Rate 2T.
Критерием стабильности являлось успешное прохождение теста Prime95 в режиме Blend в течение 30 минут. Как правило, нестабильная работа выявлялась в течение первых же минут тестирования.
Здесь следует сделать небольшое отступление, которое опытные оверклокеры могут пропустить. Говоря о стабильной работе, мы имеем в виду успешное прохождение различных тестов в течение определенного количества времени или при определенном объеме задачи. Поэтому говорить о том, что система стабильна можно лишь с оговоркой на условия и продолжительность тестирования. Получасовой проверки в Prime95, разумеется, недостаточно для того, чтобы говорить о стабильности системы в режиме 24/7. Основываясь на опыте использования этой программы, могу порекомендовать продолжительность тестирования 6-12 часов в режиме Blend для того, чтобы быть уверенным в стабильности системы. При этом не стоит ограничиваться одной лишь Prime95 или чем-либо еще – используйте все доступные средства. Однако, вернемся к нашему тестированию, в котором 30-минутного прогона вполне достаточно для определения наиболее разгоняющихся модулей.
Для дополнительных таймингов было выставлено значение Auto, остальные настройки BIOS материнской платы выглядели следующим образом:
PCIE Frequency: 100 MHz
FSB Strap to North Bridge: 333 MHz
DRAM CLK Skew on Channel A1: Auto
DRAM CLK Skew on Channel A2: Auto
DRAM CLK Skew on Channel B1: Auto
DRAM CLK Skew on Channel B2: Auto
DRAM Static Read Control: Disabled
DRAM Read Training: Disabled
MEM/OC Charger: Enabled
Ai Clock Twister: Moderate
Ai Transaction Booster: Auto
реклама
Load-Line Calibration: Enabled
CPU Spread Spectrum: Disabled
PCIE Spread Spectrum: Disabled
CPU Clock Skew: Auto
NB Clock Skew: Auto
CPU Margin Enhancement: Optimized
FSB Termination Voltage: 1,40
NB Voltage: 1,40
NB GTL Reference: 0,630
SB Voltage: 1,20
PCIE SATA Voltage: 1,50
С указанными настройками материнская плата продемонстрировала стабильность при 540 МГц FSB:
Для того чтобы не ограничивать разгон оперативной памяти с установленными таймингами CL5 возможностями материнской платы, с указанными задержками тестирование проводилось при соотношении FSB:DRAM > 1. В свою очередь, разгон с таймингами CL3 и CL4 проводился при соотношении FSB:DRAM = 1:1.
Известно, что материнские платы Asus серии P5Q завышают напряжение оперативной памяти (и не только памяти) относительно значений, установленных в BIOS. В сочетании с версией BIOS 1702 материнская плата P5Q Deluxe продемонстрировала превышение установленного напряжения на 0,12-0,14В по показаниям мультиметра UNI-T UT2005, что учитывалось при тестировании.
Начнем тестирование с наиболее доступного из рассматриваемых сегодня комплектов – DDR2-800 от Corsair, стоимость которого в московской рознице составляет около 90$.
Рабочее напряжение модулей составляет 2.10В, что отражено не только на наклейке алюминиевых радиаторов, но и в SPD:
В указанных условиях тестирования с задержками CL5 и напряжением 2.20V модули смогли разогнаться на 31% выше номинала. Хотя они и не достигли частоты DDR2-1066, результат можно признать неплохим.
реклама
Увеличение напряжения до 2,30В результатов не принесло.
Стоимость данного комплекта памяти в московской рознице составляет 120$.
Помимо более высоких заявленных частот работы, за 30$ мы получаем фирменную систему охлаждения Corsair Dominator.
В SPD модулей для рабочей частоты 533 МГц указаны тайминги памяти и рабочее напряжение:
Тестирование с задержками CL3 и CL4 неожиданностей не принесло, чего нельзя сказать о задержках CL5. При напряжении 2.1В память смогла разогнаться лишь до частоты 1080 МГц DDR2, притом изменение дополнительных таймингов, значений DRAM CLK Skew, Ai Transaction Booster (и, соответственно, Performance Level) и Ai Clock Twister никакого эффекта не принесло. Увеличение напряжения до 2,3В позволило отработать без ошибок в Prime95 лишь на частоте 1090 МГц DDR2, увеличение задержек до CL6 на стабильности так же не отражалось.
На самом деле первой тестировалась память от Geil, и в частоту 1080-1090 МГц DDR2 я уперся еще тогда, но решил, что мне банально попались неудачные модули. Однако, когда подобное повторилось в третий раз, я стал искать причину.
Оказалось, что нестабильность при частотах памяти свыше 1090 МГц DDR2 наблюдается исключительно при отношении FSB:DRAM = 5:6 и значении FSB Strap to North Bridge равном 333 МГц. Дальнейший разгон стал возможным при установке FSB:DRAM = 4:5 + FSB Strap to North Bridge 266 МГц, FSB:DRAM = 3:4 + FSB Strap to North Bridge 400 МГц или FSB:DRAM = 5:8 + FSB Strap to North Bridge 333 МГц. При этом материнская плата устанавливала даже меньшее значение Performance Level:
При повторной проверке модулей Corsair TWIN2X4096-6400C4DHX никакой зависимости максимальной частоты от делителя обнаружено не было.
C увеличением напряжения до 2,2В память смогла разогнаться до частоты 1117 МГц DDR2, что весьма скромно для памяти DDR2-1066. Как и в предыдущем случае, увеличение напряжения до 2,3В результатов не принесло.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
DDR3 1600 гонится до 1866, а DDR3 1333 аж до 2400, как так?
Затем было проведено много экспериментов с ддр3. Вот она.
Дешманский патриот 2х4Гб ддр3-1600 11-11-11-28 1.5В.
Дешманский самсунг, всё те же 2х4Гб, но теперь 1333МГц с таймингами 9-9-9-24 и напряжение 1.5В.
Результаты такие:
Крутой патриот взял 2133, дешёвый патриот взял 1866, а самсунг все 2400. Самсунги смогли даже в 2500, но там я их особо не тестил.
DDR2-800 не гонится до 1066MHz
У меня было огромное количество разной ДДР2. Это были ультра дешманские планки по 512-1024Мб с частотой 533МГц и 667МГц, было ещё больше планок 1024-2048Мб более шустрой ддр2-800. В большинстве случаев планки сдавались на частоте 860-900МГц, бывали и такие, которые могли запуститься на 960МГц. По-моему, только один комплект смог взять что-то близкое к 1000, это были дорогие планки от Corsair.
Дорогие и крутые Corsair Dominator с родных 1066 прыгают до 1150-1200 в большинстве случаев.
Почему так? Я думаю, что всё дело в нагреве. Для частот 1066 и выше требуется напряжение от 2.1В до 2.4В. Стандартная ДДР2-800 работает на 1.8В.
При поднятии напряжения увеличивается и тепловыделение. Делаю вывод, что радиаторы здесь стоят в первую очередь для охлаждения, а только потом для украшения.
Что по DDR4?
Это мы рассмотрим позже.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
Параметр / Режим | DDR2-667 | DDR2-800 | DDR2-1067 | ||
---|---|---|---|---|---|
Частота FSB, МГц | 200 | 266 | 200 | 266 | 266 |
Тайминги | 3-3-3 (2.2 V) | 3-3-3 (2.2 V) | 4-4-3 (2.2 V) | 4-4-3 (2.2 V) | 5-5-4 (2.2 V) |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5571 | 6825 | 5696 | 6971 | 7446 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2444 | 2519 | 2460 | 2518 | 3193 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6528 | 8393 | 6542 | 8567 | 8712 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5678 | 4282 | 5686 | 5698 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 52.8 | 45.8 | 49.1 | 44.6 | 39.6 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 62.4 | 53.0 | 58.9 | 52.0 | 46.5 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 104.6 | 92.0 | 101.1 | 92.5 | 84.0 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 128.7 | 111.6 | 125.5 | 112.4 | 102.2 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 81.4 | 70.8 | 75.0 | 68.5 | 60.8 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 107.5 | 90.4 | 102.7 | 88.2 | 80.1 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 104.8 | 92.3 | 101.0 | 92.8 | 84.3 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 131.6 | 112.8 | 127.4 | 113.4 | 103.0 |
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-667 при использовании рекомендованного производителем повышенного питающего напряжения 2.2 В, составляют лишь 3-3-3 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). «На ходу» нам удалось выставить схему 3-3-2, но это немедленно приводило к возникновению ошибок. По этому показателю рассматриваемые модули уступают ранее протестированным Kingston HyperX DDR2-900 (тайминги 3-3-2 при напряжении 2.0 В) и, тем более, более ранним Corsair XMS2-5400UL (как показывает практика, наиболее удачным в плане разгона тайминги 3-2-2 при напряжении 2.1 В).
В режиме DDR2-800 рассматриваемые модули способны устойчиво функционировать при схеме таймингов 4-4-3 (напряжение питания также 2.2 В). Заметим, что и здесь нам в принципе удавалось выставить схему 4-3-3, но это немедленно сопровождалось появлением ошибок. И вновь настоящие модули уступают более ранним Corsair XMS2-8000UL (минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-800 4-3-3 при 2.2 В) и Corsair XMS2-5400UL (тайминги 4-3-2 при напряжении 2.1 В).
Наконец, в максимально скоростном, можно сказать «родном» режиме DDR2-1066, рассматриваемые модули позволили выставить минимальную схему таймингов 5-5-4, что весьма неплохо, т.к. все-таки немного ниже по сравнению с заявленной производителем схемой 5-5-5(-15). В то же время, следует вновь вспомнить, что предыдущее решение от Corsair модули категории «DDR2-1000» были способны функционировать в указанном режиме при схеме таймингов 5-3-3.
Как обычно, выставление «экстремальных» схем таймингов лишь незначительно увеличивает пропускную способность подсистемы памяти поскольку она по-прежнему «упирается» в пропускную способность процессорной шины. Эффект от такого «разгона по таймингам» наиболее заметен лишь по величинам латентностей, да и то в случае истинно случайного доступа к памяти и «максимально разгоняемого» режима DDR2-667 уменьшение задержек здесь составляет порядка 10%.Итоги
Протестированные модули Corsair XMS2-8500 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей класса high-end, способных функционировать как в официальных режимах DDR2-667 и DDR2-800, так и в неофициальном, но реально поддерживаемом максимально скоростном режиме DDR2-1066 (при умеренно высоком питающем напряжении 2.2 В). Не без преувеличения заметим, что это первые модули, реально рассчитанные на режим DDR2-1066 и реально, устойчиво в нем функционирующие. Модули обладают весьма высокими скоростными показателями, но сравнительно умеренным «разгоном по таймингам» (по сравнению с ранними «топовыми» предложениями от Corsair) в официальных режимах DDR2-667 и DDR2-800 они способны функционировать при таймингах 3-3-3 и 4-4-3 (напряжение питания 2.2 В), тогда как функционирование в наиболее скоростном режиме DDR2-1066 требует увеличения этой схемы до значений 5-5-4, все же несколько меньших по сравнению с рекомендуемой производителем схемой 5-5-5-15.
Какое-то время назад я столкнулся с мнением, что нужно покупать самую дешёвую оперативную память. Самые простые зелёные планки без радиаторов. Будто они гонятся до высоких частот и ничуть не уступают более дорогим модулям с красивыми радиаторами. Было решено провести собственное расследование. Сейчас мы рассмотрим DDR2 и DDR3.
Принцип работы оперативной памяти
Как мы уже изучили выше, оперативная память является самым быстрым типом памяти вашего компьютера, с которым не сравнится ни один из существующих SSD-накопителей. ОЗУ может в кратчайшие сроки загрузить информацию о вашем веб-браузере, запускаемом приложении или компьютерной игре. Благодаря этому устройству вам не приходится ждать по 5-10 минут пока медленная память сможет обработать огромный массив поступающей информации.
Данные, которые находятся в кратковременной памяти компьютера, можно считывать из любой точки мира без потери в скорости. Это связано с тем, что она имеет прямое проводное подключение к системе и благодаря такому коннекту отсутствует любая задержка.
Главной особенностью оперативной памяти является ее неограниченное количество циклов перезаписи. Таким образом, если она недавно обрабатывала информацию одного приложения и вы решили запустить следом другое, ОЗУ с легкостью забудет старые данные и начнет работать с новыми. Никаких рисков превысить порог допустимого количества перезаписей, как в случае с SSD. Эта особенность делает ОЗУ идеальным устройством для обработки множества требовательных к скорости задач.
К сожалению, мы не можем использовать ОЗУ как хранилище данных. Несмотря на все те космические скорости, которые она способна реализовать, стабильная “амнезия” после перезагрузки компьютера делает оперативную память бесполезной в качестве накопителя.
Читайте также: