Оперативная память samsung m378b1g73eb0 yk0 тайминги
Оперативная память - это одна из тех "незаменимых" и нужных вещей, без которой компьютер, ноутбук или планшет не сможет выполнять действия с данными.
Оперативная память - RAM с англ. языка Random Access Memory ( в дословном переводе память с произвольным доступом) или ОЗУ - оперативное запоминающее устройство. ОЗУ - является областью временного хранения данный, при помощи которой обеспечивается правильная работа программ и процессов. Ее можно назвать буфером в нее загружаются данные с жесткого диска нужные процессору для работы, т.к. скорость жесткого диска очень мала.
На данный момент существует несколько типов оперативной памяти: DDR, DDR2, DDR3, DDR4.
Самая распространенная это DDR3. DDR - уже практически не встречается, DDR2 - уже отошла на второй план, а DDR4 появилась относительно не давно, является не дешевой и пока не получила широкого распространения.
Объем оперативной памяти - планки памяти бывают разного объема 1гб, 2гб, 4гб, 8гб. В данный момент хватает 8гб, но с перспективой на будущее я решил взять еще одну планку на 8гб - получив 16гб. (в двухканальном режиме)
Для справки двухканальный режим работы памяти дает прирост около 3-8% (зависит от конфигурации компьютера и поставленной задачи).
При выборе оперативной памяти я решил взять Samsung DDR3 8ГБ 1600МГц.
Во первых это известный производитель, который имеет собственное производство чипов памяти. Я доверяю этому производителю, т.к. он хорошо зарекомендовал себя.
Почему эта память без радиаторов? Ответ прост с переходом с DDR2 на DDR3 технологии не стояли на месте. С внедрением новых техпроцессов при изготовления чипов памяти, стало возможным уменьшить напряжение питания чипов при этом не ухудшив их характеристики. Если напряжение питания стало ниже, значит и выделение тепла тоже сократиться. А значит применение радиаторов для памяти в большинстве случаев является просто маркетинговым ходом производителей, за который приходится платить пользователю! Да и в некоторых случаях радиаторы могут создать проблем при установке не штатной системы охлаждения центрального процессора.
Тактовая частота памяти 1600МГц. Умножив ее на 8бит получим пропускную способность памяти 1600МГц * 8бит = 12800мб/с
В двухканальном режиме пропускная способность удвоится, но для этого память должна иметь одинаковые характеристики (частота, тайминги и т.д.)
Характеристики памяти:
Тип - DIMM DDR3
Объем памяти - 8ГБ
Количество чипов памяти - 16шт (8+8)
Тактовая частота памяти - 1600 МГц
Тайминги CL-tRCD-tRP-tRAS - 11-11-11-28
Пропускная способность - 12800 мб/с
Поставляется она комплектом типа OEM, т.е. как есть - просто планка без упаковки.
Маркировка данной планки приведена на фото ниже
Из надписей на наклейке 8GB 2Rx8 PC3 - 12800U - 11 можно понять следующее:
8GB - объем памяти 8ГБ
2Rx8 - двустороннее расположение чипов по 8 чипов на одной стороне, всего 16штук.
PC3 -12800U - стандарт памяти DDR3 1600MHz с пропускной способностью 12800мб/с
11 - говорит о Латентности памяти, чем она меньше - тем лучше.
Чипы памяти в моем случае имеют маркировку SEC 519 HCK0 K4B4G0846Q
О разгонном потенциале данной памяти информацию можно поискать на профильных форумах.
И для полноты картины хочу привести габаритные размеры.
Надеюсь для кого-то будет полезным знать габаритные размеры памяти DDR3, что позволит продумать варианты охлаждения центрального процессора.
Информация которую выдала программа aida64
Подводя итог скажу, память DDR3 с частотой 1600MHz на является оптимальной для процессоров Intel, по соотношению цена производительность. Кстати чем выше тактовая частота тем больше тайминги. Например память с частотой 1866MHz прирост в производительности будет "едва ощутим", а цена будет ощутимо выше.
Нужны ли радиаторы? Для меня как вы поняли нет, как и для большинства пользователей. Если конечно вы не собираете "красивые железки".
Если Вы не гонитесь за модной упаковкой и всякими плюшками - то это Ваш вариант.
Тестирование частотного потенциала четырех планок DDR3: предельный разгон, зависимость частоты от задержек и напряжения.
Упаковка и внешний вид: Samsung Original (SEC K4B2G0846D-BCK0), Samsung Original (SEC K4B2G0846D-HCK0), тестовый стенд и ПО, методика тестирования
Внешне это все та же зеленая планка с шестнадцатью двухгигабитными микросхемами:
Маркировка модуля M387B5273DH0-CK0, объём 4096 Мбайт, частота 1600 МГц, производство – 50 неделя 2011 года.
реклама
Микросхемы SEC K4B2G0846D-BCK0 выпущены на 49 неделе 2011 года. Номинальная частота составляет 1600 МГц с таймингами 11-11-11 и напряжением 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя ( 1734 Кбайт ).
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846d-bck0.spd.
Данная разновидность памяти Samsung использует PCB ST-104B с таким же дизайном, как и у рассмотренного выше модуля Samsung M378B5273CH0-CH9.
Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0)
Данный экземпляр полностью совпадает по part number и номинальным характеристикам с предыдущим, но все же не является его копией. Самое заметное его отличие – цвет печатной платы:
реклама
Информация на наклейке совпадает с предыдущим модулем вплоть до недели выпуска:
Но главное отличие, из-за которого и было решено протестировать этот тип памяти на разгон отдельно от других – микросхемы памяти с маркировкой SEC K4B2G0846D-HCK0:
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846d-hck0.spd.
Модуль использует PCB с маркировкой H2-9 94V-0:
Тестовый стенд и ПО
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по декабрь 2011 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.940.0) Preview Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Методика тестирования
Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой процессор на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.
Возможно, вам покажется, что для разгона недорогой DDR3 такая платформа избыточна. Но когда вы увидите результаты, то поймете, что в случае с памятью Hynix и Samsung это не так. Особенно это касается микросхем Hynix, так как именно они лежат в основе той памяти, на которой сейчас и устанавливаются рекорды разгона по частоте.
реклама
Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе – это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.
При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.
Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, уже оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:
Единственный тайминг, который был проверен отдельно – Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode.
Все модули проверялись со следующим набором напряжений:
- номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
- номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
- номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).
Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.
Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.
Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, так как ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +20°C.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Представляю вам небольшой обзор на комплект оперативной памяти Оперативная память SAMSUNG DDR4 8Gb 2666MHz pc-21300 оем (M378A1G43TB1) В данном обзоре мы рассмотрим: комплект поставки, основные типы и характеристики данной оперативной памяти, а также попробуем посмотреть на что способен данная оперативная память в разгоне, подведем итоги и решим покупать ли нам ее для сборки ПК.
1. Распаковка
Данная оперативная память поставляется только в версии OEM . Поставляется завернутой в пакет. На пакете наклейка магазина. Никаких упаковок, дополнительных средств для ее защиты от повреждений в комплекте нет. У данного экземпляра повреждений при транспортировке обнаружено не было, что свидетельствует о довольно бережной транспортировке.
Чипы Samsung, распаяны на плате с двух сторон. Данные чипы производства конца 2018 года, сделаны по технологии T-die. Эти чипы памяти пришли на замену привычным и полюбившимся оверклокерам B-die чипам. У данной оперативной памяти очень низкая цена на рынке, что несомненно выведет данную память в лидера продаж начала 2019 года.
Преимущества: цена, новые чипы Samsung.
Недостатки: поставляется без защитных упаковок.
2. Заявленные характеристики
Частота - 2666MHz. Тайминги - 19-19-19-43. Память двуранговая - чипы на данной плате распаяны с двух сторон. Напряжение - 1.2В.
Далее приведены фотографии чипов памяти.
3. Тестирование и разгонный потенциал
Характеристики тестового стенда:
- Процессор AMD RYZEN 5 2400
- Материнская плата Gygabyte b450 Aorus M
- Кулер для процессора Scytche katana 5
- Накопитель М2 Samsung 970evo 250gb
- Корпус Termaltake Versa H18
Методика разгона ничем не отличалась от предыдущего раза, кроме того, что я сразу поставил тайминги и профиль настроек из предыдущего обзора на память Corsair и попытался запустить их сходу на 3000. Система в данном режиме запускаться отказалась и скидывала настройки на дефолтные. Тогда пришлось убрать все кроме основных таймингов, поставив все субтайминги и значения напряжения в режим Auto. После этого материнская плата подобрала субтайминги и значения сопротивлений сама, и система запустилась на 2666. И уже далее, путем редактирования и опускания основных таймингов, и повышения частоты удалось добиться стабильной работы на частоте 3200 и прохождения Testmem5 и Linx.
Все мы знаем, что самые лучшие чипы легко поддающиеся разгону - это отборные B-die чипы от компании Samsung. Данные чипы всегда присутствуют в топовых комплектах оперативной памяти именитых брендов. Так было до сегодняшнего дня. Теперь на рынок массово хлынули новые чипы от Samsung T-die. Я считаю, что в ближайшее время нас ждет снижение цен на оперативную память в принципе, и новые чипы тому подтверждение. На момент написания отзыва - ОНЛАЙН ТРЕЙД.РУ держал самую низкую цену на данную оперативную память. С момента поступления в магазин, до полной распродажи первой партии прошло два с небольшим дня. Это говорит о том, что данная память пользуется большим спросом в данном ценовом сегменте памяти DDR4. Однозначно рекомендуется к покупке, как альтернатива OEM B-die Samsung для непроизводительных систем начального уровня.
Ветка по выбору и обсуждению оперативной памяти. Тут даем советы, и отписываемся о впечатлениях от использования оперативной памяти.
Статистика разгона ведется в отдельной ветке.
Прежде чем задать вопрос, ознакомтесь с FAQ!
Написать отзыв/жалобу/пожелание по действиям куратора можно в теме: Кураторы тем
FAQ
Q: Какой объем оперативной памяти оптимален?
A: 4Gb - все еще достаточный объем для абсолютного большинства повседневных задач, в т.ч. игр. Но, если планируете собирать комп с нуля или переходите на другую платформу со сменой памяти, то лучше будет взять 8Gb, цена на 4Gb-планки достаточно приемлимая.
Q: Купил 4-8гб оперативной памяти, но биос не видит полностью всю память. Что делать?
А: Обновите биос вашей материнской платы. Самый свежий биос можно найти на официальном сайте производителя материнской платы.
Q: А что нужно сделать чтобы моя 32х битная операционная система смога увидеть все 4-8гб памяти?
А: Ничего. Установите 64х битную версию Windows XP/Vista/7.
Q: Что лучше, 4*2Гб памяти или 2*4Гб?
А: Второй вариант зачастую будет более выгодным.
1) Чем меньше планок памяти, тем меньше нагрузка на контроллер памяти и легче их синхронизировать.
2) Чем больше планок памяти, то, как правило, снижается разгон, вследствие увеличения нагрузки на КП.
Хотя бояться 4 планок памяти тоже не следует, зачастую все работает стабильно, пускай на немного меньших чатотах/большем напряжении.
Q: Что такое тайминги?
A: Из этой статьи узнаете о таймингах все, и даже больше.
Q: Поставил 4 планки памяти, система не стабильна, что посоветуете?
A:
-Ослабить тайминги, т.е. 5-5-5-15 для DDRII, 9-9-9-24 для DDRIII и т.д. можно использовать и более высокие.
-Поднять напряжение на модулях памяти на 0.1V-0.2V, на контроллере памяти на 0.1-0.15v.
-Установить частоты оперативной памяти в 800MHz для DDRII, 1333MHz для DDRIII.
Q: Купил новую память, а компьютер не хочет с ней включаться? Что делать, память бракованная?
A: Скорее всего возникли проблемы с совместимостью Вашей материнской платой и ОЗУ. Варианты решения проблемы:
-попробуйте оставить лишь одну планку, пробуя ее во всех слотах;
-прошейте последнюю версию БИОС материнской плате;
-если есть какая-то рабочая память, вставте ее, выставить все перметры в щадящий режим(5-5-5-15 для DDRII, 9-9-9-24 для DDRIII), добавте немного напряжения на память и КП.
Если ничего не помогло и компьютер категорически отказывается заводиться с памятью, то остается лишь менять память. Чтобы не попадать в такие ситуации рекомендуется покупать память, которая есть в QVL-листе к Вашей материнской плате(смотреть сайт производителя мат. платы).
Q: На данный момент у меня одна планка памяти, хочу докупить вторую, но не могу найти аналогичную, что делать, будет ли у меня двухканальный режим?
A: Можно использовать и не идентичную память, главное, планки должны быть одинакового объема, и обладать примерно равными характериситиками(частота, задержки, номинальное напряжение). Возможна, конечно, несовместимость, но вероятность маленькая.
Q: Хочу купить очень быструю память, насколько большой прирост в играх я замечу?
A: Спешу огорчить, в играх прироста от разгона оперативной памяти практически нет, он колеблется в предлах 0-3%. В синтетике может наблюдаться прирост до 10%, если Вам это важно, тогда DDRIII 2133Mhz+ для Вас. Вот исследование производительности.
Q: Что быстрее 1333MHz 7-7-7-18 или 1600MHz 9-9-9-24?
A: Оптимальный режим работы памяти рекомендую подбирать самостоятельно опытным путем. Т.е. берем какой нибудь синт. бенчмарк(который хорошо отзывается на изменениме скорости памяти и дает малую погрешность) и тестируем в разных режимах. Для ускорения процеса рекомендую программу MemSet, потратите отсилы полчаса, зато выжмите из своей памяти все.
Q: Память с какими частотными хар-ками будет оптимальна для повседневного использования?
A: Для АМД платформы оптимальна будет память работающая на частотах 1600-1700Hz, с как можно меньшими таймингами. Платформа Интел Core i3/i5/i7 чуть лучше гонит память: частоты порядка 2GHz - вполне приемлемы для повседневного использования.
Q: Выбираю комплект оперативки, есть варианты с одинаковыми частотами и таймингами, но разным номинальным напряжением - 1.65v, 1.55v, 1.35v. Какой памяти отдать предпочтение?
A: Тут четкой закономерности нет, разные чипы по разному реагируют на повышение напряжения, некторые чипы "любят" высокие напряжения, хорошо разгоняясь и отлично себя чувствуя. Некоторые, наоборот, не улучшают свои разгонные возможности при овервольтаже, либо даже могут деградировать. Большинство чипов положительно реагируют на небольшое поднятие напряжения(0.1-0.15v).
Q: Хочу купить радиаторы для ОЗУ, насколько увеличится разгон?
A: DDRIII - довольно экономичная память, поэтому, зачастую, необходимости в радиаторах нет, простого обдува будет достаточно. DDRII на некоторых чипах может прилично греться, но они, как правило, изначально оснащены радиаторами, разве что Вам повезло и попалась какая нибудь Spectek или Kingston KVR оснащенная чипами Micron B6, в таком случае, если планируете, сильный разгон, оснастите их радиаторами.
Заработала в dual channel с 2 4Гб модулями Hynix Original (4+4+8+0) на матери MSI Z87-G43 на 1600Мгц 9-9-9-24, разгонять ее не стал, все равно на скорость это не влияет.
Может работать на пониженном напряжении (1.35В), возможно, это будет важно, когда выйдут процессоры Intel Skylake.
Когда то стоила полторытысячи, жаль вовремя не купил, а сейчас опять начала дорожать.
При заказе указывайте в комментарии: «Samsung Original, наклейка со штрихкодом», можете добавить еще part number M378B1G73DB0-CK0 , подделку (тот же ketec) брать не рекомендую, их делают на отбракованных чипах.
Моя планка сделана 7 неделя, 2015г., т.е. самсунг их до сих пор производит!
Заработал в паре с M378B1G73QH0-CK0, с начала января пока нареканий нет
Производителем плашки является некий Ketech, судя по всему какой-то OEM из Гонконга. Чипы по маркировке от Samsung.
Не повезло мне как предыдущему человеку достался не чистокровный Samsung, а некий гибрид. В SPD из полей только название производителя. Хоть модуль пока нареканий не вызывает и работает в Dual Channel c родным Samsung, неприятный осадок остался, а магазин заслужил жирный минус. Не буду здесь пускаться в долгие рассуждения почему так делать нехорошо. Поскольку к изделию кроме беспородности особых претензий нет, а также во избежание кутерьмы со сдачей, возвращать пока не стал.
хз. Чисто бренд надёжности заработанной годами.
воткнул в сервер 2 планки. по цифрам 16Гб 1600Мгц кажет. До этого стояла планка на 2 гиг 1333. Прироста производительности ниразу не заметил. Кому интересно факты из AIDA:
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M378B1G73DB0-CK0
Серийный номер 95165667h (1733695125)
Датавыпуска Неделя 26 / 2014
Размермодуля 8 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Типмодуля Unbuffered DIMM
Типпамяти DDR3 SDRAM
Скоростьпамяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширинамодуля 64 bit
Вольтажмодуля 1.5 V
Метод обнаруженияошибок Нет
ПроизводительDRAM Samsung
Функции модуля памяти:
Auto Self Refresh Не поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature Refresh Rate Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout Не поддерживается
Читайте также: