Оперативная память производитель 859b
Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.
Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.
Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64
- 16 - 1600
- 18 - 1866
- 26 - 2666
- 29 - 2933
- 30 - 3000
- 32 - 3200
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 13 - CL13
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
- B - Beast
- R - Renegade
- I - Impact
- не указано — синий
- B - черный
- R - красный
- не указано - 1 я версия
- 1 - модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
- 2 - 2 я версия
- 3 - 3 я версия
- не указано - Без RGB-подсветки
- A - RGB-подсветка
- Пусто – отдельный модуль
- K2 - комплект из 2 модулей
- K4 - комплект из 4 модулей
- K8 - комплект из 8 модулей
- 4 - 4 ГБ
- 8 - 8 ГБ
- 16 - 16 ГБ
- 32 - 32 ГБ
- 64 - 64 ГБ
- 128 - 128 ГБ
- 256 - 256 ГБ
Концентратор SPD
В DDR5 используется новое устройство, объединяющее энергонезависимую память (EEPROM) функции последовательной идентификации модуля памяти (SPD) с дополнительными функциями концентратора, управляющее доступом к внешнему контроллеру и отделяющее нагрузку на внутреннюю шину памяти от внешней.
Частота и задержки
Что происходит при установке модулей с разной частотой? Ничего интересного. Вся память будет работать со скоростью самого медленного модуля. Например, если в системе есть планки DDR4 с частотой 2133 и 2400 ГГц, то обе будут работать со скоростью 2133 ГГц.
То же самое происходит при разных задержках. Система будет работать с самыми медленными «таймингами». Ещё одна важная вещь — максимальная частота, которую поддерживает материнская плата. Если она 2400 ГГц, то память с частотой 2800 ГГц будет работать именно на ней и не больше.
Вольтаж
В стандарте каждого поколения памяти прописан диапазон напряжения, который необходим для нормального функционирования. Некоторые модели DDR3 требуют напряжение 1.5 В, а другие — пониженное энергопотребление в 1.35 В. Если два таких модуля поставить в одну систему, то на оба модуля будет подаваться максимально нужный вольтаж — 1.5 В.
Может ли при этом сгореть планка с пониженным энергопотреблением? Скорее нет, просто будет чуть больше нагреваться. На общую производительность вольтаж не влияет.
Есть дешевле внутри, от 1 659 ₽ Бестселлер Оперативная память Patriot Memory Signature DDR3 1600 МГц 1x4 ГБ (PSD34G160081S) Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Тип памяти: DDR3
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Тактовая частота, МГц: 1600
Есть дешевле внутри, от 2 894 ₽ Бестселлер Оперативная память Patriot Memory Signature DDR3 1600 МГц 1x8 ГБ (PSD38G16002S) Суммарный объем памяти: 8 ГБ
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Тип памяти: DDR3
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Тактовая частота, МГц: 1600
Есть дешевле внутри, от 1 659 ₽ Оперативная память Patriot Memory Signature DDR3 1600 МГц 1x4 ГБ (PSD34G16002) Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Тип памяти: DDR3
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Тактовая частота, МГц: 1600
Перейти на страницу
Оперативная память AMD Модуль оперативной памяти AMD Radeon DDR4 8Gb 2666Mhz Long DIMM, R748G2606U2S-U 8 ГБ (R748G2606U2S-U)
Оперативная память ТСК-IT Модуль памяти PATRIOT Signature Line DDR3L Общий объём памяти 4Гб Module capacity 4Гб Количество 1 1600 МГц Множитель частоты шины 11 1.35 В PSD34G1600L81 1x4 ГБ (PSD34G1600L81)
Оперативная память Оперативная память Kingston DDR2 800Mhz 2x2 ГБ 2x2 ГБ (6603217) Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Емкость одного модуля: 2 ГБ
Тип памяти: DDR2
Пропускная способность, Мб/с: 6400
Тактовая частота, МГц: 800
50 бонусов продавца Оперативная память Kingston 1x2 ГБ (8) Суммарный объем памяти: 2 ГБ
Емкость одного модуля: 2 ГБ
Тип памяти: DDR2
Пропускная способность, Мб/с: 12600
Тактовая частота, МГц: 800
Оперативная память DDR2 2 gb 1x2 ГБ (0923) Суммарный объем памяти: 2 ГБ
Емкость одного модуля: 2 ГБ
Тип памяти: DDR2
Пропускная способность, Мб/с: 6400
Тактовая частота, МГц: 800
Бестселлер Оперативная память DDR2 Saniter AMD 1x4 ГБ (2030) Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Тип памяти: DDR2
Пропускная способность, Мб/с: 6400
Тактовая частота, МГц: 800
Перейти на страницу
Оперативная память AMD Модуль оперативной памяти AMD Radeon DDR4 8Gb 2666Mhz Long DIMM, R748G2606U2S-U 8 ГБ (R748G2606U2S-U)
Оперативная память ТСК-IT Модуль памяти PATRIOT Signature Line DDR3L Общий объём памяти 4Гб Module capacity 4Гб Количество 1 1600 МГц Множитель частоты шины 11 1.35 В PSD34G1600L81 1x4 ГБ (PSD34G1600L81)
Дополнительные датчики температуры
На концах модулей RDIMM и LRDIMM DDR5 серверного класса добавлены датчики температуры для контроля теплового режима по всей длине модуля DIMM. Это позволяет более точно контролировать охлаждение системы, в отличие от дросселирования тактов для защиты от перегрева, используемой в DDR4 при высоких температурах.
DDR5 ValueRAM
Номер артикула: KVR48U40BS8LK2-32X
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
- S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)
- 40 – 40-40-40
- 40B – 40-39-39
- 42 – 42-42-42
- 8 – микросхема DRAM x8
- 6 – микросхема DRAM x16
- не указано – стандартный
- L – очень низкий профиль (VLP)
- не указано – отдельный модуль
- K2 – комплект из 2 модулей
- K4 – комплект из 4 модулей
- 8 – 8 ГБ
- 16 – 16 ГБ
- 32 – 32 ГБ
- 64 – 64 ГБ
- 128 – 128 ГБ
- 256 – 256 ГБ
- не указано – стандартный пакет
- BK – большой пакет
Обзор памяти DDR5
DDR5 — это 5-е поколение синхронной динамической оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory), также называемая DDR5 SDRAM. Разработка была начата в 2017 году огранизацией по отраслевым стандартам JEDEC (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам) при участии ведущих мировых поставщиков полупроводниковой памяти и архитектур наборов микросхем, включая Kingston. Память DDR5 обладает новыми функциями для повышения производительности, снижения энергопотребления и более высокой целостности данных для вычислительных систем следующего десятилетия. Память DDR5 была представлена в 2021 г.
Объём
Обычно проблем при использовании планок разного объёма не возникает. Ничто не мешает совместно использовать ОЗУ на 4 и 16 ГБ.
Нюансы встречаются при их работе в двухканальном режиме. Если на первом канале 4 ГБ, а на втором — 16 ГБ, то в двухканальном режиме будут задействованы только по 4 ГБ с каждой стороны. Оставшиеся 12 гигабайт будут задействованы в одноканальном режиме.
Два 32-битных подканала
DDR5 разделяет модуль памяти на два независимых 32-битных адресуемых подканала, что позволяет повысить эффективность и снизить время ожидания доступа к данным для контроллера памяти. Разрядность данных модуля DDR5 по-прежнему составляет 64 бита, однако разделение на два 32-битных адресуемых канала увеличивает общую производительность. Для памяти серверного класса (RDIMM) к каждому подканалу добавляется 8 бит для поддержки функции ECC. В результате получаем 40 бит на подканал или 80 бит на ранг памяти. Двухранговые модули имеют четыре 32-битных подканала.
Производители
При разработке памяти производители используют разные матрицы, материалы и печатные схемы. Отличаются производственные процессы и технологии изготовления. Но на выходе должен получиться продукт, который соответствует определённым стандартам.
Например, стандарт DDR5 подразумевает передачу данных по двум шинам, а не одной как в предыдущих поколениях. Если производитель отклонится от этой технической особенности, то их продукт не сможет взаимодействовать с материнской платой и процессором.
Благодаря стандартизации модули оперативной памяти от разных производителей должны работать совместно. Если сборка компьютера работает с каждой планкой по отдельности, то и вместе они должны функционировать. На практике проблемы изредка встречаются, но заранее их предсказать невозможно.
Форм-факторы
Хотя эти модули памяти похожи на DDR4, в них внесены существенные изменения, в результате которых они несовместимыми с прежними системами. Расположение ключа (выемка в центре) перемещена, чтобы предотвратить установку модуля в несовместимые разъемы.
- DIMM: 288 контактов
- SODIMM: 262 контактов
- Регистровые модули DIMM
- Модули DIMM со сниженной нагрузкой
- Небуферизованные модули DIMM с ECC
- Небуферизованные модули SODIMM с ECC
- Небуферизованные модули DIMM без ECC
- Небуферизованные модули SODIMM без ECC
Сертифицировано ведущими производителями системных плат 1
Модули протестированы и одобрены, поэтому вы можете с уверенностью создавать свою конфигурацию и модернизировать систему на предпочитаемой системной плате.
Латентность (тайминг)
Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.
Kingston Technology’s Statement In Support of Ukraine - Learn More
Увеличенное количество бланков памяти и длина серийной очереди
В DDR5 удвоено количества блоков памяти (с 16 до 32). Это позволяет открывать больше страниц одновременно, повышая эффективность. Также вдвое увеличена минимальная длина серийной очереди: до 16 по сравнению с 8 для DDR4. Это повышает эффективность работы шины данных, позволяя передавать по ней вдвое больше данных, и, следовательно, уменьшает количество операций чтения/записи, необходимых для доступа к одной и той же строке данных кэша.
Улучшенные обновления
В DDR5 добавлена новая команда, SAME-BANK Refresh, которая позволяет обновлять только один банк памяти в каждой группе банков, а не все банки. По сравнению с DDR4 эта команда позволяет еще больше повысить производительность и эффективность памяти DDR5.
DDR4 Server Premier
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI
- 24: 2400
- 26: 2666
- 29: 2933
- 32: 3200
- S: одинарный
- D: двойной
- Q: Четырех
- A кристалла
- B кристалла
- E кристалла
DDR3 & DDR2
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
- P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- F: FB DIMM
- M: Mini-DIMM
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM
- U: Micro-DIMM
- Без обозначения: без термодатчика
- S: с термодатчиком
- Без обозначения:Без обозначения
- L: 18,75mm (VLP)
- H: 30mm
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
(PC2100, PC2700, PC3200)
Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G
Более высокая начальная скорость
Начальная частота DDR5 составляет 4800 MT/s * , в то время как DDR4 обеспечивает максимум 3200 MT/s, то есть пропускная способность увеличивается на 50%. В соответствии с выпусками вычислительных платформ планируется, что производительность DDR5 будет масштабироваться до 6400 MT/s.
Стандартные отраслевые спецификации JEDEC
Скорость передачи данных (скорость в MT/s) | 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400 MT/s |
Плотность интегральной микросхемы DRAM (Гбит) | 8 Гбит, 16 Гбит, 24 Гбит, 32 Гбит, 48 Гбит, 64 Гбит |
Тип и формат пакетов (x4, x8 / x16) | BGA, 3DS TSV (78, 82 / 102) |
Интерфейс | |
---|---|
Напряжение (V DD / V DDQ / V PP ) | 1,1 / 1,1 / 1,8 В |
Внутреннее напряжение V REF | V REFDQ , V REFCA , V REFCS |
Команда/адрес | POD (Pseudo Open Drain) |
Компенсация | DFE (Dynamic Feedback Equalization) |
Длина пакета импульсов | BL16 / BC8 / BL32 (опция) |
Базовая архитектура | |
Количество банков памяти | 32 банка (группы по 8 банков) 8 Гбит x 4 банка (16–64 Гбит x4/x8) 8 Гбит x 2 банка (8 Гбит x4/x8) |
Подробнее о наших модулях памяти DDR5
* Узнайте больше о мегатрансферах в секунду: МТ/с обозначает число мегатрансферов (миллионов передач) в секунду и представляет собой эффективную скорость передачи данных (скорость) памяти SDRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR) при вычислениях. Модуль памяти SDRAM DDR передает данные по переднему и заднему фронту каждого тактового цикла (1 Гц).
Например: DDR4-3200 (PC4-3200)
Тактовая частота: 1600 МГц
Скорость передачи данных: 3200 МТ/с
Пропускная способность: 25 600 МБ/с (25,6 ГБ/с)
Обычная ситуация, когда к существующей планке оперативной памяти хочется добавить ещё одну, но найти точно такую же не удаётся. Разберёмся, возможно ли ставить вместе ОЗУ от разных производителей и несхожими техническими характеристиками.
Сразу отметим — разные поколения ОЗУ не совместимы.
DDR3 никогда не будет работать в паре с DDR4.
Выравнивание обратной связи по решениям (DFE)
В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле, которая необходима для высокой пропускной способности.
Ключ модуля
Вырез в центре модуля действует как ключ, соответствующий разъемам DDR5, чтобы предотвратить установку модулей DDR4, DDR3 или других неподдерживаемых типов модулей. В отличие от DDR4, ключи модуля DDR5 различаются для разных типов модулей: UDIMM и RDIMM
Встроенная интегральная микросхема управления питанием (PMIC)
Модули DDR5 оснащаются встроенными микросхемами управления питанием (PMIC), которые помогают регулировать мощность, необходимую для различных компонентов модуля памяти (DRAM, регистр, концентратор SPD и т. д.). В модулях серверного класса PMIC использует 12 В, а в модулей класса ПК — 5 В. Это обеспечивает лучшее распределение мощности по сравнению с предыдущими поколениями, повышает целостность сигнала и снижает уровень шума.
Расшифровка номеров по каталогу HyperX®
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston HyperX по спецификации.
Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32
- 13 - 1333
- 16 - 1600
- 18 - 1866
- 21 - 2133
- 24 - 2400
- 26 - 2666
- 28 - 2800
- 29 - 2933
- 30 - 3000
- 32 - 3200
- 33 - 3333
- 34 - 3466
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 41 - 4133
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 12 - CL12
- 13 - CL13
- 14 - CL14
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
- F - FURY
- B - Beast
- S - Savage
- P - Predator
- I - Impact
- не указано- синий
- B - черный
- R - красный
- W - белый
- 2 - 2 я версия
- 3 - 3 я версия
- 4 - 4 я версия
- не указано - без RGB-подсветки
- A - RGB-подсветка
- не указано - отдельный модуль
- K2 - комплект из 2 модулей
- K4 - комплект из 4 модулей
- K8 - комплект из 8 модулей
- 4 - 4 ГБ
- 8 - 8 ГБ
- 16 - 16 ГБ
- 32 - 32 ГБ
- 64 - 64 ГБ
- 128 - 128 ГБ
- 256 - 256 ГБ
On-Die ECC
On-Die ECC (Error Correction Code) — новая функция, предназначенная для исправления битовых ошибок в микросхеме DRAM. По мере увеличения плотности чипов DRAM за счет уменьшения литографии на пластинах возрастает вероятность утечки данных. On-Die ECC функция обнаружения и исправления ошибок снижает этот риск, исправляя ошибки в микросхеме, повышая надежность и снижая количество дефектов. Эта технология не может исправлять ошибки за пределами микросхемы или ошибки, которые возникают в шине между модулем и контроллером памяти, находящимся в ЦП. Процессоры с поддержкой ECC для серверов и рабочих станций имеют кодировку, которая может исправлять одно- или многобитные ошибки на лету. Для выполнения такого исправления должны быть доступны дополнительные биты DRAM, которые присутствуют в модулях памяти класса ECC, таких как небуферизованные модули с ECC, регистровые модули и модули со сниженной нагрузкой.
Сниженное энергопотребление и повышенная эффективность
Работая при напряжении 1,1 В, модуль памяти DDR5 потребляет примерно на 20% меньше энергии по сравнению с аналогичными модулями DDR4, работающими при напряжении 1,2 В. Увеличивая время автономной работы ноутбуков, это также обеспечивает значительное преимущество для корпоративных серверов, работающих круглосуточно.
Глоссарий
Емкость
Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.
CAS-латентность
Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.
Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.
Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.
Тип памяти DIMM
UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.
Гигабит (Гбит)
Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 10 9 ) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.
Гигабайт (ГБ)
Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 10 9 ) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.
Комплект
Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.
Скорость (так же называемая частотой)
Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.
DDR4 ValueRAM
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI
- 21 : 2133
- 24 : 2400
- 26 : 2666
- 29 : 2933
- 32 : 3200
- E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- O: восьмиранковый
- 4: x4 микросхема DRAM
- 8: x8 микросхема DRAM
- 6: x16 микросхема DRAM
- Без обозначения: любая высота
- H: 31,25mm
- L: 18,75mm (VLP)
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- H : SK Hynix
- K : Kingston
- M : Micron
- S : Samsung
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM
Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.
Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- S: SO-DIMM
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- K4: комплект из четырех модулей
- 4: 4Гб
- 8: 8Гб
- 12: 12Гб
- 16: 16Гб
- 24: 24Гб
- 32: 32Гб
- 48: 48Гб
- 64: 64Гб
- H: Hynix
- E: Elpida
- I: Сертификация Intel
Kingston FURY™ DDR5
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.
Номер артикула: KF548C38BBK2-16
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- не указано – отдельный модуль
- K2 – комплект из 2 модулей
- 16 – 16 ГБ
- 32 – 32 ГБ
- 64 – 64 ГБ
Читайте также: