Как выглядит оперативка на компьютере фото
Оперативная память, или ОЗУ, является энергозависимым запоминающим устройством, в котором хранятся различные типы данных, обрабатываемых процессором. По сути, ОЗУ представляет собой набор конденсаторов и транзисторов. На конденсаторах накапливается заряд, тур управляется с помощью транзистора. Таким образом, формируется набор данных в зависимости от того, заряжен конденсатор или нет.
Сама аббревиатура DDR означает удвоенную скорость передачи данных памяти типа SDRAM. Стандарт DDR3 пришёл на смену DDR2, что логично. По сравнению с предыдущим типом, новинка имела больший размер подкачки, сокращение энергопотребления и уменьшение техпроцесса, которое позволило разместить на схеме большее количество элементов. Помимо стандартного варианта DDR3, существует и DDR3L, а также DDR3U, которые отличаются уменьшенным энергопотреблением. Серверная оперативная память DDR3 обычно несовместима с десктопными версиями и обладает большим объёмом, частотой, а также стоимостью.
А что дальше — DDR5?
А дальше, полагаю, стандарты DDR5 и далее по нарастающей. Возможно, неожиданно изобретут нечто эдакое, что кардинально изменит архитектуру ЭВМ и сделает оперативную память для ПК лишним элементом.
Интересная тенденция: у каждого следующего поколения памяти увеличиваются тайминги, что инженеры стараются компенсировать увеличением рабочей частоты и скоростью передачи данных. Настолько эффективно, что следующее поколение оказывается шустрее предшественников.
Ожидается, что в пятом поколении, DDR5, снова будет удвоена плотность ячеек памяти. Прирост производительности будет существенный — эта ОЗУ сможет работать на частоте от 4800 до 6400 МГц. Планируется, что будет снижено энергопотребление.
Именно поэтому еще раз акцентирую ваше внимание на том, что при выборе комплектующих старайтесь «плясать» от стандарта DDR4 как проверенного и прогрессивного. Ну и конечно уже можно присматриваться к DDR5, которая все чаще мелькает в новоcтях IT индустрии.
Как выбрать объём памяти DDR3
С объёмом всё немного проще: чем больше значение, тем лучше. Однако стоит учитывать, что 32-битные операционные системы не умеют работать с ОЗУ объёмом больше 4 Гб. Даже если установить 16 Гб в систему, ОС увидит только 3 из них.
Какую выбрать частоту оперативной памяти DDR3
Частота ОЗУ характеризует количество данных, способных пройти через канал за единицу времени. Чем выше этот показатель, тем быстрее будет происходить обмен данными между платой и процессором. Частота имеет свои нюансы. Перед покупкой стоит убедиться в том, что материнская плата способна работать на максимальной частоте оперативной памяти. Помимо этого, частоты 2 планок памяти должны быть одинаковы, так как материнская плата может понизить общую частоту до минимального значения.
Kingston KVR16S11S8/4
Форм-фактор SODIMM значительно компактней своего старшего собрата DIMM Недорогая оперативная память на 4 Gb DDR3 для ноутбука по бюджетной цене. Состоит из одного модуля, частота которого составляет 1600 МГц при пропускной способности 12800 Мб/с. Тайминги средние — 11/11/11. Купить эту оперативную память DDR3 на 4 Gb для ноутбука можно за 2 200 руб.
Чем отличается оперативная память DDR3 от DDR4
Стандарт DDR4 впервые появился в 2011 году. А массово начал наполнять рынки с 2015 г. По сравнению с DDR3, он обладает удвоенным числом внутренних банков, большей пропускной способностью и надёжностью из-за новых механизмов контроля. Что касается физической совместимости, то с предыдущим типом память DDR4 несовместима. То есть, ставить планку DDR4 в разъём DDR3 не получится, и наоборот.
Интересно, что тесты показывают незначительное увеличение быстродействия памяти DDR4, в отличие от DDR3, в задачах, связанных с повседневной работой, веб-сёрфингом, работой с документами, просмотром видео и т.д. Однако в более специализированных задачах (рендеринг-видео, игры, компилирование и моделирование) память формата DDR4 с большими частотами показывает себя во всей красе.
Лучшие модули оперативной памяти DDR3, по мнению редакции
Мы решили собрать небольшой обзор на несколько вариантов ОЗУ, которые, по нашему мнению, считаются наиболее оптимальными.
Как правильно выбрать, если решено купить оперативную память
Первое, что нужно сделать, — это ознакомиться со спецификацией своей материнской платы. Здесь нас интересует количество свободных слотов, возможность работы в двухканальном режиме, а также частота шины. Стоит отметить, что многие производители материнских плат на своих официальных сайтах содержат список рекомендуемых и поддерживаемых устройств, таких как процессоры и ОЗУ. Поэтому рекомендуем также обратиться за помощью туда.
Ну а что касается выбора модуля ОЗУ, то подбирать назначение и характеристики нужно исходя из полученных данных о материнской плате. Сначала нужно определить вид оперативной памяти. Если компьютер более новый, то, скорее всего, это будет либо DDR3, либо DDR4. Затем нужно посмотреть максимальную частоту шины. И уже по ней ориентироваться среди модулей памяти. Если установить оперативку с большей частотой, чем у шины, работать она будет на своей базовой частоте. Для двух и более канальных режимов лучше посмотреть в сторону специальных наборов модулей, которые производят некоторые компании. Они абсолютно идентичны друг другу и прекрасно подходят для реализации многоканальности. Ограничение по объёму памяти могут возникнуть либо при недостаточном бюджете, либо для 32-битных операционных систем.
Что такое тайминги оперативной памяти
Тайминг, или латентность, показывает задержку во времени при работе ОЗУ. Измеряются тайминги в тактах шины памяти. Чем больше цифра, тем медленнее работает микросхема. Обычно тайминги в спецификациях обозначаются тремя цифрами. Может присутствовать и четвёртая, которая характеризует общее быстродействие. Чем ниже будут все эти показатели, тем быстрее работает память.
Сколько стоит оперативная память — обзор цен
Crucial CT4K32G4LFD424A
- Тип: DDR4.
- Форм-фактор: DIMM.
- Частота: 2400 МГц.
- Пропускная способность: 19200 Мб/с.
- Комплект из 4 модулей по 32 Гб.
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
- Тип: DDR3.
- Форм-фактор: DIMM.
- Частота: 1600 МГц.
- Пропускная способность: 12800 Мб/с.
- Модуль на 4 Гб.
AMD R534G1601S1S-UGO
- Тип: DDR3.
- Форм-фактор: SODIMM.
- Частота: 1600 МГц.
- Пропускная способность: 12800 Мб/с.
- Модуль на 4 Гб.
Kingston KVR13LR9S4/4
- Тип: DDR3L.
- Форм-фактор: DIMM.
- Частота: 1333 МГц.
- Пропускная способность: 10600 Мб/с.
- Модуль на 4 Гб.
Hynix DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb
- Тип: DDR3.
- Форм-фактор: DIMM.
- Частота: 1333 МГц.
- Пропускная способность: 10600 Мб/с.
- Модуль на 4 Гб.
Если вы знаете о каких-либо интересных и важных нюансах работы ОЗУ, то можете поделиться своими познаниями в комментариях.
Новый Год – приятный, светлый праздник, в который мы все подводим итоги год ушедшего, смотрим с надеждой в будущее и дарим подарки. В этой связи мне хотелось бы поблагодарить всех хабра-жителей за поддержку, помощь и интерес, проявленный к моим статьям (1, 2, 3, 4). Если бы Вы когда-то не поддержали первую, не было и последующих (уже 5 статей)! Спасибо! И, конечно же, я хочу сделать подарок в виде научно-популярно-познавательной статьи о том, как можно весело, интересно и с пользой (как личной, так и общественной) применять довольно суровое на первый взгляд аналитическое оборудование. Сегодня под Новый Год на праздничном операционном столе лежат: USB-Flash накопитель от A-Data и модуль SO-DIMM SDRAM от Samsung.
Теоретическая часть
Постараюсь быть предельно краток, чтобы все мы успели приготовить салат оливье с запасом к праздничному столу, поэтому часть материала будет в виде ссылок: захотите – почитаете на досуге…
Какая память бывает?
На настоящий момент есть множество вариантов хранения информации, какие-то из них требуют постоянной подпитки электричеством (RAM), какие-то навсегда «вшиты» в управляющие микросхемы окружающей нас техники (ROM), а какие-то сочетают в себе качества и тех, и других (Hybrid). К последним, в частности, и принадлежит flash. Вроде бы и энергонезависимая память, но законы физики отменить сложно, и периодически на флешках перезаписывать информацию всё-таки приходится.
Тут можно подробнее ознакомиться с ниже приведённой схемой и сравнением характеристик различных типов «твердотельной памяти». Или тут – жаль, что я был ещё ребёнком в 2003 году, в таком проекте не дали поучаствовать…
Современные типы «твердотельной памяти». Источник
Единственное, что, пожалуй, может объединять все эти типы памяти – более-менее одинаковый принцип работы. Есть некоторая двумерная или трёхмерная матрица, которая заполняется 0 и 1 примерно таким образом и из которой мы впоследствии можем эти значения либо считать, либо заменить, т.е. всё это прямой аналог предшественника – памяти на ферритовых кольцах.
Что такое flash-память и какой она бывает (NOR и NAND)?
Начнём с flash-памяти. Когда-то давно на небезызвестном ixbt была опубликована довольно подробная статья о том, что представляет собой Flash, и какие 2 основных сорта данного вида памяти бывают. В частности, есть NOR (логическое не-или) и NAND (логическое не-и) Flash-память (тут тоже всё очень подробно описано), которые несколько отличаются по своей организации (например, NOR – двумерная, NAND может быть и трехмерной), но имеют один общий элемент – транзистор с плавающим затвором.
Схематическое представление транзистора с плавающим затвором. Источник
Итак, как же это чудо инженерной мысли работает? Вместе с некоторыми физическими формулами это описано тут. Если вкратце, то между управляющим затвором и каналом, по которому ток течёт от истока к стоку, мы помещаем тот самый плавающий затвор, окружённый тонким слоем диэлектрика. В результате, при протекании тока через такой «модифицированный» полевой транзистор часть электронов с высокой энергией туннелируют сквозь диэлектрик и оказываются внутри плавающего затвора. Понятно, что пока электроны туннелировали, бродили внутри этого затвора, они потеряли часть энергии и назад практически вернуться не могут.
NB: «практически» — ключевое слово, ведь без перезаписи, без обновления ячеек хотя бы раз в несколько лет Flash «обнуляется» так же, как оперативная память, после выключения компьютера.
Там же, на ixbt, есть ещё одна статья, которая посвящена возможности записи на один транзистор с плавающим затвором нескольких бит информации, что существенно увеличивает плотность записи.
В случае рассматриваемой нами флешки память будет, естественно, NAND и, скорее всего, multi-level cell (MLC).
Если интересно продолжить знакомиться с технологиями Flash-памяти, то тут представлен взгляд из 2004 года на данную проблематику. А здесь (1, 2, 3) некоторые лабораторные решения для памяти нового поколения. Не думаю, что эти идеи и технологии удалось реализовать на практике, но, может быть, кто-то знает лучше меня?!
Что такое DRAM?
Если кто-то забыл, что такое DRAM, то милости просим сюда.
Опять мы имеем двумерный массив, который необходимо заполнить 0 и 1. Так как на накопление заряда на плавающем затворе уходит довольно продолжительное время, то в случае RAM применяется иное решение. Ячейка памяти состоит из конденсатора и обычного полевого транзистора. При этом сам конденсатор имеет, с одной стороны, примитивное физическое устройство, но, с другой стороны, нетривиально реализован в железе:
Устройство ячейки RAM. Источник
Опять-таки на ixbt есть неплохая статья, посвящённая DRAM и SDRAM памяти. Она, конечно, не так свежа, но принципиальные моменты описаны очень хорошо.
Единственный вопрос, который меня мучает: а может ли DRAM иметь, как flash, multi-level cell? Вроде да, но всё-таки…
Часть практическая
Flash
Те, кто пользуется флешками довольно давно, наверное, уже видели «голый» накопитель, без корпуса. Но я всё-таки кратко упомяну основные части USB-Flash-накопителя:
Основные элементы USB-Flash накопителя: 1. USB-коннектор, 2. контроллер, 3. PCB-многослойная печатная плата, 4. модуль NAND памяти, 5. кварцевый генератор опорной частоты, 6. LED-индикатор (сейчас, правда, на многих флешках его нет), 7. переключатель защиты от записи (аналогично, на многих флешках отсутствует), 8. место для дополнительной микросхемы памяти. Источник
Пойдём от простого к сложному. Кварцевый генератор (подробнее о принципе работы тут). К моему глубокому сожалению, за время полировки сама кварцевая пластинка исчезла, поэтому нам остаётся любоваться только корпусом.
Корпус кварцевого генератора
Случайно, между делом, нашёл-таки, как выглядит армирующее волокно внутри текстолита и шарики, из которых в массе своей и состоит текстолит. Кстати, а волокна всё-таки уложены со скруткой, это хорошо видно на верхнем изображении:
Армирующее волокно внутри текстолита (красными стрелками указаны волокна, перпендикулярные срезу), из которого и состоит основная масса текстолита
А вот и первая важная деталь флешки – контроллер:
Контроллер. Верхнее изображение получено объединением нескольких СЭМ-микрофотографий
Признаюсь честно, не совсем понял задумку инженеров, которые в самой заливке чипа поместили ещё какие-то дополнительные проводники. Может быть, это с точки зрения технологического процесса проще и дешевле сделать.
После обработки этой картинки я кричал: «Яяяяязь!» и бегал по комнате. Итак, Вашему вниманию представляет техпроцесс 500 нм во всей свой красе с отлично прорисованными границами стока, истока, управляющего затвора и даже контакты сохранились в относительной целостности:
«Язь!» микроэлектроники – техпроцесс 500 нм контроллера с прекрасно прорисованными отдельными стоками (Drain), истоками (Source) и управляющими затворами (Gate)
Теперь приступим к десерту – чипам памяти. Начнём с контактов, которые эту память в прямом смысле этого слова питают. Помимо основного (на рисунке самого «толстого» контакта) есть ещё и множество мелких. Кстати, «толстый» < 2 диаметров человеческого волоса, так что всё в мире относительно:
СЭМ-изображения контактов, питающих чип памяти
Если говорить о самой памяти, то тут нас тоже ждёт успех. Удалось отснять отдельные блоки, границы которых выделены стрелочками. Глядя на изображение с максимальным увеличением, постарайтесь напрячь взгляд, этот контраст реально трудно различим, но он есть на изображении (для наглядности я отметил отдельную ячейку линиями):
Ячейки памяти 1. Границы блоков выделены стрелочками. Линиями обозначены отдельные ячейки
Мне самому сначала это показалось как артефакт изображения, но обработав все фото дома, я понял, что это либо вытянутые по вертикальной оси управляющие затворы при SLC-ячейке, либо это несколько ячеек, собранных в MLC. Хоть я и упомянул MLC выше, но всё-таки это вопрос. Для справки, «толщина» ячейки (т.е. расстояние между двумя светлыми точками на нижнем изображении) около 60 нм.
Чтобы не лукавить – вот аналогичные фото с другой половинки флешки. Полностью аналогичная картина:
Ячейки памяти 2. Границы блоков выделены стрелочками. Линиями обозначены отдельные ячейки
Конечно, сам чип – это не просто набор таких ячеек памяти, внутри него есть ещё какие-то структуры, принадлежность которых мне определить не удалось:
Другие структуры внутри чипов NAND памяти
Всю плату SO-DIMM от Samsung я, конечно же, не стал распиливать, лишь с помощью строительного фена «отсоединил» один из модулей памяти. Стоит отметить, что тут пригодился один из советов, предложенных ещё после первой публикации – распилить под углом. Поэтому, для детального погружения в увиденное необходимо учитывать этот факт, тем более что распил под 45 градусов позволил ещё получить как бы «томографические» срезы конденсатора.
Однако по традиции начнём с контактов. Приятно было увидеть, как выглядит «скол» BGA и что собой представляет сама пайка:
«Скол» BGA-пайки
А вот и второй раз пора кричать: «Язь!», так как удалось увидеть отдельные твердотельные конденсаторы – концентрические круги на изображении, отмеченные стрелочками. Именно они хранят наши данные во время работы компьютера в виде заряда на своих обкладках. Судя по фотографиям размеры такого конденсатора составляют около 300 нм в ширину и около 100 нм в толщину.
Из-за того, что чип разрезан под углом, одни конденсаторы рассечены аккуратно по середине, у других же срезаны только «бока»:
DRAM память во всей красе
Если кто-то сомневается в том, что эти структуры и есть конденсаторы, то тут можно посмотреть более «профессиональное» фото (правда без масштабной метки).
Единственный момент, который меня смутил, что конденсаторы расположены в 2 ряда (левое нижнее фото), т.е. получается, что на 1 ячейку приходится 2 бита информации. Как уже было сказано выше, информация по мультибитовой записи имеется, но насколько эта технология применима и используется в современной промышленности – остаётся для меня под вопросом.
Конечно, кроме самих ячеек памяти внутри модуля есть ещё и какие-то вспомогательные структуры, о предназначении которых я могу только догадываться:
Другие структуры внутри чипа DRAM-памяти
Послесловие
Помимо тех ссылок, что раскиданы по тексту, на мой взгляд, довольно интересен данный обзор (пусть и от 1997 года), сам сайт (и фотогалерея, и chip-art, и патенты, и много-много всего) и данная контора, которая фактически занимается реверс-инжинирингом.
К сожалению, большого количества видео на тему производства Flash и RAM найти не удалось, поэтому довольствоваться придётся лишь сборкой USB-Flash-накопителей:
P.S.: Ещё раз всех с наступающим Новым Годом чёрного водяного дракона.
Странно получается: статью про Flash хотел написать одной из первых, но судьба распорядилась иначе. Скрестив пальцы, будем надеяться, что последующие, как минимум 2, статьи (про биообъекты и дисплеи) увидят свет в начале 2012 года. А пока затравка — углеродный скотч:
Углеродный скотч, на котором были закреплены исследуемые образцы. Думаю, что и обычный скотч выглядит похожим образом
Во-первых, полный список опубликованных статей на Хабре:
В-третьих, если тебе, дорогой читатель, понравилась статья или ты хочешь простимулировать написание новых, то действуй согласно следующей максиме: «pay what you want»
Yandex.Money 41001234893231
WebMoney (R296920395341 или Z333281944680)
Иногда кратко, а иногда не очень о новостях науки и технологий можно почитать на моём Телеграм-канале — милости просим;)
Если компьютер стал медленнее работать, решением этой проблемы может стать дополнительная ОЗУ. В таком случае нужно разобраться, что же такое ОЗУ и для чего оно необходимо, выяснить его параметры, а также ознакомиться с рекомендациями по установке и замене данного модуля.
Ведущие производители оперативной памяти
За время существования ОЗУ уже успел сформироваться костяк основных производителей-лидеров. Их модули надёжны и производительны. Давайте посмотрим, кто сейчас занимает топовые позиции по производству ОЗУ:
- Kingston. Американская компания, которая занимает 46% всего рынка оперативной памяти. Её продукция очень часто попадает в различные топы и рейтинги. Помимо ОЗУ, компания также производит внешние накопители. Кстати, модули памяти HyperX принадлежат именно этой компании;
- Micron. Американская компания, больше известная под брендом C Она занимает весомую нишу в производстве ОЗУ;
- Corsair. Американская компания, которая занимается не только разработкой ОЗУ, но и производством различной компьютерной периферии, охлаждением и многим другим электронным оборудованием;
- Samsung. Про эту корейскую компанию, наверное, знают все. В её виды деятельности входит множество различных направлений. И одна из них — производство ОЗУ.
G.SKILL F3-2400C10D-16GTX
Иногда кажется, что производители ОЗУ соревнуются между собой в дизайне Один из топовых комплектов ОЗУ. Общий объём составляет 16 Гб, то есть две планки по 8 Гб. Максимально возможная частота — 2400 МГц. Тайминги относительно невысокие — 10/12/12/31. Стоимость комплекта — 18 600 руб.
Краткий экскурс в историю
Давным-давно, когда компьютеры были большими, программы маленькими, а вирусов не существовало вообще, применялись модули SIMM нескольких модификаций: на 30, 68 и 72 контакта. Работали они в связке с процессорами от 286 до 486 включительно.
Сейчас найти такой компьютер в работоспособном состоянии крайне сложно: для него не существует современного софта. Программы, которые теоретически можно было бы запустить, на практике оказываются слишком тяжеловесными.
Главное отличие от предшественника в том, что расположенные на обеих сторонах планки контакты независимы, в отличие от спаренных контактов на SIMM. Здесь уже задействована технология SDRAM – синхронная динамическая память с произвольным доступом.Массовый выпуск этого типа памяти начался в 1993 году. Предназначались такие модули, в первую очередь, для процессора Intel Pentium или Celeron на 64-разрядной шине данных.
Модули памяти SO-DIMM более компактны, так как используются в ноутбуках.
Если точнее, правильно такой тип памяти называется DDR SDRAM. Появилась на рынке в 2001 году и использовалась в качестве оперативки и видеопамяти. Отличия от предшественника в удвоенной частоте, так как планка способна передавать данные дважды за один такт.
Это первый из типов модулей памяти, который может работать в двухканальном режиме.
Подробнее о том, что такое двухканальный режим, вы можете узнать здесь.
И так да, DDR SDRAM и ее потомки выпускаются в формфакторе DIMM, то есть имеют независимые контакты с обеих сторон.
Этот тип памяти смог составить конкуренцию предшественнику уже в 2004 году и занимал лидирующие позиции до 2010 года. Планки выпускались в формфакторах DIMM для десктопных компьютеров и SO-DIMM для портативных.
По сравнению с предшественником этот тип памяти имеет:
- Большую пропускную способность;
- Меньшее энергопотребление;
- Улучшенное охлаждение благодаря конструкции.
К недостаткам стоит отнести более высокие тайминги оперативной памяти. Что это такое можно узнать здесь.
Подобно предшественнику, выпускаются в виде 240-контактной планки, однако несовместимы из-за разных разъемов (далее расскажу об этом более подробно).
Тип памяти отличается еще большей частотой и меньшим энергопотреблением, а также увеличением предподкачки с 4 до 8 бит. Существует модификация DDR3L со сниженным до 1,35 В рабочим напряжением. Кстати, о частоте. Есть несколько модификаций: 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 или 2400 с соответствующей скоростью передачи данных.Выпускается с 2012 года. Компьютеры, использующий этот тип памяти, работают до сих пор. Объем установленных модулей от 1 до 16 Гб. В формфакторе SO-DIMM «потолок» — 8 Гб.
Четвертое поколение удвоило количество внутренних банков, благодаря чему увеличилась скорость передачи внешней шины. Массовое производство началось с 2014 году. У топовых моделей пропускная способность достигает 3200 миллионов передач за секунду, а выпускаются они в модулях объемом от 4 до 128 Гб.
Имеют они уже 288 контактов. Физические размеры детали те же, поэтому разъемы упакованы плотнее. По сравнению с DDR3 незначительно увеличена высота.Модули SO-DIMM имеют по 260 контактов, расположенных ближе друг к другу.
Характеристики ОЗУ
Помимо главной характеристики объёма, существует ещё ряд характеристик, по которым можно определить быстродействие микросхемы.
Как увеличить объём оперативной памяти
На самом деле, увеличить объём ОЗУ можно, лишь установив дополнительную планку в слот физически. Но существуют методы, которые позволяют имитировать этот процесс, в ущерб производительности и скорости чтения и записи, ведь ОЗУ — это память, в которой хранятся некие данные.
Первый способ, который можно использовать, — это заимствование места у флеш-карты. То есть, мы используем память внешнего накопителя в качестве оперативной. Для этого существует функция Readyboost, которая по умолчанию поставляется с операционной системой Windows, начиная с Vista. Для того чтобы применить данный метод, нужно вставить флешку, щёлкнуть на ней правой кнопкой и выбрать свойства.
Здесь система сама проверит флешку на пригодность и сообщит, можно ли использовать её в качестве ОЗУ. Не все флешки поддерживаются, поэтому система может уведомить о том, что это устройство использовать таким образом нельзя. Данный метод нужно применять в самых крайних случаях, потому что реального прироста он не даст. Даже если и получится запустить несколько дополнительных программ и приложений, скорость их работы будет очень маленькой. Связано это с тем, что сменные носители работают гораздо медленнее, чем ОЗУ.
В некоторых случаях может помочь увеличение или включение файла подкачки. Этот приём позволяет использовать свободное место на жёстком диске в качестве оперативной памяти. Он имеет такой же недостаток, как и с флешкой, − медленная скорость работы. Попасть в настройку файл подкачки можно, щёлкнув правой кнопкой на иконке «Моего компьютера» и выбрав свойства.
Затем нужно перейти в «Дополнительные параметры системы» и выбрать вкладку «Дополнительно». В блоке «Быстродействие» есть кнопка «Параметры», которая откроет окно с параметрами быстродействия. Нас интересует вкладка «Дополнительно», которая содержит блок «Виртуальная память».
Это и есть файл подкачки. В этом же блоке будет указано, сколько всего памяти используется в данный момент.
Чтобы задать свой размер, нужно нажать по кнопке «Изменить».
В новом окне перед пользователем предстанет набор настроек. Можно установить галочку для того, чтобы система автоматически подстраивала и увеличивала объём файла подкачки по мере необходимости. Чуть ниже можно указать размер вручную или вовсе не использовать файл подкачки. После указания всех изменений нужно нажать по кнопке «Задать» и затем OK. Таким образом, можно временно решить проблему нехватки ОЗУ.
Оперативная память на 4 Gb Kingston KVR16N11S8/4
Этот модуль выглядит как обычная плата Комплект состоит из одного модуля на 4 Гб, с частотой в 1600 МГц. Работает планка с таймингами 11/11/11. Купить эту оперативную память DDR3 на 4 Gb для ПК можно за 2 000 руб.
Как определить модель
Встроенные в Windows утилиты позволяют узнать только минимальную информацию – объем установленной памяти. Какого она типа, таким способом узнать невозможно. На помощь придет сторонний софт, выдающий полную информацию о системе – например, Everest или AIDA64.
Также тип памяти прописан в BIOS. Где именно указана эта информация и как вызвать BIOS, зависит от его модификации. В большинстве случаев достаточно удерживать кнопку Del при запуске компьютера, однако возможны исключения.
Естественно, маркировка указывается на самой оперативке, а точнее на приклеенном шильдике. Чтобы добраться до планки, придется разобрать корпус и демонтировать ее. В случае с ноутбуком эта простая задача превращается в увлекательнейший квест с просмотром подробных инструкций по разборке.
Вот, собственно, все о типах оперативки, что достаточно знать для самостоятельного подбора комплектующих. И если вы собираете игровой комп, рекомендую ознакомиться с информацией о влиянии оперативной памяти в играх.
Спасибо за внимание и до следующих встреч! Не забывайте подписаться на обновления этого блога и делиться публикациями в социальных сетях.
Сколько стоит оперативная память DDR3 – обзор цен модулей на 4, 8 и 16 ГБ
Hynix DDR3 1333 DIMM 2Gb
Если у вас есть накопленный опыт по работе и установке ОЗУ, то можете поделиться им в комментариях.
Режимы работы ОЗУ
Память может работать в нескольких режимах: одноканальном, двухканальном, трёхканальном и даже четырёхканальном. Что такое двухканальный режим оперативной памяти? ОЗУ обычно считается самым узким местом по скорости работы во всей системе. То есть, взаимодействие между узлами и элементами материнской платы могло бы быть быстрее, если бы ОЗУ могла работать лучше.
Для этого на системных платах шины для оперативки размещаются по принципу нескольких каналов. То есть если установить планки памяти на разные каналы, то доступ к данным будет происходить гораздо быстрее. Однако для этого нужно выполнить ряд условий. Во-первых, модули должны быть абсолютно одинаковыми, иметь одну и ту же ёмкость, частоту и пропускную способность. Размещать планки памяти нужно в шинах с разными каналами. Производители материнских плат специально раскрашивают свои шины в разные цвета. То есть, каналы могут содержать по два слота разных цветов. В такой же аналогии устанавливаются и другие многоканальные системы.
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10
Плата от Corsair выглядит стильно Ещё один комплект из двух модулей по 8 ГБ. Частота не самая высокая — 1600 МГц, а пропускная способность — 12800 Мб/с. Тайминги распределились так: 10/10/10/27. Напряжение составляет 1,5 В. Купить этот комплект можно за 9 000 руб.
Как устроена ОЗУ
При запуске какой-либо программы на компьютере или телефоне ей требуется где-то расположить переменные, которыми она собралась оперировать. Приложение сообщает операционной системе, что ей нужно сохранить определённый объём данных. Система выделяет необходимый участок памяти. И до тех пор, пока программа запущена, она может пользоваться всем выделенным ей сегментом ОЗУ. При необходимости программа может дополнительно запросить место под новые переменные или же, наоборот, освободить место в ОЗУ. Физически же на микросхеме при заполнении данных возникают заряды в конденсаторах. А при освобождении происходит их обнуление.
Кстати, стоит отметить, что кэш процессора также является ОЗУ. Просто это память статического типа. Главное её достоинство — скорость работы и отсутствие необходимости в регенерации. Такая память представляет собой набор транзисторов, собранных в триггер. Из-за этого стоимость такой памяти гораздо выше, чем простой динамической. Именно поэтому она используется как кэш в процессорах.
Как выбрать оперативную память DDR3 для компьютера
Для того чтобы выбрать ОЗУ, недостаточно просто купить первую попавшуюся в планку и воткнуть её в материнскую плату. Для стабильной и оптимизированный работы требуется правильно подобрать количество каналов, частоты, объём и тайминги. Об этом и многих других существующих нюансах мы расскажем дальше.
Выбор метода разгона по частоте и таймингам
Увеличить частоту работы памяти можно с помощью FSB – повышения частоты системной шины. При этом увеличивается вся общая производительность. В разных версиях BIOS обозначаться они могут как соотношение 1:1, 1:2 или в процентах. Если же материнская плата поддерживает встроенные профили, то задача сильно упрощается. Устанавливать значения частоты вручную стоит постепенно, небольшими шагами. После каждого изменения необходимо загрузиться в операционную систему и проверить её на стабильность в производительных играх или тестах. Если система стабильна, можно пробовать повышать ещё. Стандартный интерфейс БИОС Повышение производительности с помощью таймингов можно также выполнить из-под BIOS, или используя специальные утилиты прямо в операционной системе. Основные 4 тайминга оказывают наибольшее влияние на производительность − это CL, tRCD, tRP, tRAS. Именно они указываются в спецификации к оперативной памяти. Для увеличения производительности их нужно уменьшать. Делать это нужно так же, как и с частотой постепенно, каждый раз проверяя стабильность системы. Устанавливать значения нужно постепенно, каждый раз проверяя стабильность Интересно, что иногда не самые быстрые тайминги памяти при разных частотах могут выдавать неплохие общие результаты. Поэтому после нахождения идеального стабильного значения можно немного поиграть с частотами и таймингами в разных направлениях и сравнить производительность.
Как разогнать оперативную память DDR3
На быстродействие ОЗУ в основном влияют два параметра: частота и тайминги. Разгонять можно как с помощью одного, так и другого. А можно и вовсе найти идеальное стабильное решение. маневрируя значениями между ними двумя.
Как увеличить частоту оперативной памяти
Увеличение частоты ОЗУ называется разгон. И осуществить его можно, увеличив общую частоту системной шины. Надо помнить, что изменение этого параметра, так или иначе, повлияет на работу всей системы в целом, в том числе и процессора.
Производится эта операция через Bios компьютера. Обычно нужно нажать клавишу F2, F8 или DEL, чтобы войти в него. Также могут встречаться и другие комбинации. В разных версиях BIOS пункты, отвечающие за установку значений частоты, могут называться по-разному. Нужно искать что-то вроде CPU Host Frequency.
Находиться эта опция может в настройках питания или специальном отдельном пункте. Также на некоторых системах придётся изначально разблокировать возможность вручную менять установки.
Такой пункт может называться примерно CPU Host Frequency Control. Повышать частоту необходимо маленькими шажками, каждый раз перезагружаясь и проверяя систему на стабильность. Как только начали появляться ошибки или неправильная работа, надо вернуться в Bios и вернуть предыдущее значение частоты.
Что такое оперативная память для компьютера или ноутбука
Естественно, что чаще всего при упоминании слова оперативная память понимается именно ОЗУ для компьютера. В компьютерах, собственно как и везде, оперативная память предназначена для хранения данных. Выглядит она обычно как небольшая микросхема с контактами для установки в шину материнской платы. На микросхеме размещены массивы из конденсаторов и транзисторов.
По сути, именно они и хранят заряд, формируя, таким образом, двоичный код из набора битов, в зависимости от того, существует ли заряд. Из-за, того что в оперативной памяти ПК используются конденсаторы, заряд периодически уменьшается. И нужно как-то поддерживать это в актуальном состоянии. Для чего оперативной памяти и требуется регенерация, которая происходит обычно в течение 2 миллисекунд. Однако этот процесс снижает общую производительность ОЗУ из-за того, что обращение к памяти ненадолго приостанавливается.
Совместимость типов памяти
Существует заблуждение, что из-за особенностей интерфейса планку памяти невозможно вставить в неподходящие слоты. Скажу так: достаточно сильный парень (и даже некоторые девчонки) вставит что угодно куда угодно – не только оперативную память, но и процессор Intel в слот для AMD. Правда, есть одно НО: работать такая сборка, увы, не будет.
Остальные юзеры, собирающие компы аккуратно, обычно оперативку вставить в неподходящий слот не могут. Даже если планки имеют одинаковые габариты, это не позволит сделать так называемый ключ. Внутри слота есть небольшой выступ, не дающий смонтировать несоответствующий тип ОЗУ. На подходящей же планке в этом месте есть небольшой вырез, поэтому вставить ее можно без проблем.
Форм-фактор
Форм-фактор − это вариант конструктивного исполнения. Другими словами, то, как внешне выглядит микросхема. Различают несколько основных форм-факторов:
- SIMM. Этот тип уже давно устарел и не выпускается. Модуль с контактами, которые присутствовали только с одной стороны платы;
- DIMM. Этот форм-фактор используется для размещения на персональных компьютерах. Имеет контакты с 2 сторон. Микросхемы для хранения памяти могут располагаться как на одной стороне, так и на другой. DIMM имеет множество различных исполнений, различие в которых состоит в количестве контактов и расположении ключа. Например, все варианты памяти DDR представляют собой форм-фактор DIMM;
- SO-DIMM. Это уменьшенный вариант предыдущего форм-фактора. Применяется в ноутбуках. Также иногда может использоваться в некоторых периферийных устройствах, например, в принтерах.
Нюансы ремонта оперативной памяти DDR3
На самом деле максимальный ремонт, который сможет провести в домашних условиях неподготовленный пользователь, — это протереть контакты платы тряпочкой со спиртом. Во всех же остальных случаях придётся обращаться к услугам профессионалов или вовсе менять модуль на новый. Нестабильная работа ОЗУ обычно характеризуется небольшими подтормаживаниями системы, частыми беспричинными перезагрузками и «синими экранами смерти».
Частота и пропускная способность
Общая производительность системы характеризуется пропускной способностью, которая, в свою очередь, формируется на основе частоты. Они же показывают общий потенциал ОЗУ. По сути, частота отражает скорость передачи данных в единицу времени. Чем больше — тем лучше. Пропускная способность показывает общую скорость передачи данных с учётом частоты, разрядности и количества каналов. Обычно оба этих параметра указываются в спецификации ОЗУ. При выборе нужно всегда учитывать их, ориентируясь на то, что они должны быть равны частотам и пропускной способности системной шины. Только в таком случае можно добиться максимального быстродействия.
Как увеличить производительность ОЗУ на компьютере
В тот момент, когда производительности ОЗУ начинает не хватать, хочется увеличить её максимально бюджетным способом. Для этого нужно воспользоваться несколькими доступными методами. Перед тем как увеличить ОЗУ на ПК штатными средствами, лучше сначала убедиться в том, что памяти действительно не хватает, ведь проблема низкой производительности может скрываться в другом.
Что такое оперативная память телефона
ОЗУ телефона выполняет, по сути, ту же функцию, что и в компьютере, — хранит данные. Ввиду того что производительность мобильных систем, таких как планшеты и телефоны, довольно мала, по сравнению с компьютерами, то ОЗУ обычно имеет гораздо меньший объём.
Да и своими размерами она значительно уступает компьютерной.
Corsair CMSX8GX3M1A1600C10
ОЗУ − что это такое в компьютере, ноутбуке и телефоне
Аббревиатура ОЗУ расшифровывается как оперативное запоминающее устройство. Внешне оперативная память компьютера выглядит как набор микросхем для хранения данных. ОЗУ энергозависима, то есть при отключении питания всё, что хранилось в памяти, будет стёрто. Служит оперативная память для временного хранения информация. В отличие от жёсткого диска, обладает скоростью работы в разы выше.
Что значит термин «оперативная память»? Он означает, что ОЗУ обеспечивает именно оперативную доставку данных от приложения к памяти и наоборот. Она используется во многих электронных устройствах. Это и компьютеры, и планшеты со смартфонами, и роутеры, и много-много другой техники, которой, так или иначе, требуется сохранить набор временных данных.
Ballistix BLT2CP4G3D1608DT1TX0CEU
Фирменный цвет Ballistix − жёлтый Этот набор также состоит из двух планок по 4 Гб. Частота ОЗУ составляет 1600 МГц. Пропускная способность − 12800. Тайминги в этом варианте минимальны, и каждый из них составляет 8. То есть, это недорогое решение с потенциалом для разгона. Стоимость комплекта составляет 5 200 руб.
Как выставить значения и поменять настройки
Чтобы правильно настроить производительность, необходимо изменить значения параметров частоты или таймингов. Сделать это можно через БИОС или же с помощью программ. Остановимся на обоих моментах подробнее.
Через интерфейс БИОС
Разновидностей БИОС существует масса, и называться пункты в них могут по-разному. Для изменения частоты может понадобиться пункт «Memory Frequency», «CPU Clock Ratio» или схожие по смыслу. Вообще, мы рекомендуем вам выбирать способ разгона исходя из модели своей материнской платы, найдя её спецификации и руководства по настройке на официальном сайте производителя. Современные БИОС — UEFI просты в использовании Для установки значений таймингов придётся искать в БИОС что-то типа DRAM Timing Selectable или DRAM Configuration. Обычно эти пункты установлены в режим Auto, поэтому нужно переключить их в Manual. Это разблокирует имеющиеся тайминги для редактирования. 4 главных из них, наиболее влияющих на производительность, обычно выделены в отдельный блок. Теперь их можно менять, перезагружаясь каждый раз и проверяя систему на стабильность.
Через программу для разгона оперативной памяти DDR3
На самом деле, программы, которые бы действительно могли полноценно разгонять ОЗУ из под Windows, – редкость. В большинстве своём, это утилиты для разгона частоты системной шины. Можно выделить разве что программу MemSet, которая способна менять тайминги на лету из-под операционной системы. Однако, стоит сначала ознакомиться с перечнем поддерживаемых ею систем, так как работать она может не со всеми. Так выглядит программа MemSet Поэтому универсальное средство для разгона всего спектра присутствующих на рынке систем найти трудно. Мы рекомендуем использовать то программное обеспечение, которое поставляется с материнской платой, так как многие современные производители стараются упростить взаимодействие своих продуктов с пользователями. Это позволит использовать оптимизированный под конкретную сборку ПК методику разгона.
Отслеживание производительности программой для теста оперативной памяти DDR3
После каждого изменения параметров системы необходимо следить за тем, насколько её работа стабильна. Проверять это можно как с помощью игр, так и специальных утилит. Их существует несколько. Самая простая из них — MemTest. Эта маленькая программка проверяет ОЗУ на ошибки записи/чтения. Интерфейс её настолько прост, что даже особых навыков для её использования не потребуется. Достаточно ввести необходимый объём тестируемой памяти или же оставить весь имеющийся и нажать Start Testing. После проверки она сообщит, сколько процентов ошибок было найдено во время тестирования. Программа такая же маленькая, как и её окно Отдельный модуль для проверки стабильности системы в целом содержит и AIDA64 – программа для анализа и слежения за состоянием оборудования и системы. В настройках можно указать, какие из разделов нужно проверить: оперативную память, процессор или же графический адаптер.
Какие тайминги лучше для оперативной памяти DDR3
Тайминги ОЗУ также называются латентностью. Они характеризуют временную задержку сигнала на участке между процессором и ОЗУ. Обычно тайминги отражаются в спецификации оперативной памяти четырьмя цифрами. Если не углубляться в технические подробности, то каждая из цифр показывает отдельный тип задержки при обращении к памяти. При выборе стоит руководствоваться правилом: чем меньше задержка, тем лучше.
HyperX HX324C11SRK2/16
HyperX HX324C11SRK2/16 выполнена в стильном красном корпусе Это комплект модулей из 2 штук. Каждая планка имеет по 8 ГБ. Максимально заявленная частота составляет 2 400 МГц. А максимальная пропускная способность − 19200 мб/с. Тайминги памяти не самые маленькие. Однако ОЗУ имеет собственные профили XMP на два вида частот, с помощью которых можно регулировать производительность своей системы. Купить эту оперативную память DDR3 на 8 ГБ для ПК можно за 13 600 руб.
Что такое ОЗУ?
ОЗУ означает оперативное запоминающее устройство. Его также называют:
ОЗУ – это энергозависимая память компьютера, которая имеет произвольный доступ. Во время работы компьютера именно там хранятся все промежуточные, входные и выходные данные, которые обрабатывает процессор. Все данные находящиеся на RAM могут быть доступными и сохранятся только лишь тогда, когда к устройству подключено питание. Даже при кратковременном отключении электричества информация может исказиться или полностью уничтожиться.
Между Random Access Memory и процессором обмен данными происходит:
ОП представляет собой:
Использование ОЗУ
Операционные системы для обработки информации, а также хранения данных, которые часто используются, применяют оперативную память. Если бы в современных устройствах не было Random Access Memory, то все бы операции проходили намного медленней, так как требовалось бы гораздо больше времени для того чтобы считать информацию с постоянного источника памяти.
Кроме того, выполнить многопоточную обработку было бы невозможно. Благодаря наличию ОП все приложения и программы быстрее запускаются и работают. При этом ничто не затрудняет обработку всех данных, которые стоят в очереди. Некоторые операционные системы, такие как Windows 7 имеют свойства сохранять в памяти файлы, приложения и другую информацию, которую пользователь часто использует.
Таким образом, нет необходимости тратить время на то пока они начнут загружаться с диска, так как процесс начнется сразу же.
Как правило, из-за этого Random Access Memory будет постоянно загружена больше чем на 50%. Эту информацию можно посмотреть в диспетчере задач. Данные имеют свойства накапливаться и те приложения, которые стали использоваться реже будут вытеснены более необходимыми.
На сегодняшний момент наиболее распространенной является динамическая память, имеющая произвольный доступ (DRAM). Она используется во многих устройствах. При этом она относительно недорого стоит, однако работает медленнее, чем статическая (SRAM).
SRAM нашла свое применение в контролерах и видеочипах, а также используется в кэш памяти процессоров. Эта память имеет более высокую скорость, однако она занимает много места на кристалле. В свою очередь, производители решили, что объем гораздо важнее, чем ускоренная работа, поэтому в компьютерной периферии применяется DRAM. Кроме того, динамическая память стоит на порядок дешевле, чем статическая. При этом она обладает высокой плотностью. Благодаря этому, на точно таком же кремневом кристалле помещается больше ячеек с памятью. Единственным минусом является её не такая быстрая работа, как у SRAM.
Стоит учитывать, что вся информация, которая содержится на ОП может быть доступной только в том случае, когда устройство включено. После того, как пользователь осуществит выход из программы, все данные будут удалены. Поэтому прежде чем выходить из приложения необходимо сохранить все изменения или дополнения, которые были внесены.
ОП состоит из нескольких ячеек. Именно там и размещаются все данные. При каждом сохраненном изменении, последняя информация удаляется, а на её место записывается новая. Количество ячеек зависит от объёма Random Access Memory. Чем больше этот объем, тем выше производительность всей системы.
Чтобы узнать ОЗУ компьютера необходимо выполнить следующие действия:
Оперативная память DDR3 Hynix DDR3 1333 DIMM 2Gb
На плате заметно выделяются чипы с самой памятью Такой объём используется довольно редко и на старых системах. Об этом говорит и малая частота в 1333 МГц. Купить эту оперативную память DDR3 в 2 Гб можно по цене 900 руб.
Как установить и настроить оперативную память DDR3
В самом процессе установки нет ничего сложного и страшного. Вставить плату неправильно в слот не получится в любом случае. Перед монтажом следует снять статическое напряжение с себя, например, коснувшись системного блока. Это позволит избежать повреждения модуля и элементов материнской платы во время работы. Каждый модуль оснащён ключом — прорезью на плате. С его помощью определяется правильность установки.
Он должен совпасть с перегородкой в слоте. Приложив память в слот, нужно сделать небольшое усилие до характерного щелчка. Этот звук означает, что защёлки встали в нужное положение и зафиксировали модуль. Сразу после установки ОЗУ можно будет работать в режиме по умолчанию, используя не самую эффективную частоту. Поэтому придётся сначала заглянуть в BIOS. Если она поддерживает профили XMP, то можно выбрать готовый, если нет, то надо выставить значения вручную.
Читайте также: