Что означает sp на оперативной памяти
Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.
Оперативная память и её основные характеристики.
При выборе оперативной памяти для своего компьютера нужно обязательно отталкиваться от вашей материнской платы и процессора потому что модули оперативки устанавливаются на материнку и она же поддерживает определенные типы оперативной памяти. Таким образом получается взаимосвязь между материнской платой, процессором и оперативной памятью.
Узнать о том, какую оперативную память поддерживает ваша материнка и процессор можно на сайте производителя, где необходимо найти модель своей материнской платы, а также узнать какие процессоры и оперативную память для них она поддерживает. Если этого не сделать, то получится, что вы купили супер современную оперативку, а она не совместима с вашей материнской платой и будет пылиться где нибудь у вас в шкафу. Теперь давайте перейдем непосредственно к основным техническим характеристикам ОЗУ, которые будут служить своеобразными критериями при выборе оперативной памяти. К ним относятся:
Вот я перечислил основные характеристики ОЗУ, на которые стоит обращать внимание в первую очередь при её покупке. Теперь раскроем каждый из ни по очереди.
Объем
Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.
Что такое ОЗУ?
Оперативное запоминающее устройство (оперативная память) является временным хранилищем данных на компьютере. Ее задача заключается в том, чтобы загружать запрашиваемые данные из своего хранилища и оставлять их там в зашифрованном виде. Когда пользователь повторно запросит информацию, оперативная память быстрее даст результат, так как исходный материал уже был сохранен. Это принцип работы, от которого зависит расшифровка маркировки оперативной памяти.
Самые главные показатели ОЗУ - это частота и тайминг. Частота работы показывает, с какой скоростью передаются данные. Измеряется этот параметр в мегагерцах (сокр. МГц или MHz).
Тайминг отвечает за задержку времени. То есть, он показывает, сколько времени необходимо оперативной памяти, чтобы обработать запрос и выдать результат.
Режимы работы памяти.
Оперативная память может работать в нескольких режимах, если конечно такие режимы поддерживаются материнской платой. Это одноканальный, двухканальный, трехканальный и даже четырехканальный режимы. Поэтому при выборе оперативной памяти стоит обратить внимание и на этот параметр модулей.
Теоретически скорость работы подсистемы памяти при двухканальном режиме увеличивается в 2 раза, трехканальном – в 3 раза соответственно и т.д., но на практике при двухканальном режиме прирост производительности в отличии от одноканального составляет 10-70%.
Рассмотрим подробнее типы режимов:
- Single chanell mode (одноканальный или асимметричный) – этот режим включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга по объему памяти, частоте работы или производителю. Здесь неважно, в какие разъемы и какую память устанавливать. Вся память будет работать со скоростью самой медленной из установленной памяти.
- Dual Mode (двухканальный или симметричный) – в каждом канале устанавливается одинаковый объем оперативной памяти (и теоретически происходит удвоение максимальной скорости передачи данных). В двухканальном режиме модули памяти работают попарно 1-ый с 3-им и 2-ой с 4-ым.
- Triple Mode (трехканальный) – в каждом из трех каналов устанавливается одинаковый объем оперативной памяти. Модули подбираются по скорости и объему. Для включения этого режима модули должны быть установлены в 1, 3 и 5/или 2, 4 и 6 слоты. На практике, кстати говоря, такой режим не всегда оказывается производительнее двухканального, а иногда даже и проигрывает ему в скорости передачи данных.
- Flex Mode (гибкий) – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но одинаковых по частоте работы. Как и в двухканальном режиме платы памяти устанавливаются в одноименные разъемы разных каналов.
Обычно наиболее распространенным вариантом является двухканальный режим памяти.
Для работы в многоканальных режимах существуют специальные наборы модулей памяти — так называемая Kit-память (Kit-набор) — в этот набор входит два (три) модуля, одного производителя, с одинаковой частотой, таймингами и типом памяти.
Внешний вид KIT-наборов:
для двухканального режима
для трехканального режима
Но самое главное, что такие модули тщательно подобраны и протестированы, самим производителем, для работы парами (тройками) в двух-(трёх-) канальных режимах и не предполагают никаких сюрпризов в работе и настройке.
Тип корпуса
DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.
В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).
Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.
Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64
- 16 - 1600
- 18 - 1866
- 26 - 2666
- 29 - 2933
- 30 - 3000
- 32 - 3200
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 13 - CL13
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
- B - Beast
- R - Renegade
- I - Impact
- не указано — синий
- B - черный
- R - красный
- не указано - 1 я версия
- 1 - модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
- 2 - 2 я версия
- 3 - 3 я версия
- не указано - Без RGB-подсветки
- A - RGB-подсветка
- Пусто – отдельный модуль
- K2 - комплект из 2 модулей
- K4 - комплект из 4 модулей
- K8 - комплект из 8 модулей
- 4 - 4 ГБ
- 8 - 8 ГБ
- 16 - 16 ГБ
- 32 - 32 ГБ
- 64 - 64 ГБ
- 128 - 128 ГБ
- 256 - 256 ГБ
Тип памяти
Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.
На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.
Частоты передачи данных для типов памяти:
- DDR: 200-400 МГц
- DDR2: 533-1200 МГц
- DDR3: 800-2400 МГц
Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800.
Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.
Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.
Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.
Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)
Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с
На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).
Тайминги
Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.
Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.
Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.
Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).
Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15. В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.
Главным таймингом считается CAS latency, который часто обозначается сокращенно CL=5. Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.
Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.
Мое почтенье дорогие посетители сайта. В прошлой статье я писал о том, что такое оперативная память. Теперь, узнав что это такое и для чего и как оно служит, многие из Вас наверно подумываете о том, чтобы приобрести для своего компьютера более мощную и производительную оперативку. Ведь увеличение производительности компьютера с помощью дополнительного объёма памяти ОЗУ является самым простым и дешевым (в отличии например от видеокарты) методом модернизации вашего любимца.
И… Вот вы стоите у витрины с упаковками оперативок. Их много и все они разные. Встают вопросы: А какую оперативную память выбрать?Как правильно выбрать ОЗУ и не прогадать?А вдруг я куплю оперативку, а она потом не будет работать? Это вполне резонные вопросы. В этой статье я попробую ответить на все эти вопросы. Как вы уже поняли, эта статья займет свое достойное место в цикле статей, в которых я писал о том, как правильно выбирать отдельные компоненты компьютера т.е. железо. Если вы не забыли, туда входили статьи:
— Покупка жесткого диска: Какой жесткий диск выбрать?
— Intel или AMD. Что лучше? Проблематика выбора.
— Какую видеокарту лучше выбрать?
Этот цикл будет и дальше продолжен, и в конце вы сможете уже собрать для себя совершенный во всех смыслах супер компьютер 🙂 (если конечно финансы позволят :))
А пока учимся правильно выбирать для компьютера оперативную память.
Поехали!
Какой ранг памяти лучше?
Выбирая, что лучше: одноранговая или двухранговая оперативная память, стоит опираться на частотные показатели и объем передаваемых данных. Двухранговая память с частотой 3000 МГц обгоняет по производительности одноранговый модуль при частоте в 3333 МГц.
Также владельцы двухранговой памяти получают следующие преимущества:
- выше частота чтения/записи в Гбит/с;
- меньше задержки работы в наносекундах.
Также двухранк, еще и в двух/четырех/шестиканале как нельзя кстати открывает себя в системах с интегрированной графикой, где GPU-модуль процессора черпает память напрямую из ОЗУ. Тут чем быстрее происходит шевеление информации — тем лучше.
Габариты планок или так называемый Форм — фактор.
Form — factor — это стандартные размеры модулей оперативки, тип конструкции самих планок ОЗУ.
DIMM (Dual InLine Memory Module — двухсторонний тип модулей с контактами на обоих сторонах) — в основном предназначены для настольных стационарных компьютеров, а SO-DIMM используются в ноутбуках.
Форм-факторы
Иными словами, данный параметр можно назвать стандартизацией размера. Существует два вида форм-фактора маркировки оперативной памяти - это DIMM и SoDIMM.
Первый формат подходит исключительно для настольных компьютеров. Это можно заметить, посмотрев на разъем в материнской плате. Длина данного слота достигает почти 13,35 см. Каждая планка фиксируется защелками по бокам. За счет длины увеличивается количество контактов. Вот, что означает маркировка оперативной памяти DIMM.
У форм-фактора SoDIMM все немного по-другому. Во-первых, размер - этот формат рассчитан на работу в ноутбуках или материнских платах стандарта miniITX. Длина такой планки равна 67,6 мм. Такой размер оправдан тем, что у портативных компьютеров ограниченное внутреннее пространство, а это вынуждает делать комплектующие меньшего размера. Данная маркировка оперативной памяти для ноутбука, а не для стандартного компьютера.
Тем не менее разница в размерах ничуть не влияет на технические характеристики - просто у ноутбуков менее требовательная система, нежели у настольных компьютеров.
DDR4 Server Premier
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI
- 24: 2400
- 26: 2666
- 29: 2933
- 32: 3200
- S: одинарный
- D: двойной
- Q: Четырех
- A кристалла
- B кристалла
- E кристалла
Тайминги (латентность).
Тайминги (или латентность) — это временные задержки сигнала, которые, в технической характеристике ОЗУ записываются в виде «2-2-2» или «3-3-3» и т.д. Каждая цифра здесь выражает параметр. По порядку это всегда «CAS Latency» (время рабочего цикла), «RAS to CAS Delay» (время полного доступа) и «RAS Precharge Time» (время предварительного заряда).
Чтобы вы могли лучше усвоить понятие тайминги, представьте себе книгу, она будет у нас оперативной памятью, к которой мы обращаемся. Информация (данные) в книге (оперативной памяти) распределены по главам, а главы состоят из страниц, которые в свою очередь содержат таблицы с ячейками (как например в таблицах Excel). Каждая ячейка с данными на странице имеет свои координаты по вертикали (столбцы) и горизонтали (строки). Для выбора строки используется сигнал RAS (Raw Address Strobe) , а для считывания слова (данных) из выбранной строки (т.е. для выбора столбца) — сигнал CAS (Column Address Strobe) . Полный цикл считывания начинается с открытия «страницы» и заканчивается её закрытием и перезарядкой, т.к. иначе ячейки разрядятся и данные пропадут.Вот так выглядит алгоритм считывания данных из памяти:
- выбранная «страница» активируется подачей сигнала RAS ;
- данные из выбранной строки на странице передаются в усилитель, причем на передачу данных необходима задержка (она называется RAS-to-CAS );
- подается сигнал CAS для выбора (столбца) слова из этой строки;
- данные передаются на шину (откуда идут в контроллер памяти), при этом также происходит задержка ( CAS Latency );
- следующее слово идет уже без задержки, так как оно содержится в подготовленной строке;
- после завершения обращения к строке происходит закрытие страницы, данные возвращаются в ячейки и страница перезаряжается (задержка называется RAS Precharge ).
Каждая цифра в обозначении указывает, на какое количество тактов шины будет задержан сигнал. Тайминги измеряются в нано-секундах. Цифры могут иметь значения от 2 до 9 . Но иногда к трем этим параметрам добавляется и четвертый (например: 2-3-3-8 ), называющийся «DRAM Cycle Time Tras/Trc” (характеризует быстродействие всей микросхемы памяти в целом).
Случается, что иногда хитрый производитель указывает в характеристике оперативки лишь одно значение, например «CL2» ( CAS Latency ), первый тайминг равный двум тактам. Но первый параметр не обязательно должен быть равен всем таймингам, а может быть и меньше других, так что имейте это в виду и не попадайтесь на маркетинговый ход производителя.
Пример для наглядности влияния таймингов на производительность: система с памятью на частоте 100 МГц с таймингами 2-2-2 обладает примерно такой же производительностью, как та же система на частоте 112 МГц , но с задержками 3-3-3 . Другими словами, в зависимости от задержек, разница в производительности может достигать 10 % .
Итак, при выборе лучше покупать память с наименьшими таймингами, а если Вы хотите добавить модуль к уже установленному, то тайминги у покупаемой памяти должны совпадать с таймингами установленной памяти.
DDR3 & DDR2
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
- P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- F: FB DIMM
- M: Mini-DIMM
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM
- U: Micro-DIMM
- Без обозначения: без термодатчика
- S: с термодатчиком
- Без обозначения:Без обозначения
- L: 18,75mm (VLP)
- H: 30mm
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
(PC2100, PC2700, PC3200)
Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G
DDR5 ValueRAM
Номер артикула: KVR48U40BS8LK2-32X
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
- S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)
- 40 – 40-40-40
- 40B – 40-39-39
- 42 – 42-42-42
- 8 – микросхема DRAM x8
- 6 – микросхема DRAM x16
- не указано – стандартный
- L – очень низкий профиль (VLP)
- не указано – отдельный модуль
- K2 – комплект из 2 модулей
- K4 – комплект из 4 модулей
- 8 – 8 ГБ
- 16 – 16 ГБ
- 32 – 32 ГБ
- 64 – 64 ГБ
- 128 – 128 ГБ
- 256 – 256 ГБ
- не указано – стандартный пакет
- BK – большой пакет
Пропускная способность.
Пропускная способность — характеристика памяти, от которой зависит производительность системы. Выражается она как произведение частоты системной шины на объём данных передаваемых за один такт. Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности RAM, в нем учитывается частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов памяти. Частота указывает потенциал шины памяти за такт – при большей частоте можно передать больше данных.
Пиковый показатель вычисляется по формуле: B = f * c, где:
В — пропускная способность, f — частота передачи, с — разрядность шины. Если Вы используете два канала для передачи данных, все полученное умножаем на 2. Чтобы получить цифру в байтах/c, Вам необходимо полученный результат поделить на 8 (т.к. в 1 байте 8 бит).
Для лучшей производительности пропускная способность шины оперативной памяти и пропускная способность шины процессора должны совпадать. К примеру, для процессора Intel core 2 duo E6850 с системной шиной 1333 MHz и пропускной способностью 10600 Mb/s , можно установить два модуля с пропускной способностью 5300 Mb/s каждый ( PC2-5300 ), в сумме они будут иметь пропускную способность системной шины ( FSB ) равную 10600 Mb/s .
Частоту шины и пропускную способность обозначают следующим образом: «DDR2-XXXX» и «PC2-YYYY«. Здесь « XXXX » обозначает эффективную частоту памяти, а « YYYY » пиковую пропускную способность.
Лучшая оперативная память 2019
Объём оперативной памяти.
Про объём памяти много писать не буду. Скажу лишь, что именно в этом случае размер имеет значение 🙂
Все несколько лет назад оперативная память объёмом в 256-512 МБ удовлетворяла все нужды даже крутых геймерских компьютеров. В настоящее же время для нормального функционирования отдельно лишь операционной системы windows 7 требуется 1 Гб памяти, не говоря уже о приложениях и играх. Лишней оперативка никогда не будет, но скажу Вам по секрету, что 32-х разрядная windows использует лишь 3,25 Гб ОЗУ, если даже вы установите все 8 Гб ОЗУ. Подробнее об этом вы можете прочитать здесь.
Преимущество DDR4
Данный тип оперативной памяти является топовым для игровых компьютеров, так как обладает "разгонным" профилем и высокими частотами. Практически все современные материнские платы, которые были выпущены после 2015 года, поддерживают DDR4.
Многие производители начали оснащать модули памяти различными программными профилями, системой охлаждения и даже подсветкой. В современных играх объем оперативной памяти играет важную роль. Поэтому вместе с новым поколением пришли увеличенные размеры оперативной памяти. На данный момент одна планка может иметь объем до 64 Гб. Однако новая оперативная память стоит немалых средств - это единственный недостаток.
Глоссарий
Емкость
Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.
CAS-латентность
Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.
Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.
Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.
Тип памяти DIMM
UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.
Гигабит (Гбит)
Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 10 9 ) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.
Гигабайт (ГБ)
Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 10 9 ) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.
Комплект
Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.
Скорость (так же называемая частотой)
Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.
Совместимость
Первый опыт симбиоза двух поколений оперативной памяти оказался мало успешным. Речь идет о DDR2 и DDR3, а точнее - о материнских платах, на которых располагались оба вида слотов для оперативной памяти. Однако использование разных видов ОЗУ не дало результатов. В итоге материнская плата могла распознавать только один вид памяти.
Что касается DDR3 и DDR3L, то здесь дела обстоят немного проще. Они имеют некую совместимость - материнские платы с разъемами DDR3 могут поддерживать работу с оперативной памятью DDR3L. Но обратной совместимости не предусмотрено, так как материнские платы с разъемами для DDR3L рассчитаны на работу с низким напряжением.
Различия между третьим и четвертым поколениями очевидны - расположение зазора на месте контактов находится в другом месте. Даже в разъем поместить модуль не получится.
Отличие одноранговой памяти от двухранговой на практике
На данный момент обойти лимит в 64 (72) бита за такт физически невозможно, поскольку так устроена работа стандарта DDR4. Но инженеры тоже не просто так едят свой хлеб, поэтому они додумались обойти ограничения довольно забавным способом: заставили чипы работать попеременно, фактически передавая 128 (144/288) бит вместо 64 (72).
Что это дает на практике? Разберем на примере сервера HPE ProLaint DL380 Gen10. Возьмем за основу тот факт, что в корпусе установлен один процессор Xeon Platinum 8ххх, поскольку у него самые широкие возможности. К тому же, чип поддерживает планки до 128 ГБ. Умножим это число на 12 (столько слотов ОЗУ выделено под процессор) и получим 1536 ГБ. Такого результата можно добить только с использованием 8R-планок с кристаллами по 2 ГБ.
Но тут стоит понимать, на серверной памяти DDR4 расположено 288 контактов, каждый из которых передает 1 бит данных. Если вдарить по всем потокам, ОС запестрит ошибками, поскольку больше 72 бит переварить не может. С 4R/8R-планками все еще сложнее: некоторые выдают только 36 бит вместо 72, и именуются Load-reduced Memory (LRDIMM), комплект с пониженной нагрузкой).
Т.е. вы получаете больший объем, но сниженную производительность. Тайминги у такой памяти ниже, задержка доступа — выше, частота работы не превышает 2933 МГц для Xeon Platinum, 2666 МГц для Gold, 2400 для Silver и 2133 для Bronze.
Также сервер не позволит использовать память с разной ранговостью. Если вставили модуль 2R, будьте добры добавлять такие же, иначе сильно потеряете в скорости и стабильности.
В защиту 2R/4R скажем следующее:
- Одна двухранговая планка быстрее двух одноранговых при идентичной частоте.
- ОЗУ 4R и 8R позволяют собрать на себе объем памяти, недостижимый для 1R/2R.
- Интеллектуальная система передачи пакетов в HPE Smart Memory оптимизирует работу, грамотно жонглируя ранками, увеличивая производительность до 23% и снижая задержки на 25% по сравнению с обычными модулями 2R-8R.
- При правильной настройке последовательности чтения ранговая память имеет преимущество над стандартной. Ранговое чередование обладает более низким приоритетом, чем канальное, поэтому по трем каналам на одной планке данные перетекут быстрее, чем по двум независимым модулям ОЗУ.
Но не забывайте, что полностью раскрыть потенциал многоранговой оперативной памяти можно только при правильно подобранном процессоре. Более подробную информацию вы сможете получить у консультантов компании Маркет.Марвел.
DDR4 ValueRAM
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI
- 21 : 2133
- 24 : 2400
- 26 : 2666
- 29 : 2933
- 32 : 3200
- E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- O: восьмиранковый
- 4: x4 микросхема DRAM
- 8: x8 микросхема DRAM
- 6: x16 микросхема DRAM
- Без обозначения: любая высота
- H: 31,25mm
- L: 18,75mm (VLP)
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- H : SK Hynix
- K : Kingston
- M : Micron
- S : Samsung
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM
Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.
Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- S: SO-DIMM
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- K4: комплект из четырех модулей
- 4: 4Гб
- 8: 8Гб
- 12: 12Гб
- 16: 16Гб
- 24: 24Гб
- 32: 32Гб
- 48: 48Гб
- 64: 64Гб
- H: Hynix
- E: Elpida
- I: Сертификация Intel
Производитель модулей.
Сейчас на рынке ОЗУ хорошо себя зарекомендовали такие производители, как: Hynix, amsung, Corsair, Kingmax, Transcend, Kingston, OCZ…
У каждой фирмы к каждому продукту имеется свой маркировочный номер, по которому, если его правильно расшифровать, можно узнать для себя много полезной информации о продукте. Давайте для примера попробуем расшифровать маркировку модуля Kingston семейства ValueRAM (смотрите изображение):
- KVR – Kingston ValueRAM т.е. производитель
- 1066/1333 – рабочая/эффективная частота (Mhz)
- D3 — тип памяти ( DDR3 )
- D (Dual) – rank/ранг. Двухранговый модуль – это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом (нужен для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов)
- 4 – 4 чипа памяти DRAM
- R – Registered, указывает на стабильное функционирование без сбоев и ошибок в течение как можно большего непрерывного промежутка времени
- 7 – задержка сигнала ( CAS=7 )
- S – термодатчик на модуле
- K2 – набор (кит) из двух модулей
- 4G – суммарный объем кита (обеих планок) равен 4 GB.
Приведу еще один пример маркировки CM2X1024-6400C5:
Из маркировки видно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Марки OCZ, Kingston и Corsair рекомендуют для оверклокинга, т.е. имеют потенциал для разгона. Они будут с небольшими таймингами и запасом тактовой частоты, плюс ко всему они снабжены радиаторами, а некоторые даже кулерами для отвода тепла, т.к. при разгоне количество тепла значительно увеличивается. Цена на них естественно будет гораздо выше.
Советую не забывать про подделки (их на прилавках очень много) и покупать модули оперативной памяти только в серьезных магазинах, которые дадут Вам гарантию.
Напоследок:
На этом все. С помощью данной статьи, думаю, вы уже не ошибетесь при выборе оперативной памяти для своего компьютера. Теперь вы сможете правильно выбрать оперативку для системы и повысить её производительность без каких либо проблем. Ну, а тем кто купит оперативную память (или уже купил), я посвящу следующую статью, в которой я подробно опишу как правильно устанавливать оперативную память в систему. Не пропустите…
Расшифровка номеров по каталогу HyperX®
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston HyperX по спецификации.
Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32
- 13 - 1333
- 16 - 1600
- 18 - 1866
- 21 - 2133
- 24 - 2400
- 26 - 2666
- 28 - 2800
- 29 - 2933
- 30 - 3000
- 32 - 3200
- 33 - 3333
- 34 - 3466
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 41 - 4133
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 12 - CL12
- 13 - CL13
- 14 - CL14
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
- F - FURY
- B - Beast
- S - Savage
- P - Predator
- I - Impact
- не указано- синий
- B - черный
- R - красный
- W - белый
- 2 - 2 я версия
- 3 - 3 я версия
- 4 - 4 я версия
- не указано - без RGB-подсветки
- A - RGB-подсветка
- не указано - отдельный модуль
- K2 - комплект из 2 модулей
- K4 - комплект из 4 модулей
- K8 - комплект из 8 модулей
- 4 - 4 ГБ
- 8 - 8 ГБ
- 16 - 16 ГБ
- 32 - 32 ГБ
- 64 - 64 ГБ
- 128 - 128 ГБ
- 256 - 256 ГБ
Как узнать ранг оперативной памяти по маркировке?
Маркировка оперативной памяти разнится от производителя к производителю, но наиболее распространенными вариантами являются буквенные маркеры:
Q (Quadro) — четыре ранга памяти.
Также распространена маркировка формата 1Rх4, 2Rх8, 2Rх16, 4Rх4.
Первая часть — 1R, 2R, 4R, 8R — означает ранг.
А вторая х4, х8, х16 — то, сколько байтов за такт способен передавать каждый кристалл на планке.
Чтобы наработать скиллы по чтению маркировки, возьмем за пример память от HPE, поскольку она частенько встречается в серверном сегменте. У этого производителя маркировка планок памяти выглядит так:
- HPE — производитель.
- ggg (GB) — объем одного модуля от 8 до 128 ГБ.
- s (R) — ранки (1/2/4/8).
- ff — битность одного кристалла памяти (4/8/16).
- PC4 — тип памяти DDR4.
- wwww — максимальная рабочая частота в МГц (2133/2400/2666/2933/3200).
- a — тайминги и задержки.
- ppp — количество пакетов на одной подложке (SDP/DDP/3DS/QDP).
- m — тип модуля (ECC UDIMM, R-DIMM, LR-DIMM).
- eeeee — спецификация работы (STND/Smart/Blank).
Закрепляем результат следующими примерами:
- HPE 8GB 1Rx8 PC4-2933Y-R Smart Kit.
- HPE 64GB 4Rx4 DDR4-2666V LR Smart Kit.
- HPE 128GB 8Rx4 PC4-2933Y-L 3DS Smart Kit.
Остались вопросы? Задайте их нашим консультантам и получите исчерпывающий ответ. Мы готовы предложить вам наилучшее решение для вашего оборудования, которое позволит получить максимум производительности.
Что такое ранг оперативной памяти?
С приходом на рынок AMD Ryzen в инфополе массово заговорили о рангах оперативной памяти и их чудесных свойствах, особенно для любителей оверклокинга. Но для большинства пользователей понятие о «ранговости» свелось к размещению чипов памяти на текстолите ОЗУ:
- с одной стороны — одноранговый модуль;
- с двух сторон — двухранговый модуль.
Однако это неверное представление, ведь есть еще и применяемая в серверных системах четырехранговая и восьмиранговая память, которые в эту классификацию не вписываются. Предлагаем разобраться в этом подробнее.
Термин «Ранг» (ранк, rank) обозначает одномоментную передачу по шине блока данных плотностью 64 бита (72 бита для серверной ECC-памяти). В простейшем понимании, одноранговый DIMM-модуль (1R) содержит в себе 64-битный фрагмент информации, которым он за один такт работы делится с процессором.
Максимальный объем однорангового модуля типа DDR4 — 8 ГБ, если память набиралась кристаллами по 1 ГБ. В этом случае, за основу можно было взять следующую константу:
Если на текстолите распаяно 16 ГБ по 8 кристаллов в 1 ГБ с двух сторон — это двухранговая память (2R).
В нынешнее время, современная память может быть набрана модулями, где кристаллы наслаиваются друг на друга, увеличивая емкость каждого вдвое.
Не так давно Samsung, Hynix, Micron и другие производители начали выпускать кристаллы повышенной плотности уже на 2 ГБ, поэтому емкость ОЗУ на кристаллах новой версии емкость 1R увеличилась до 16 ГБ.
Итого, в итоге имеем схему:
1 ранк = 8 ГБ (кристаллы "старой" версии по 1 ГБ);
1 ранк = 16 ГБ (кристаллы "новой" версии по 2 ГБ).
Память 4R встречается в продаже только в серверном сегменте. Визуально она выглядит так же, как и двухранговая, но при этом на одной стороне распаяно сразу два ранга (2 блока по 8 ГБ + кристалл коррекции ошибок). Программно модуль настроен таким образом, чтобы каждый из независимых блоков мог передавать по 72 бита информации за раз.
Аналогично для 8R-памяти, только она еще сложнее технически и программно.
В целом, принцип работы многоранговой памяти можно представить так:
В один момент времени работает только часть кристаллов — один ранк. А остальная «грядка» тем временем накапливает заряд и ищет внутри себя данные, чтобы отдать их процессору по шине.
Последнему информация требуется постоянно, поэтому для него такой подход только на руку. Отсутствует простой поиска, заряда и предварительной буферизации данных. Можно мысленно провести параллель между физическим ядром и парой логических потоков процессора.
Corsair Dominator Platinum
Лучшая память среди одноклассников с высокой производительностью и инновациями в технологии RGB. Стандарт DDR4, скорость 3200MHz, дефолтные тайминги 16.18.18.36, два модуля по 16 гигабайт. У планок яркие светодиоды подсветки Capellix RGB, продвинутая программа iCUE теплоотводы Dominator DHX. Единственная проблема – может не подойти высота модуля.
Компания Corsair, как всегда, с каждой новой моделью превосходит саму себя, Dominator Platinum не стала исключением. Сегодня это излюбленный набор памяти DDR4 для геймеров и владельцев мощных рабочих станций. Внешний вид модулей гладкий и стильный импонирует любителям гейминга, DHX охлаждение работает эффективно, а производительность планок уже готова стать легендой. В любом случае, на долгие годы она обеспечит пользователя флагманскими параметрами. Сейчас у памяти новый дизайн, новая, более яркая подсветка Corsair Capellix на 12 светодиодов. Программное обеспечение (фирменное) iCUE обеспечивает гибкую настройку памяти на максимальную производительность. Если вы поменяли материнку или процессор, а может быть и графический ускоритель, под любой новый компонент память можно настроить как родную.
Ценник у памяти несколько выше, чем у других производителей, но это компенсируется высочайшим качеством и потрясающей производительностью.
Говоря о роли оперативной памяти в целом, мы можем назвать ее промежуточными звеном-посредником в цепи обмена информацией между процессором и накопителями. В процессе эволюции этого звена у оперативной памяти выделился ряд характеристик, которые в той или иной степени влияют на эффективность ее работы. В числе этих параметров — ранг оперативной памяти, о котором мы подробно поговорим в этой статье.
Ранги оперативной памяти: что это такое, как узнать и какая лучше
Итак, оперативная память имеет следующие ключевые параметры:
- Тактовая частота — скорость выполнения операции в МГц.
- Объем — объем хранимых данных в ГБ.
- Пропускная способность — максимальный объем данных в Мбит/с.
- Тайминг — выражает задержки между тактами. Чем ниже показатель — тем лучше.
- Количество каналов — позволяет значительно повысить производительность ОЗУ.
- ЕСС — режим коррекции ошибок в серверных модулях.
- XMP-профиль — умная система адаптивного разгона.
И вроде, чтобы определить, насколько эффективна будет работа оперативной памяти, этого достаточно. Но если ввести еще одну переменную — ранг (rank, ранк) — она с ног на голову перевернет привычную парадигму выбора ОЗУ.
Стандарт скорости модуля памяти
В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.
Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.
В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Типы памяти
В современных компьютерах используется два типа памяти - это DDR3 и DDR4.
Оперативная память DDR3 обладает минимальной частотой в 1033 МГц. А ее "разгонная" частота достигает 1600 МГц. Впервые данный тип памяти был введен в эксплуатацию после 2010 года. Именно с третьего поколения стало возможным использовать оперативную память в качестве резервной для интегрированных графических процессоров.
В случае с маркировкой оперативной памяти DDR4, начальные показатели частот равны 1333 МГц. "Разгонный" потенциал дает возможность увеличить рабочую частоту до 2600 МГц при небольших таймингах. Ее достоинства не только в повышенных частотах, но и в более низком энергопотреблении. Увеличение с 240 до 288 контактов никак не повлияло на размеры планки.
Тактовая частота.
Это довольно таки важный технический параметр оперативной памяти. Но тактовая частота есть и у материнской платы и важно знать рабочую частоту шины этой платы, так как если вы купили например модуль ОЗУ DDR3-1800, а слот (разъём) материнской платы поддерживает максимальную тактовую частоту DDR3-1600, то и модуль оперативной памяти в результате будет работать на тактовой частоте в 1600 МГц. При этом возможны всяческие сбои, ошибки в работе системы и синие экраны смерти.
Примечание: Частота шины памяти и частота процессора — совершенно разные понятия.
Из приведенных таблиц можно понять, что частота шины, умноженная на 2, дает эффективную частоту памяти (указанную в графе «чип»), т.е. выдает нам скорость передачи данных. Об этом же нам говорит и название DDR (Double Data Rate) — что означает удвоенная скорость передачи данных.
Приведу для наглядности пример расшифровки в названии модуля оперативной памяти — Kingston/PC2-9600/DDR3(DIMM)/2Gb/1200MHz, где:
— Kingston — производитель;
— PC2-9600 — название модуля и его пропускная способность;
— DDR3(DIMM) — тип памяти (форм фактор в котором выполнен модуль);
— 2Gb — объем модуля;
— 1200MHz — эффективная частота, 1200 МГц.
Производитель и его part number
Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:
- Kingston KVR800D2N6/1G
- OCZ OCZ2M8001G
- Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5
На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:
Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):
По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.
По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3. Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).
По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.
Kingston FURY™ DDR5
Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.
Номер артикула: KF548C38BBK2-16
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- не указано – отдельный модуль
- K2 – комплект из 2 модулей
- 16 – 16 ГБ
- 32 – 32 ГБ
- 64 – 64 ГБ
Отличие DDR3 от DDR3L
На примере маркировки оперативной памяти DDR3L можно отметить, что она отличается от своего близнеца DDR3.
Приставка в конце означает Low, то есть, низкий. Это аргументировано тем, что данный вид оперативной памяти использует более низкое входное напряжение. Его показатель равен 1,35 Вольт. На обычных он 1,5 В. Этот параметр позволяет сократить энергопотребление на 10%. Со стандартной ОЗУ третьего поколения они внешне абсолютно одинаковы.
Тип оперативной памяти.
На сегодняшний день в мире наиболее предпочтительным типом памяти являются модули памяти DDR (double data rate). Они различаются по времени выпуска и конечно же техническими параметрами.
- DDR или DDR SDRAM (в переводе с англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных). Модули данного типа имеют на планке 184 контакта, питаются напряжением в 2,5 В и имеют тактовую частоту работы до 400 мегагерц. Данный тип оперативной памяти уже морально устарел и используется только в стареньких материнских платах.
- DDR2 — широко распространенный на данное время тип памяти. Имеет на печатной плате 240 контактов (по 120 на каждой стороне). Потребление в отличие от DDR1 снижено до 1,8 В. Тактовая частота колеблется от 400 МГц до 800 МГц.
- DDR3 — лидер по производительности на момент написания данной статьи. Распространен не менее чем DDR2 и потребляет напряжение на 30-40% меньше в отличии от своего предшественника (1,5 В). Имеет тактовую частоту до 1800 МГц.
- DDR4 — новый, супер современный тип оперативной памяти, опережающий своих собратьев как по производительности (тактовой частоте) так и потреблением напряжения (а значит отличающийся меньшим тепловыделением). Анонсируется поддержка частот от 2133 до 4266 Мгц. На данный момент в массовое производство данные модули ещё не поступили (обещают выпустить в массовое производство в середине 2012 года). Официально, модули четвертого поколения, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В были представлены на выставке CES, компанией Samsung 04 января 2011 года.
Как установить оперативную память в ноутбук
Установка модулей памяти в ноутбук немного отличается от аналогичной операции в настольном варианте. Для этого понадобится отвертка, которой нужно выкрутить винтики на задней крышке портативного компьютера.
Перед началом установки стоит уточнить несколько нюансов. Во-первых, на всех ноутбуках можно установить не более двух планок (на некоторых вообще есть только один слот). Во-вторых, установка двух планок производится исключительно в парном режиме, так как модули от разных производителей вызывают конфликт. Перед работой необходимо отключить ноутбук от сети и вытащить аккумулятор.
Теперь нужно открутить болты крепления крышки, которая закрывает оперативную память. Если происходит замена модуля, то старый необходимо убрать. В случае увеличения объема нужно просто узнать, есть ли свободный разъем. Обратите внимание на то, что большинство моделей современных ноутбуков придется полностью разбирать, чтобы добраться до слота установки модуля.
Метод инсталляции напоминает процесс установки кассеты в магнитофон - в ноутбуке похожий слот. Далее планка помещается в свободный слот и нужно плавно нажимать на нее, пока не будет услышан характерный щелчок, который означает, что модуль зафиксирован.
После сборки можно подключать ноутбук к сети и запускать систему. Если операционная система работает исправно, то ноутбук распознал установленную оперативную память.
Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.
В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.
Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:
- планка ("плашка") - модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
- односторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
- двухсторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
- RAM (Random Access Memory, ОЗУ) - память с произвольным доступом, проще говоря - оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
- SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) - синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.
- 4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX
- 1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail
Как установить модуль в системный блок
Перед началом установки стоит обратить внимание на маркировку оперативной памяти. Пример представлен на фото далее. Теперь стоит узнать параметры центрального процессора, которые связаны с оперативной памятью. Дело в том, что не всякий процессор может раскрыть потенциал оперативной памяти. Да и не каждый процессор сможет поддерживать разгонный профиль.
Установка одной планки не займет много времени. Для этого понадобится снять крышку системного блока и раздвинуть защелки на материнской плате. Все манипуляции с материнской платой проводятся только в горизонтальном положении, чтобы не повредить комплектующие. Далее планка помещается в разъем и фиксируется с помощью защелок.
После этого нужно собрать все обратно и запустить компьютер. Не дожидаясь загрузки операционной системы, необходимо вызвать меню БИОС, чтобы удостовериться в том, что планка обнаружена и нормально функционирует.
Для работы в двухканальном режиме лучше приобретать модули в паре, так как они тестируются вместе, что положительно сказывается на совместной работе. Если вторая и последующие планки приобретаются отдельно, то стоит обратить внимание на их показатели - частоты и тайминги.
Латентность (тайминг)
Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.
Всякий раз, заглядывая под крышку корпуса системного блока, можно наблюдать планки, состоящие из микросхем и чипов. Они даже напоминают картриджи для старой консоли "Сега". Однако их предназначение совершенно другое. Далее в статье будет дано подробное описание маркировки оперативной памяти и ее устройства.
Читайте также: