Тайминги памяти ddr2 1066
Мировой финансовый кризис и вызванные им последствия заставили многих по-новому взглянуть на расходование своих честно заработанных денежных средств. Кому-то пришлось отказаться от покупки новой видеокарты, кому-то – от сборки новой системы с процессором Core i7, подобных примеров можно привести массу. В сложившихся условиях особенно актуальным становится один из основных принципов оверклокинга – «максимум производительности за минимум денег».
Системы на базе LGA1366 и оперативная память DDR3 с понятием «минимума денег» в настоящее время никак не сочетаются, что способствует поддержанию интереса к LGA775 и оперативной памяти DDR2. По этому случаю к нам на тестирование попали три 4-гигабайтных комплекта оперативной памяти DDR2-1066 и один – DDR2-800 производства Corsair и Geil.
реклама
Тестовый стенд предоставлен магазином Xpert.
- Материнская плата: ASUS P5Q Deluxe (P45/ICH10R), BIOS version 1702
- Центральный процессор: Intel Core 2 Duo E8400, E0, LGA775, множитель зафиксирован x6 на протяжении всего тестирования
- Охлаждение ЦП: Thermalright Ultra 120 eXtreme-775 с немного неровным основанием и не очень хорошим контактом с ним тепловых трубок
- Термоинтерфейс: КПТ-8 производства ЗАО “Химтек” на NB, SB, CPU
- Видеокарта: ATI Radeon HD 4870 X2 (HIS) 750/900MHz (3600MHz GDDR5)
- Дисковая подсистема: Western Digital VelociRaptor 300GB (WD3000GLFS-01F8U0) 10000rpm 16MB
- Блок питания: Thermaltake Toughpower 1200W (W0156RE)
Радиатор северного моста обдувался 70-мм вентилятором от кулера Igloo 2510 Pro (4200-4500 об/мин, 40 CFM). Оперативная память охлаждалась при помощи турбомодуля от Corsair Dominator.
- Intel Chipset Device Software v9.1.0.1007
- Prime95 v25.8
- LinX v.0.5.2
- Memset 4.0.0
- Microsoft Windows Server 2003 Enterprise 64 bit SP2
Максимальные частоты работы оперативной памяти определялись для трех наборов таймингов – CL3 (3-3-3-10), CL4 (4-4-4-12) и CL5 (5-5-5-15), во всех случаях материнской платой устанавливалось значение Command Rate 2T.
Критерием стабильности являлось успешное прохождение теста Prime95 в режиме Blend в течение 30 минут. Как правило, нестабильная работа выявлялась в течение первых же минут тестирования.
Здесь следует сделать небольшое отступление, которое опытные оверклокеры могут пропустить. Говоря о стабильной работе, мы имеем в виду успешное прохождение различных тестов в течение определенного количества времени или при определенном объеме задачи. Поэтому говорить о том, что система стабильна можно лишь с оговоркой на условия и продолжительность тестирования. Получасовой проверки в Prime95, разумеется, недостаточно для того, чтобы говорить о стабильности системы в режиме 24/7. Основываясь на опыте использования этой программы, могу порекомендовать продолжительность тестирования 6-12 часов в режиме Blend для того, чтобы быть уверенным в стабильности системы. При этом не стоит ограничиваться одной лишь Prime95 или чем-либо еще – используйте все доступные средства. Однако, вернемся к нашему тестированию, в котором 30-минутного прогона вполне достаточно для определения наиболее разгоняющихся модулей.
Для дополнительных таймингов было выставлено значение Auto, остальные настройки BIOS материнской платы выглядели следующим образом:
PCIE Frequency: 100 MHz
FSB Strap to North Bridge: 333 MHz
DRAM CLK Skew on Channel A1: Auto
DRAM CLK Skew on Channel A2: Auto
DRAM CLK Skew on Channel B1: Auto
DRAM CLK Skew on Channel B2: Auto
DRAM Static Read Control: Disabled
DRAM Read Training: Disabled
MEM/OC Charger: Enabled
Ai Clock Twister: Moderate
Ai Transaction Booster: Auto
реклама
Load-Line Calibration: Enabled
CPU Spread Spectrum: Disabled
PCIE Spread Spectrum: Disabled
CPU Clock Skew: Auto
NB Clock Skew: Auto
CPU Margin Enhancement: Optimized
FSB Termination Voltage: 1,40
NB Voltage: 1,40
NB GTL Reference: 0,630
SB Voltage: 1,20
PCIE SATA Voltage: 1,50
С указанными настройками материнская плата продемонстрировала стабильность при 540 МГц FSB:
Для того чтобы не ограничивать разгон оперативной памяти с установленными таймингами CL5 возможностями материнской платы, с указанными задержками тестирование проводилось при соотношении FSB:DRAM > 1. В свою очередь, разгон с таймингами CL3 и CL4 проводился при соотношении FSB:DRAM = 1:1.
Известно, что материнские платы Asus серии P5Q завышают напряжение оперативной памяти (и не только памяти) относительно значений, установленных в BIOS. В сочетании с версией BIOS 1702 материнская плата P5Q Deluxe продемонстрировала превышение установленного напряжения на 0,12-0,14В по показаниям мультиметра UNI-T UT2005, что учитывалось при тестировании.
Начнем тестирование с наиболее доступного из рассматриваемых сегодня комплектов – DDR2-800 от Corsair, стоимость которого в московской рознице составляет около 90$.
Рабочее напряжение модулей составляет 2.10В, что отражено не только на наклейке алюминиевых радиаторов, но и в SPD:
В указанных условиях тестирования с задержками CL5 и напряжением 2.20V модули смогли разогнаться на 31% выше номинала. Хотя они и не достигли частоты DDR2-1066, результат можно признать неплохим.
реклама
Увеличение напряжения до 2,30В результатов не принесло.
Стоимость данного комплекта памяти в московской рознице составляет 120$.
Помимо более высоких заявленных частот работы, за 30$ мы получаем фирменную систему охлаждения Corsair Dominator.
В SPD модулей для рабочей частоты 533 МГц указаны тайминги памяти и рабочее напряжение:
Тестирование с задержками CL3 и CL4 неожиданностей не принесло, чего нельзя сказать о задержках CL5. При напряжении 2.1В память смогла разогнаться лишь до частоты 1080 МГц DDR2, притом изменение дополнительных таймингов, значений DRAM CLK Skew, Ai Transaction Booster (и, соответственно, Performance Level) и Ai Clock Twister никакого эффекта не принесло. Увеличение напряжения до 2,3В позволило отработать без ошибок в Prime95 лишь на частоте 1090 МГц DDR2, увеличение задержек до CL6 на стабильности так же не отражалось.
На самом деле первой тестировалась память от Geil, и в частоту 1080-1090 МГц DDR2 я уперся еще тогда, но решил, что мне банально попались неудачные модули. Однако, когда подобное повторилось в третий раз, я стал искать причину.
Оказалось, что нестабильность при частотах памяти свыше 1090 МГц DDR2 наблюдается исключительно при отношении FSB:DRAM = 5:6 и значении FSB Strap to North Bridge равном 333 МГц. Дальнейший разгон стал возможным при установке FSB:DRAM = 4:5 + FSB Strap to North Bridge 266 МГц, FSB:DRAM = 3:4 + FSB Strap to North Bridge 400 МГц или FSB:DRAM = 5:8 + FSB Strap to North Bridge 333 МГц. При этом материнская плата устанавливала даже меньшее значение Performance Level:
При повторной проверке модулей Corsair TWIN2X4096-6400C4DHX никакой зависимости максимальной частоты от делителя обнаружено не было.
C увеличением напряжения до 2,2В память смогла разогнаться до частоты 1117 МГц DDR2, что весьма скромно для памяти DDR2-1066. Как и в предыдущем случае, увеличение напряжения до 2,3В результатов не принесло.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим первое предложение максимальной неофициальной скоростной категории DDR2-1066 (PC2-8500) двухканальный комплект модулей памяти Corsair XMS2-8500, являющихся логическим продолжением высокоскоростных решений серии XMS2, предыдущее из которых было представлено ранее исследованными нами модулями XMS2-8000UL класса «DDR2-1000». Справедливости ради следует заметить, что предложения класса «DDR2-1066» (например, от компании A-DATA) номинально известны уже где-то с середины прошлого года, тем не менее, рассматриваемые в настоящей статье модули являются первым предложением на рынке, реально способным функционировать в неофициальном режиме DDR2-1066, т.е. при частоте шины памяти 533 МГц.Информация о производителе модуля
Фото модуля памяти
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 серии XMS2 на сайте производителя отсутствует. В брошюре модулей TWIN2X1024-8500 указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый (самим по себе модулям присвоен Part Number CM2X512-8500), основанных на 8 микросхемах 64M x8. Производитель на 100% гарантирует функционирование модулей в максимально скоростном (пока что неофициальном) режиме DDR2-1066 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении 2.2 В, однако в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию прописан максимальный стандартный режим DDR2-800 с таймингами 5-5-5-15.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0404 от 03/22/2006
- Память: 2x512 МБ Corsair XMS2-8500 (DDR2-1066, PC2-8500)
Тесты производительности
Начиная с данного исследования, мы переходим на использование новой версии тестового пакета RMMA 3.65, в которой был увеличен максимальный размер выделяемого блока памяти и, соответственно, поменялись параметры большинства подтестов, используемых по умолчанию. В частности, размеры блока памяти в подтестах, применяемых для исследования характеристик подсистемы памяти, возросли до 32 МБ, что позволяет существенно уменьшить влияние большого объема L2-кэша (2 МБ), довольно часто встречающегося в современных процессорах класса Pentium 4/Pentium D. В связи с этим, приведенные ниже характеристики гораздо более достоверно отражают реальные значения пропускной способности подсистемы памяти и не могут быть сопоставлены количественно с характеристиками, приводимыми в более ранних исследованиях.
Как обычно, в первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование осуществлялось в трех скоростных режимах DDR2-667 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 1.67 и 1.25, соответственно), DDR2-800 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 2.0 и 1.5) и в неофициальном режиме «DDR2-1066» при частоте системной шины 266 МГц и максимально возможном (для чипсета Intel 975X) множителе памяти 2.0.
Для режима DDR2-667 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-15 («наугад», т.к. данный режим не прописан в SPD модулей), для режима DDR2-800 схему 5-5-5-18 (в строгом соответствии с данными SPD) и, наконец, для максимального скоростного режима DDR2-1066 схему 5-6-6-18. Как показывает практика, это наименее скоростная схема, которую способна выставлять по умолчанию материнская плата ASUS P5WD2-E, применяемая нами в тестах высокоскоростных модулей.
Параметр / Режим | DDR2-667 | DDR2-800 | DDR2-1066 | ||
---|---|---|---|---|---|
Частота FSB, МГц | 200 | 266 | 200 | 266 | 266 |
Тайминги | 5-5-5-15 | 5-5-5-15 | 5-5-5-18 | 5-5-5-18 | 5-6-6-18 |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5382 | 6396 | 5614 | 6878 | 7394 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2001 | 2163 | 2175 | 2415 | 2861 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6468 | 8148 | 6530 | 8527 | 8669 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5668 | 4279 | 5685 | 5697 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 56.7 | 50.1 | 52.7 | 45.7 | 39.7 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 66.2 | 57.4 | 61.9 | 53.2 | 46.9 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 118.4 | 105.2 | 105.7 | 95.4 | 84.1 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 143.4 | 123.1 | 130.5 | 114.8 | 102.4 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 87.1 | 77.9 | 80.6 | 70.7 | 60.6 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 114.1 | 97.2 | 106.9 | 91.0 | 80.5 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 119.2 | 105.9 | 106.1 | 95.9 | 84.3 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 145.5 | 124.7 | 133.4 | 116.0 | 103.2 |
Скоростные показатели модулей выглядят весьма неплохо максимальные значения ПСП в официальных режимах составляют примерно 6.4-6.5 ГБ/с и 8.2-8.7 ГБ/с при частоте FSB 200 и 266 МГц, соответственно, т.е. практически равны максимальной теоретической ПС 200-МГц и 266-МГц процессорной шины, соответственно (ее некоторое превышение, связанное с влиянием 2-МБ L2-кэша, способного «покрыть» 2МБ/32МБ * 100% = 6.25% обращений к памяти, все же имеет место быть). Заметим, что максимальная реальная ПСП на чтение, как в случае 200-МГц, так и 266-МГц FSB, ощутимо возрастает при переходе от наименее скоростного режима DDR2-667 к максимально скоростному DDR2-1066.
По задержкам модули также не уступают предыдущим высокоскоростным решениям от Corsair и аналогам от других производителей. Одновременно с указанным выше увеличением ПСП, использование как более скоростных режимов (переход от DDR2-667 к DDR2-800 и DDR2-1066), так и более высокой частоты системной шины (переход от 200-МГц к 266-МГц FSB) приводит к ощутимому уменьшению задержек. Соответственно, минимальная латентность памяти наблюдается при функционировании в режиме DDR2-1066 (частота системной шины 266 МГц) и находится в интервале от 39.7 нс (псевдослучайный обход, аппаратная предвыборка включена) до 103.2 нс (случайный обход, аппаратная предвыборка отключена), чем несколько выигрывают как у предыдущих Corsair XMS2-8000UL (DDR2-1000, частота FSB 250 МГц, тайминги 5-6-6-18), так и у рассмотренных в предыдущей статье Kingston HyperX DDR2-900 (DDR2-900, частота FSB 270 МГц, тайминги 5-6-6-18).
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
Параметр / Режим | DDR2-667 | DDR2-800 | DDR2-1067 | ||
---|---|---|---|---|---|
Частота FSB, МГц | 200 | 266 | 200 | 266 | 266 |
Тайминги | 3-3-3 (2.2 V) | 3-3-3 (2.2 V) | 4-4-3 (2.2 V) | 4-4-3 (2.2 V) | 5-5-4 (2.2 V) |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5571 | 6825 | 5696 | 6971 | 7446 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2444 | 2519 | 2460 | 2518 | 3193 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6528 | 8393 | 6542 | 8567 | 8712 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5678 | 4282 | 5686 | 5698 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 52.8 | 45.8 | 49.1 | 44.6 | 39.6 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 62.4 | 53.0 | 58.9 | 52.0 | 46.5 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 104.6 | 92.0 | 101.1 | 92.5 | 84.0 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 128.7 | 111.6 | 125.5 | 112.4 | 102.2 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 81.4 | 70.8 | 75.0 | 68.5 | 60.8 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 107.5 | 90.4 | 102.7 | 88.2 | 80.1 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 104.8 | 92.3 | 101.0 | 92.8 | 84.3 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс (без аппаратной предвыборки) | 131.6 | 112.8 | 127.4 | 113.4 | 103.0 |
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-667 при использовании рекомендованного производителем повышенного питающего напряжения 2.2 В, составляют лишь 3-3-3 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). «На ходу» нам удалось выставить схему 3-3-2, но это немедленно приводило к возникновению ошибок. По этому показателю рассматриваемые модули уступают ранее протестированным Kingston HyperX DDR2-900 (тайминги 3-3-2 при напряжении 2.0 В) и, тем более, более ранним Corsair XMS2-5400UL (как показывает практика, наиболее удачным в плане разгона тайминги 3-2-2 при напряжении 2.1 В).
В режиме DDR2-800 рассматриваемые модули способны устойчиво функционировать при схеме таймингов 4-4-3 (напряжение питания также 2.2 В). Заметим, что и здесь нам в принципе удавалось выставить схему 4-3-3, но это немедленно сопровождалось появлением ошибок. И вновь настоящие модули уступают более ранним Corsair XMS2-8000UL (минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-800 4-3-3 при 2.2 В) и Corsair XMS2-5400UL (тайминги 4-3-2 при напряжении 2.1 В).
Наконец, в максимально скоростном, можно сказать «родном» режиме DDR2-1066, рассматриваемые модули позволили выставить минимальную схему таймингов 5-5-4, что весьма неплохо, т.к. все-таки немного ниже по сравнению с заявленной производителем схемой 5-5-5(-15). В то же время, следует вновь вспомнить, что предыдущее решение от Corsair модули категории «DDR2-1000» были способны функционировать в указанном режиме при схеме таймингов 5-3-3.
Как обычно, выставление «экстремальных» схем таймингов лишь незначительно увеличивает пропускную способность подсистемы памяти поскольку она по-прежнему «упирается» в пропускную способность процессорной шины. Эффект от такого «разгона по таймингам» наиболее заметен лишь по величинам латентностей, да и то в случае истинно случайного доступа к памяти и «максимально разгоняемого» режима DDR2-667 уменьшение задержек здесь составляет порядка 10%.Итоги
Протестированные модули Corsair XMS2-8500 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей класса high-end, способных функционировать как в официальных режимах DDR2-667 и DDR2-800, так и в неофициальном, но реально поддерживаемом максимально скоростном режиме DDR2-1066 (при умеренно высоком питающем напряжении 2.2 В). Не без преувеличения заметим, что это первые модули, реально рассчитанные на режим DDR2-1066 и реально, устойчиво в нем функционирующие. Модули обладают весьма высокими скоростными показателями, но сравнительно умеренным «разгоном по таймингам» (по сравнению с ранними «топовыми» предложениями от Corsair) в официальных режимах DDR2-667 и DDR2-800 они способны функционировать при таймингах 3-3-3 и 4-4-3 (напряжение питания 2.2 В), тогда как функционирование в наиболее скоростном режиме DDR2-1066 требует увеличения этой схемы до значений 5-5-4, все же несколько меньших по сравнению с рекомендуемой производителем схемой 5-5-5-15.
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим первые модули памяти высокоскоростной неофициальной категории «DDR2-1066» от Corsair, поддерживающие расширения стандарта SPD EPP (Enhanced Performance Profiles), совместно разработанные компаниями Corsair и NVIDIA — 2-ГБ двухканальный комплект XMS2-8500C5, ориентированный на платформу AMD «AM2».Информация о производителе модуля
Фото модуля памяти
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 серии XMS2 на сайте производителя отсутствует. В брошюре модулей TWIN2X1024-8500 указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 1 ГБ каждый, основанных на 16 микросхемах 64M x8. Модули поддерживают открытый стандарт EPP (расширение SPD), совместно разработанный компаниями Corsair и NVIDIA и позволяющий автоматически настраивать модули на максимальное быстродействие на материнских платах, обладающих поддержкой этого стандарта. Производитель на 100% гарантирует функционирование модулей в режиме DDR2-1066 при таймингах профиля EPP 5-5-5-15-2T и питающем напряжении 2.2 В, однако в «стандартной» части SPD в качестве режима по умолчанию прописан максимальный стандартный режим DDR2-800 с таймингами 5-5-5-15.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, тем не менее, как и в остальных модулях Corsair, в микросхеме SPD настоящих модулей отсутствуют данные о дате изготовления и серийном номере модулей.
Что ж, рассмотрим теперь важнейшую информацию «нестандартной» части SPD, соответствующей профилям EPP и представленной байтами 99-127.
Описание стандарта EPP:
Видно, что рассматриваемые модули поддерживают стандарт EPP и содержат информацию о двух «расширенных» профилях (возможный вариант — наличие четырех «сокращенных» профилей, в которых опущена большая часть тонких настроек задержек и силы тока различных сигнальных линий). Первому из этих профилей (профилю №0) соответствует время цикла 2.5 нс, т.е. режим DDR2-800, однако в отличие от данных стандартной части SPD, в профиле EPP №0 для этого режима прописаны тайминги 4-4-4-12, задержка адресно-командного интерфейса 2T и питающее напряжение 2.0 V, а также прочие параметры различных тонких настроек временного и электрического характера, не представленные в таблице. Второй из профилей EPP (профиль №1) помечен как «оптимальный» (рекомендованный к использованию по умолчанию) и соответствует режиму DDR2-1066 со временем цикла 1.875 нс. Соответствующая для этого случая схема таймингов не может быть представлена целыми числами и записывается как 5-5.06-5.06-14.93, что, очевидно, должно быть воспринято материнскими платами, поддерживающими EPP, как 5-5-5-15. Задержки адресно-командного интерфейса в этом случае также составляют значение 2T, а питающее напряжение увеличено до 2.2 V.Конфигурации тестовых стендов
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), частота 2.4 ГГц (200 x12)
- Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16, MCP590
- Материнская плата: ASUS M2N32-SLI Deluxe, версия BIOS 0603 от 06/27/2006
- Память: 2x1024 МБ Corsair XMS2-8500C5 в режиме DDR2-800, частота 400 МГц (2400 /6), SLI-Ready Memory: «Disabled»
Стенд №2
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), частота 2.4 ГГц (200 x12)
- Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16, MCP590
- Материнская плата: ASUS M2N32-SLI Deluxe, версия BIOS 0603 от 06/27/2006
- Память: 2x1024 МБ Corsair XMS2-8500C5 в режиме DDR2-800, частота 400 МГц (2400 /6), SLI-Ready Memory: «High Performance»
Стенд №3
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), частота 2.4 ГГц (240 x10)
- Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16, MCP590
- Материнская плата: ASUS M2N32-SLI Deluxe, версия BIOS 0603 от 06/27/2006
- Память: 2x1024 МБ Corsair XMS2-8500C5 в режиме DDR2-1066, частота 480 МГц (2400 /5), SLI-Ready Memory: «Optimal» или «High Frequency», SLI-OC: «Disabled».
Стенд №4
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), частота 2.67 ГГц (267 x10), напряжение 1.55 V
- Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16, MCP590
- Материнская плата: ASUS M2N32-SLI Deluxe, версия BIOS 0603 от 06/27/2006
- Память: 2x1024 МБ Corsair XMS2-8500C5 в режиме DDR2-1066, частота 533 МГц (2670 /5), SLI-Ready Memory: «Optimal» или «High Frequency», SLI-OC: «Max»
Тесты производительности
В тестах принимала участие материнская плата ASUS M2N32-SLI Deluxe, поддерживающая модули памяти с EPP. В настройках BIOS этой материнской платы включение/выключение использования профилей EPP именуется параметром «SLI-Ready Memory», который может принимать значения «Disabled», «Optimal», «High Performance» и «High Frequency». Очевидно, что «Disabled» соответствует использованию стандартной информации из SPD для настройки подсистемы памяти, «Optimal» соответствует оптимальному профилю (в соответствии с самими данными EPP), а оставшиеся варианты «High Performance» и «High Frequency» — профилям, характеризующимися максимальной производительностью (это понятие является достаточно широким, поэтому выбор конкретного профиля, видимо, зависит от конкретных модулей памяти) и максимальной тактовой частотой памяти. Дополнением к опции «SLI-Ready Memory» является настройка «SLI-OC», позволяющая разгонять процессор на требуемое количество процентов (от 0%, т.е. отсутствия разгона, до 14% с шагом 1%, плюс вариант «MAX», видимо, соответствующий 15% максимального разгона) для достижения максимальной производительности подсистемы памяти. Производитель материнской платы предупреждает, что включение этого режима может потребовать дополнительного увеличения питающего напряжения процессора, что вполне естественно. Помимо этих опций, материнская плата ASUS M2N32-SLI Deluxe предоставляет огромное количество настроек различных параметров таймингов, поддерживаемых новым DDR2-контроллером процессоров «AM2» (от стандартных tCL, tRCD, tRP и tRAS до самых малозначительных и неочевидных, вроде tRDRD/tWRWR), а также различных тонких настроек задержек и величин электрического характера, предусмотренных новым стандартом EPP. Подавляющее большинство этих параметров в наших исследованиях принимали значение по умолчанию («Auto»), т.е. мы целиком и полностью полагались на автоматическую оптимизацию рабочих характеристик подсистемы памяти согласно информации, записанной в профилях EPP.
Мы использовали четыре различных варианта тестирования настоящих модулей:
1. SLI-Ready Memory: Disabled, что соответствует использованию режима по умолчанию из SPD, т.е. DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18 и задержками командного интерфейса 2T
2. SLI-Ready Memory в положении «High Performance», которому, как оказалось, также соответствует режим DDR2-800, но уже с задержками 4-4-4-12-2T, отвечающими профилю №0 из EPP.
3. SLI-Ready Memory в положении «Optimal» или «High Frequency», что в случае данных модулей одно и то же, т.к. в содержимом EPP «оптимальным» обозначен профиль №1, соответствующий максимальной тактовой частоте. Что интересно, в этом режиме материнская плата самостоятельно переконфигурировала частоту системной шины и множитель процессора так, чтобы его тактовая частота оставалась на прежнем уровне (2400 МГц = 240 МГц x10), но при этом тактовая частота памяти, соответственно, возросла с 400 до 480 МГц (2400 /5). Схема таймингов в этом случае также выбралась в соответствии с данными профиля №1 — 5-5-5-15-2T.
4. Последний режим тестирования аналогичен предыдущему, но мы позволили материнской плате дополнительно разогнать процессор настолько, насколько это необходимо, выставив опцию «SLI-OC» в положение «MAX» (как мы уже отмечали выше, по-видимому, допускающей не более 15% разгона процессора). Параллельно с этим мы увеличили напряжение на ядре процессора до 1.55 В, дабы быть уверенным в стабильности его функционирования на повышенной частоте. Последняя в этом случае оказалась равной 2670 МГц (267 МГц x10) — нетрудно видеть, что именно такая частота оказывается достаточной для того, чтобы частота шины памяти составила примерно 533 МГц (2670 /5). Таким образом, разгон процессора составил примерно 11%.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти (использовалась промежуточная версия RMMA 3.7, уже поддерживающая контроллер памяти DDR2 процессоров «AM2»). Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
Параметр | Стенд №1 | Стенд №2 | Стенд №3 | Стенд №4 |
---|---|---|---|---|
Тайминги | 4-4-3-1T (2.0 V) | 4-4-3-1T (2.0 V) | 5-4-3-2T (2.2 V) | 5-5-4-2T (2.2 V) |
Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4171 | 4174 | 4170 | 4664 |
Средняя ПСП на запись, МБ/с | 3429 | 3456 | 3335 | 3740 |
Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 8128 | 8154 | 8109 | 9012 |
Макс. ПСП на запись, МБ/с | 6846 | 6854 | 6916 | 7723 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 25.3 | 25.2 | 25.4 | 22.8 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 28.1 | 28.1 | 28.5 | 25.5 |
Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 77.9 | 77.5 | 74.8 | 66.0 |
Максимальная латентность случайного доступа * , нс | 80.5 | 79.6 | 76.8 | 67.9 |
Напряжение питания модулей в первом случае выставлялось вручную в соответствии с рекомендациями производителя, выраженными в профилях EPP (2.0 В для DDR2-800), во всех остальных случаях мы полагались исключительно на материнскую плату, способную настраивать компоненты системы автоматически в соответствии с данными профилей EPP. Минимально достижимая схема таймингов в первых двух случаях, при частоте памяти 400 МГц, составила 4-4-3 при уменьшенной задержке командного интерфейса 1T (значения тайминга tRAS, как всегда, не участвуют в данной схеме, т.к. его можно выставить любым, вплоть до 5, без особых последствий для стабильности подсистемы памяти). Как и следовало ожидать, использование такой схемы привело лишь к некоторому дополнительному снижению задержек (по сравнению со стандартными схемами 4-4-4-12 и, в особенности, 5-5-5-18), но практически не сказалось на величинах ПСП.
В третьем случае, при частоте памяти 480 МГц, минимально возможная стабильная схема таймингов оказалась равной 5-4-3 при задержках командного интерфейса 2T. Увеличение частоты памяти до 533 МГц (стенд №4) в принципе позволило использовать такую же схему таймингов, однако при работе достаточно быстро возникали ошибки. Поэтому минимально возможной схемой таймингов в «родном» режиме DDR2-1066 оказалась схема 5-5-4 при величине задержек командного интерфейса 2T. Тем не менее, такой «разгон по таймингам» практически никак не сказался на величинах ПСП (как и в первых двух случаях), а также реально наблюдаемых задержках при доступе в память.Итоги
Исследованные модули Corsair XMS2-8500C5 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей класса high-end, способных функционировать как в официальном режиме DDR2-800, так и в неофициальном максимально скоростном режиме DDR2-1066 (при умеренно высоком питающем напряжении 2.2 В). Рассматриваемые модули, содержащие в своей микросхеме SPD данные нового открытого стандарта EPP проявили полную совместимость с материнской платой ASUS M2N32-SLI Deluxe, поддерживающей данный стандарт. Как и рассмотренные ранее модули памяти Corsair XMS2-8500, настоящие модули обладают умеренным разгонным потенциалом по таймингам (по сравнению с более ранними «топовыми» предложениями от Corsair) — в официальном режиме DDR2-800 они способны функционировать при схеме таймингов 4-4-3-1T (напряжение питания 2.0 В), тогда как функционирование в максимально скоростном режиме DDR2-1066 требует увеличения этой схемы до значений 5-5-4-2T, все же несколько меньших по сравнению с рекомендуемой производителем схемой 5-5-5-2T.
(кликните по картинке для увеличения)
Kingmax PC8500 1066Mhz
Сегодня в этом обзоре я исследую разгонный потенциал модуля из линейки Kingmax, рассчитанного на работу при частоте 1066 МГц. В сегодняшней статье речь пойдёт об одном модуле DDR2 SDRAM общей ёмкостью 1 Гбайт.
Вступление.
Прошло уже больше чем пол года как у меня исправно трудилась 1024Mb PC6400 Patriot на частоте 1100 МГц, за что её большое оверклокерское спасибо, но мне хотелось чего-то нового и быстрого, поэтому мой выбор пал на недорогую одиночную 2500руб (~95$) планку DDR-II емкостью 1024Mb PC850.
(кликните по картинке для увеличения)
Kingmax PC8500 1066Mhz
Сегодня в этом обзоре я исследую разгонный потенциал модуля из линейки Kingmax, рассчитанного на работу при частоте 1066 МГц. В сегодняшней статье речь пойдёт об одном модуле DDR2 SDRAM общей ёмкостью 1 Гбайт.
Вступление.
Прошло уже больше чем пол года как у меня исправно трудилась 1024Mb PC6400 Patriot на частоте 1100 МГц, за что её большое оверклокерское спасибо, но мне хотелось чего-то нового и быстрого, поэтому мой выбор пал на недорогую одиночную 2500руб (~95$) планку DDR-II емкостью 1024Mb PC8500 Kingmax, приехала она ко мне так как есть, т.е без красивой пластиковой прозрачной упаковки. К сожалению на Kit у меня не было денег.
Память двухсторонняя и состоит из 16 чипов по 64Mb каждый. Производитель не снабдил свою память современными радиаторами с тепловыми трубками для охлаждения, поэтому мне помог комплект радиаторов TITAN который я купил ещё во времена Patriot PC6400.
(кликните по картинке для увеличения)
радиаторы TITAN
Маркировка чипов такая:
KINGMAX
KKA8FEIBF
-HJK – 18A
750906L.
Информация со стикера крайне скудна: Kingmax KLED48F-A8KI5 1GB PC-2 8500.
Ссылка на сайт производителя
KINGMAX Mars DDR2-1066 Long-DIMM memory product features:
- 240-pin DDR2 1066MHz
- CAS Latency: 5-5-5-15
- Memory bandwidth: 8.5GB/sec (dual-channel 17GB/sec)
- Voltage: 1.8V, saving approximately 50% power, consumption: excellent heat dispersion
- Capacity: 512MB/1GB
- Worldwide free lifetime warranty
Ориентируясь на любителей разгона, Kingmax обеспечила своим продуктам частотный запас в 10%. Это значит теоретически память должна стабильно работать на частоте 1066*10%=1172 MHz, это и предстоит выяснить далее.
Очень помог мне материал обзора ASUS P5K Deluxe: второе знакомство, где были описаны тонкости настройки памяти в разных условиях.
Больше про неё сказать нечего, приступим к тестированию.
SPD.
Посмотрим, что прошито в SPD
(кликните по картинке для увеличения)
SPD
(кликните по картинке для увеличения)
SPD Kingmax memory в cpu-z 1.40.5
Согласно информации производителя, штатным режимом для этих модулей является частота 1066 МГц с таймингами 5-5-5-15, хотя работают они с таймингами 5-5-5-18. 2T Command Rate при напряжении питания 1.8V. Производитель устанавливает чипы Nanya.
Исходя из этой цитаты:
цитата:
Установка параметра Command Rate в значение 1T, как показывают тесты, действительно позволяет несколько увеличить производительность контроллера памяти. Пропускная способность возрастает, латентность снижается. Однако величина выигрыша вряд ли может считаться значительной. Ускорение системы в реальных приложениях не достигает и половины процента, в результате чего оказывается выгоднее поднять на один шаг частоту памяти, «ослабив» задержку Command Rate. Если принять во внимание тот факт, что использование 1T Command Rate сильно снижает частотный потенциал памяти, признать эту настройку реально полезной мы не можем. Для достижения максимальной производительности она вряд ли может пригодиться.
Будет тесты только 2T Command Rate.
Итак, сперва я выяснил при каких настройках в биосе субтайминги будут минимальны.
(кликните по картинке для увеличения)
Transaction Booster-Enabled. DRAM Static Read Control - Auto. Command Rate - Auto
Transaction Booster-Enabled. Boost/Relax Level = 0
DRAM Static Read Control - Enabled или Auto-без разницы.
Command Rate – Auto, в нашем случае это 2Т, Performance Level = 3
Частота FSB Strap=266 МГц
(кликните по картинке для увеличения)
Transaction Booster-Auto. DRAM Static Read Control - Auto. Command Rate - Auto
Если выставить Transaction Booster – Auto, то Performance Level = 4
При таймингах 4-4-4-12 Performance Level = 3
Результаты получились такие:
1.8В 820MHz
1.9В 840MHz
2.0В 858MHz
2.1В 864MHz
2.2В 874MHz
2.3В 882MHz
(кликните по картинке для увеличения)
Стабильная частота 882Mhz 4-4-4-12 2T 2.3V
тест при напряжении 2.4В не проводился.
При таймингах 5-5-5-18 Performance Level = 4
1.8В 874MHz эта частота меня поставила просто в тупик.
1.9В 880MHz
2.0В 880MHz
Дальше разгонять стало как-то не интересно.
Переключил на частоту FSB Strap=333 МГц и начал всё заново при таймингах 5-5-5-18 Performance Level стал уже 5
1.8В 1028MHz
1.9В 1054MHz
2.0В 1074MHz
2.1В 1080MHz
2.2В 1106MHz
(кликните по картинке для увеличения)
Стабильная частота 1106Mhz 5-5-5-18 2T 2.2V
тест при напряжении 2.3В не проводился т.к было понятно что он не к чему.
Можно конечно провести тесты при таймингах 4-4-4-12 и FSB Strap=333 МГц, но после всего проделанного желания у меня, что-то делать с этой памятью пропало.
Заключение.
Дабы не травмировать психику данная память для оверклокеров не годится, она полезна только тем, кто не занимается разгоном, это просто высокочастотная память 1066 MHz стабильно работающая на номинале. Оснований для покупки нет, а средний разгон до 1100MHz может в лёгкую осилить и более дешёвая 800 MHz память. Экспериментальным путём выяснилось, что память работает на своей частоте при напряжении 2.0V. Теперь после всего проделанного я пойду менять её на что то более оверклокерское. Температурный режим не проверялся.
В любом случае, в погоне за мегагерцами не забывайте, что всему есть свой предел.
Удачи в разгоне!
С уважением, D310
Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.
Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом "юзере". Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.
Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно - изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.
- Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
- Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
- Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
- Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только "половина" видеокарты)
- HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
- Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
- Блок питания: Zalman ZM600-HP
В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.
Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95, в качестве утилиты настройки таймингов "на лету" в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD). Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI, рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.
Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS'е других плат настройки памяти могут находиться в "Advanced Chipset Features" (Biostar), "Advanced/Memory Configuration" (Intel), "Soft Menu + Advanced Chipset Features" (abit), "Advanced Chipset Features/DRAM Configuration" (EPoX), "OverClocking Features/DRAM Configuration" (Sapphire), "MB Intelligent Tweaker" (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как "Memory Voltage", "DDR2 OverVoltage Control", "DIMM Voltage", "DRAM Voltage", "VDIMM" и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.
Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя "метод научного тыка". Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.
Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.
В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, - Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две - 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три - 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи - SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024x768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.
Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.
В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено - видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет "провал" на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.
И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (~0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный "тюнинг" имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.
Читайте также: