Spectek чипы памяти ddr4 разгон
Сегодняшний материал об оперативной памяти: кратко и без лишней воды пробежимся по основным её характеристикам, расскажем о том, на что может повлиять её неверный выбор, и о том, как этой ошибки избежать. Ну а в конце приведём список моделей, за которые ручаемся головой. Словом, это простой текст для тех, кто хочет быстро разобраться, купить и забыть.
Но и о тех, кому нужен более скрупулёзный и исчерпывающий подход к вопросу оперативки, мы не забыли: большая статья на эту тему уже в работе.
Заключение
Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.
В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
При выборе Оперативная память Воспоминания, большинство пользователей всегда обращают внимание на скорость в МП / с и основные тайминги. Но если вы хотите вывести оперативную память на новый уровень с помощью разгона, нам нужна более точная информация, такая как ее микросхемы, ее версия и, конечно же, ее способность разгоняться при определенной температуре. Поэтому мы попытаемся пролить немного больше света на эту проблему, используя лучшие чипы DDR4 для разгона.
Как отличить фишки? Как узнать, как далеко они могут зайти? Что ж, это сложная задача, которая потребовала сотен часов и изучения сообществом и производителями.
Мы должны сказать, что не существует безошибочного практического руководства, а если оно и есть, то уж точно нет. И этого не может быть, потому что в дополнение к тому, что мы увидим сейчас, оказывается, что есть производители, которые разделяют один и тот же чип и версию на две категории, в зависимости от обнаруженных неисправностей.
Что это значит? Что ж, мы можем найти высококлассные чипы, такие как Samsung B-Die в дешевых модулях памяти, которые после нажав и читая их с Горелка Thaiphoon (руководство здесь) мы можем думать, что мы выиграли в лотерею, но это не так.
Если производитель очень требователен, как это бывает в Intel и AMD, это сделает сборщик чипов и некоторые останутся в более быстрых модулях, а другие в более медленных модулях. Дело в том, что они покупают тысячи микросхем по более низкой цене, а затем классифицируют, теоретически создавая диапазоны с одними и теми же чипами того же диапазона, но это не будет достигать одинаковых скоростей, поскольку некоторые из них будут давать ошибки раньше других.
Поняв это, мы узнаем, по мнению сообщества, лучшие чипы DDR4 для разгона.
Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов
Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной "доработки". В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.
Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда "ужимал" первичные и вторичные тайминги:
- Power Down mode должен быть отключен всегда.
- Gear Down mode влияет на итоговую латентность (в худшую сторону), но для того, чтобы взять более высокие частоты, его необходимо обязательно включить.
- Command Rate всегда выставляется в значение 1T (количество тактов).
- Первый тайминг tCL настраивается точно также, как он задан в XMP или в калькуляторе. Как-то ужимать его очень сложно и приводит к нестабильности, если не задирать напряжение.
- tRP и tRCDWR могут быть на два пункта ниже, чем первый тайминг tCL (следует выбирать четные значения)
- tRAS вычисляется по формуле tRCD + tBL + tWR.
- tRC должен быть больше либо равен tRAS+TRP. В моем случае память заработала даже на значении в 50.
- tFAW можно смело "ужимать" в 1.5, а в некоторых случаях и в 2 раза от того результата, который выдает калькулятор или XMP.
- SOC Voltage 100% безопасно повышать можно до 1.1 вольта, но подходящие значения находятся в трех вариантах: 1.025 - 1.05 и 1,1. Чаще всего среднего значения (для гарантии) бывает достаточно.
- Чипы Micron E-die не самые холодные и их эффективность слабо зависит от напряжения, подаваемого на них. Категорически не рекомендуется повышать напряжение выше 1.4 вольта.
Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.
Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.
Вступление
Многие из вас уже давно наслышаны о пользе разгона оперативной памяти для увеличения производительности ПК в играх и рабочих задачах. Особенно это касается процессоров Ryzen (если рассматривать современные решения), для которых разгон памяти - это основа быстродействия, это некий ритуал, который совершает каждый владелец ПК на "красном" процессоре, чтобы получить еще больше производительности.
реклама
Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?
Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.
Микрон
Они наименее репрезентативны, и многие с трудом могут подняться. Мы просто назвали их, потому что у многих из вас будет память низкого уровня с этими чипами. К сожалению, по BMI или Runmemtest Pro недостаточно обзоров и данных, чтобы подтвердить потенциальный диапазон роста.
Процесс разгона
Если вы являетесь счастливым обладателем качественно исполненного кита памяти, как, например Corsair Vengeance 3200 МГц, то вас ждет простая и короткая последовательность действий в БИОСе. Достаточно просто выставить соответствующий XMP-профиль в настройках. XMP-профиль — заранее заготовленные разработчиками настройки памяти. Просто выберите нужную вам частоту, и XMP-профиль автоматически подстроит все остальные параметры. Выбрать профиль можно в разделе «OC», подраздел DRAM settings. Если память не поддерживает XPM, то придется подбирать все параметры вручную.
Не забудьте выставить напряжение в разделе «Dram Voltage«. Напоминаем, что рекомендуется не превышать отметку в 1,4 В. Можно сразу же выбрать максимальное значение и в случае стабильности системы убавлять.
Следующим шагом будет повышение напряжения контроллера памяти и L-3 кэша. Параметр называется CPU NB/SoC Voltage. В случае если вы не можете в настройках найти данный параметр, то причиной может быть устаревшая версия БИОСа материнской платы. Например, на материнке Asrock Fatality AB350 Gaming K4 данный функционал открывается только в самой свежей версии БИОСа, которая вышла пару месяцев назад. До этого владельцы такой доски не могли регулировать напряжение контроллера памяти. В среднем, рекомендуемые значения при разгоне находятся в диапазоне от 1,025 до 1,15 В. Точное значение подбирается экспериментальным путем, потому что сильно зависит от чипов памяти.
Далее сохраняем изменения в БИОСе, нажав клавишу F10. Если система стартовала успешно, то нужно запустить стресс-тест. С этой задачей справится встроенный бенчмарк в AIDA64. Но лучше воспользоваться специализированным софтом вроде MemTest86. Если после теста всё работает стабильно и без ошибок, то возвращаемся в БИОС, снижаем тайминги и напряжение до тех пор, пока система не откажется запускаться. Таким образом, «методом тыка» мы ищем максимально производительные значения при которых система не вылетает. Далее снова прогоняем тесты, финальным штрихом является тяжелая нагрузка в играх. Если все ОК — потираем ручки и радуемся бонусной производительности.
Узнать цену и купить оперативную память HyperX Fury DDR4 HX430C15FB3K2/16 в своем городе можно ЗДЕСЬ
Видео версия обзора
Технические характеристики
- код производителя HX430C15FB3K2/16
- частота 3000МГц
- CAS Latency (CL) 15
- тип памяти DDR4
- объём памяти 16384 Мб из 2 модулей по 8Гб
- напряжение питания 1,35В
Полный перечень комплектов с частотой и объемом можно посмотреть на сайте производителя.
Комплект бюджетной оперативной памяти HyperX Fury DDR4 HX430C15FB3K2/16 с частотой 3000МГц поставляется в стандартном для этого производителя прозрачном блистере, через который можно увидеть сами модули памяти. На красной наклейке указан код производителя HX430C15FB3K2/16 и тайминги CL15.
Комплект поставки оперативной памяти чем-то особенным не удивляет: внутри находятся сама оперативная память HyperX Fury DDR4 HX430C15FB3K2/16, наклейка и инструкция по установке, но даже без нее справится человек, который первый раз собирает игровой компьютер.
HyperX Fury DDR4 относится к бюджетной линейке производителя, но дизайнеры хорошо поработали над внешним видом новой оперативной памяти. У меня на обзоре набор из 2 модулей суммарно на 16Гб. Плашки имеют стильный строгий черный низкопрофильный радиатор. По сравнению со старыми модулями радиатор охлаждения стал более агрессивный, благодаря прямым линиям и сквозным вырезам.
На обратной стороне модулей наклеен стикер, на котором указан код производителя HX430C15FB3K2/16, рабочее напряжение 1.35В и информация о лишении гарантии при удалении наклейки. Кстати, на свою оперативную память HyperX дает гарантию целых 10 лет.
Все чипы памяти находятся с одной стороны, а текстолит черного цвета. В торце на радиаторе имеется белая надпись HyperX. Благодаря наличию радиатора охлаждения оперативная память HyperX Fury DDR4 не перегревается при разгоне, но про потенциал модулей поговорим чуть позже. Сбоку находится объемная серебристая надпись HyperX.
Размеры модулей составляют 133,35*34,1*7,2мм, что позволяет использовать их с кулерами, которые имеют массивные радиаторы. Не возникнет проблем при установке даже при использовании в системе такого монстра как Noctua NH-D15(на фото мой любимый Noctua NH-U12A)
Перед разгоном оперативной памяти HyperX Fury DDR4 с частотой 3000МГц ознакомимся со стендом, который из тестирования в тестирование остается почти неизменным и можно сравнивать результаты с другими обзорами:
Процессор | Ryzen 7 1700 OC 3800 1.34В |
Материнская плата | Asrock Ab350 Pro4 |
Оперативная память | HyperX Fury DDR4 HX430C15FB3K2/16 3000МГц 2*8Гб |
Накопители: 1)системный | SSD Sandisk Z400S MLC 256Гб |
2) | M2 NVMe SSD Kingston A1000 480Гб |
Видеокарта | Colorful iGame 1070 X-Top 8Гб |
БП | Silverstone ST70F-Ti 700Вт |
Кулер | Noctua NH-U12A 2 вентилятора, 3вентилятора на вдув и 1 на выдув |
Для начала давайте посмотрим, что нам расскажет утилита Thaiphoon Burner, которая умеет считывать SPD раздел модулей оперативной памяти. Оказывается, что в HyperX Fury DDR4 используются чипы Hynix, которые произведены в июне 2019 года(25-ая неделя). Имеется два вшитых XMP профиля с низкими таймингами:
Для сравнения производительности с увеличением частоты я тестировал модули в Aida64 на частотах 2400, 3000, 3466 и максимальной стабильной частоте разгона. Максимально удалось разогнать память с 3000 до 3466, но последняя частота не проходила мой стандартный 25 минутный тест стабильности системы в Aida64 с отмеченными тестами Stress CPU, Stress FPU, Stress cache, Stress system memory. Крайней стабильной частотой на моем Ryzen первого поколения оказалась 3400МГц с таймингами 16-17-17-39, ProcODT=53 и CR1. При частоте выше 3466МГц система не стартовала. Скорее всего стабильности можно достичь и с частотой 3466МГц, но это уже надо настраивать вторичные тайминги.
Если вы собираете игровой компьютер своими руками, то приведу результаты теста производительности Far Cry 5, из которого можно будет узнать как повлияло увеличение частоты на минимальное количество кадров в секунду при разгоне оперативной памяти HyperX Fury DDR4. На частоте 3400МГц по сравнению с 2400МГц минимальное количество кадров увеличилось на 10 или 13.5%, 84fps против 74fps, а по сравнению с 3000МГц на 7,6% или 6fps. Можно получить и 16% прироста или 86fps на частоте 3466МГц относительно 2400МГц, если уделить время настройке вторичных таймингов. Скриншоты из теста производительности игры кликабельные.
По итогу тестирования могу отметить, что новая бюджетная оперативная память HyperX Fury DDR4 имеет отличный разгонный потенциал при низких таймингах. Неопытные пользователи смогут увеличить производительность своего игрового компьютера при помощи выбора XMP профиля или легких настроек первичных таймингов, а люди с опытом способны выжать максимум. Благодаря черному агрессивному радиатору модули выглядят стильно и чипы памяти не перегреваются. HyperX Fury DDR4 с уверенностью можно назвать отличным соотношением цена-качество. А если вы занимаетесь моддингом и вам нужна оперативная память с RGB подсветкой, то советую обратить внимание на HyperX Fury DDR4 RGB с инфракрасной синхронизацией подсветки.
Xtreme Memory Profile, или XMP
Xtreme Memory Profile — профиль настроек, которые сохраняются в SPD-модуле оперативной памяти. Он представляет из себя определённые частоты и тайминги, на которых должен функционировать модуль после успешной активации XMP в BIOS. И это, кстати, стоит учитывать: покупка модулей с поддержкой XMP ещё не значит, что она сразу же будет работать на заявленных частотах. Без активации профиля память запустится на базовой для DDR4 частоте — 2133 МГц.
Словом, XMP — это заводской разгон памяти, не требующий от пользователя ничего, кроме пары кликов мышкой. Однако есть нюанс, которого стоит опасаться. XMP — это не всегда гарант стабильности: нередки случаи, когда после активации профиля заводского разгона компьютер попросту не запускается. В 99,9% случаев эту проблему можно решить, однако это уже требует знаний, поскольку придётся вручную устанавливать все необходимые напряжения, частоты и тайминги. Что делать, если у вас этих знаний нет или вы попросту не хотите этим заниматься? Обращаться к QVL.
QVL, или Qualified Vendors List (квалифицированный список поставщиков) — это список протестированных на конкретной материнской плате модулей оперативной памяти с указанием всех частот, напряжений и таймингов. Если выбранная вами память есть в QVL интересующей вас материнки, смело приобретайте. QVL для нужной платы находится легко: заходите на официальную страничку материнской платы, ищете разделы Support или Downloads и там находите что-то вроде Memory Support List.
Тут же ответим на весьма популярный вопрос: «Что делать, если я хочу купить память с XMP 4400 МГц CL 17, она есть в QVL моей материнской платы, но на официальном сайте Intel (или AMD) указана поддержка лишь 2133 МГц?»
Корни этой проблемы кроются в неверной трактовке спецификаций процессоров. Те 2133 МГц, что вы видите, — всего лишь на 100% гарантированная частота модулей оперативной памяти, с которыми ваш процессор запустится обязательно. Это вовсе не означает, что встроенный в ЦП контроллер памяти не в состоянии работать с более высокими частотами. У Intel все процессоры Core, начиная с 6-го и заканчивая 10-м поколением, способны работать с комплектами оперативки, частоты которых лежат далеко за пределами 4 ГГц. В 11-м поколении (из-за изменений по части контроллера) поддерживаемые частоты существенно снизились, но это всё ещё внушительные 3733-3800 МГц. Примерно тот же предел и у современных процессоров AMD Ryzen, но в крайне редких случаях он может достигать 4000 МГц.
Samsung
В мире разгона вскоре после запроса будет открыто имя B-Die, и эти чипы в настоящее время являются лучшими для достижения высоких скоростей оперативной памяти или для сокращения таймингов.
Но это далеко не все, что есть у Samsung. На самом деле у компании довольно широкий ассортимент микросхем, которые отсортированы по разгонным возможностям следующим образом: B-Die -> E-Die -> D-Die -> S-Die.
Поскольку они используются чаще всего, они также являются наиболее универсальными, поэтому даже если у вас есть B-Die, возможно, они второсортные. На данный момент скорости являются лучшими в мире, можно найти объединенные чипы, которые достигают 5 ГГц с помощью XMP с действительно низким напряжением.
Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов
реклама
Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.
Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку "Calculate SAFE" (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые "тугие" модули).
Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.
После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.
После этого мы перезагружаем компьютер. Если во время перезагрузки компьютер зависает и даже не доходит до BIOS, то отключите питание компьютера (отключите сам блок питания), извлеките батарейку из материнской платы и закоротите контакты на плате в том месте, где была установлена батарейка. Это проще всего сделать отверткой. Альтернативные варианты "лечения" - кнопки clear cmos и memok, если таковые имеются. Но бывает и такое, что просто извлечь батарейку и закоротить контакты бывает недостаточно. Можете также вытащить сами модули памяти и поменять их местами (не лишним будет обезжирить контакты на памяти), чаще всего это "лечит" все глюки. Когда ПК снова запустится, рекомендую чуть увеличить или уменьшить напряжение на самих модулях, чуть поднять напряжение на контроллер памяти, снизить частоту разгона, чуть увеличить тайминги. Комплексно это выполнять не следует. Чаще всего бывает достаточно снизить частоту памяти. Если компьютер доходит до Windows и далее начинаются ошибки и другие неполадки, описывать которые можно крайне долго и нудно, мы просто выполняем все те действия, которые описывались чуть ранее.
Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам "лечения". Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет "прогнать" тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность. Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.
Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и "доработке" разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.
Но, я уверен, что сейчас найдется несколько несчастных, которые "проиграли" в кремниевую лотерею. Память которых "отказывается" адекватно работать даже в "щадящем" режиме. Тут можно посоветовать поставить параметр "DRAM PCB revision" в одно из значений: "A0", "bad bin" или "manual". Значение "manual" и "bad bin" подходят для самых неудачных модулей. Если и это вам не помогло - снижайте частоту. Но в случае с E-die (а данный гайд ориентирован на владельцев памяти с данными чипами) такого просто не может быть (если это не откровенный брак).
О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.
Радиаторы. Нужны или нет?
Нужна ли модулям памяти система пассивного охлаждения? И да, и нет. Всё зависит от нескольких факторов.
Если речь идёт о низкочастотной оперативке (в пределах от DDR4-2133 МГц до DDR4-3000 МГц) с низким напряжением до 1,35 В, то никакой радиатор не потребуется. А вот если вы планируете эту память разгонять или речь идёт об изначально высокочастотных модулях, работающих на напряжениях от 1,35 В, то радиатор и его обдув холодным воздухом строго необходимы. Без этих условий работать память, конечно, будет, но нестабильно. Синие экраны (BSOD), внезапные перезагрузки и вылеты приложений на рабочий стол — вот к чему ведёт её перегрев.
От чего зависит разгон?
Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше. Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти.
Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работала стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.
Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.
Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:
Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.
В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.
Основные характеристики оперативной памяти
Итак, давайте для начала определимся с тем, какая вообще оперативная память есть на рынке и чем планки могут отличаться друг от друга. Если отбросить в сторону бренды и цены, то обращать внимание имеет смысл на следующие нюансы: производителя самих чипов памяти, наличие или отсутствие у неё XMP и пассивного охлаждения в виде радиатора, на ранговость, на требуемое для работы напряжение и на частоту с таймингами. В этот список можно было бы включить заодно и стандарт памяти (DDR3 или DDR4), но поскольку речь идёт об актуальных на 2021 год компьютерах, то вариант всего один: DDR4. DDR3 уже отжила свой век. Ну что же, все основные характеристики перед нами — подробнее разберём каждую из них.
Тестовый стенд
Тестирование разгона модулей оперативной памяти CRUCIAL Ballistix BL2K16G30C15U4B 2x16Гб в игре Assassin's Creed Odyssey проводилось на следующей конфигурации:
- Процессор: AMD Ryzen 7 2700 (сток);
- Системная плата: Asus TUF B450M PRO GAMING;
- Система охлаждения процессора: AMD Wraith Spire ;
- Термопаста: AMD;
- Видеоадаптер: GeForce GTX 1060 Xtreme Gaming 6G;
- Накопители: Samsung SSD 850 120GB (под Windows), Western Digital WD Blue 1 TB (под игры);
- Блок питания: Enermax Revolution D.F. , 650 Ватт;
- Корпус: Thermaltake View 31 TG;
- Монитор: Sharp Aquos lc-26le320e-bk ;
- Операционная система: Windows 10 Pro x64 (1909).
Hynix
Возможно, речь идет о втором наиболее успешном производителе в области разгона оперативной памяти DDR4. Как и Samsung, в настоящее время он имеет два типа микросхем DDR4: AFR и MFR.
Отчасти это ложь, и мы объясняемся, поскольку существует третий тип микросхем, который крайне сложно найти в настоящий момент: CFR. В порядке возможного разгона диапазоны будут такими: CFR -> AFR -> MFR.
Чего нам ожидать от каждого из них? От скорости 3200 МГц до 3400 МГц, следующий скачок примерно до 3600 МГц и 3800 МГц и, наконец, некоторые микросхемы CFR, которые достигают 4000 МГц или более. Это скорости в соответствии с BMI для обычного или умеренно осведомленного пользователя о серьезных проблемах с разгоном, проблема в том, что напряжения, используемые этими чипами, очень высоки: от 1.45 В как минимум до 1.7 В как максимум.
Производитель чипов памяти
При выборе планки можно вообще не обращать внимание на изготовителя той или иной модели оперативной памяти. На этикетке может быть указана, например, HyperX, но эта компания не имеет своих мощностей по производству памяти. Фирма просто закупает чипы, припаивает их к печатной плате, придумывает дизайн и наклеивает сверху свой лейбл.
На что реально нужно смотреть, так это на чипы памяти, которые, как правило, скрыты от любопытных глаз. Скажем, Samsung B-Die (Samsung — производитель, B-Die — компоновка кристалла) — это лучшее, что есть на сегодняшний день. А ешё есть Nania, Spectek и Elpida, которые уже не очень. Проблема вот в чём: никто из производителей вам, конечно, не скажет, что из перечисленного стоит под красивым радиатором. Чтобы это выяснить, придётся копать форумы или читать отзывы на крупных торговых площадках. Также можно воспользоваться программой Thaiphoon Burner, но это так себе решение, поскольку предполагает то, что память уже у вас на руках. Тем не менее, вариант вполне рабочий при покупке б/у модулей.
Ещё есть сайт B-Die Finder: с его помощью можно отыскать практически все существующие модули памяти на базе чипов Samsung B-Die. Опытные пользователи, конечно, и по косвенным признакам могут догадаться, что стоит «под капотом» того или иного модуля. Скажем, память с частотой 3200 МГц и CL таймингом 14 — это абсолютно точно Samsung B-Die. А вот два с виду одинаковых модуля с частотой 3600 Мгц и CL 16 могут быть сделаны как Samsung, так и Hynix (Это уже намного лучше, чем Elpida, Spectek и Nania, но все еще не Samsung B-Die или, например, Micron E-Die).
Тестирование влияния разгона памяти на производительность в играх
Но для начала прошу ознакомиться с тестовым стендом.
Частоты и тайминги
О том, что, такое частоты и тайминги, мы в подробностях расскажем в отдельном материале, о котором упоминали в начале этой статьи. Сейчас же обойдёмся общими положениями.
Итак, за правило можно взять одно: чем выше частота оперативки и чем ниже её тайминги, тем лучше. Например, если вы видите перед собой два комплекта памяти, один на 3200 МГц с таймингами 14-14-14-14-34 и второй на 3600 МГц с такими же таймингами, выбирать всегда следует второй. Однако такие высокоскоростные решения, как правило, не слишком привлекают своими ценами, и в реальной жизни приходится идти на компромиссы. Тогда наши рекомендации таковы: выбирайте комплекты на 3000 МГц с CL таймингом 15 и комплекты на 3200 МГц с CL таймингом 16. Это не самое быстрое решение, что можно найти на рынке, но далеко и не самое медленное — некий оптимум, идеально подходящий для любого современного процессора. Да, с такой памятью вы не выжмете из своего ЦП всех соков в плане производительности (а именно он и выигрывает от роста эффективности работы памяти), но и много не потеряете. Причём последнее касается не только производительности, но и денег.
Но ни в коем случае не покупайте в пару к современным процессорам память с частотой от 2133 до 2666 МГц, если хотите получить от них достойную производительность. Сегодняшние ЦП эффективны и упираются не столько в вычислительную мощность своих ядер, сколько в подсистему памяти. Именно по этой причине следующие поколения процессоров от Intel и AMD работать будут уже с DDR5. Ну а такая низкочастотная память, как в примерах выше, просто замедлит работу вашего ЦП до неприличия — она годится только для установки в ПК, предназначенные для решения лёгких офисных задач.
В каком порядке следуют лучшие чипы DDR4?
Это отличный вопрос, поскольку, как мы видим, Samsung доминирует на рынке просто по количеству моделей. Если принять во внимание среднее качество вашей NAND Flash и возможности разгона, список будет очень похож на этот: B-Die -> CFR -> E-Die -> AFR -> MFR -> D-Die -> S-Die -> Micron
Это ни в коем случае не безошибочное руководство, существует множество вариаций, которые влияют на материнская плата и его контактные линии и напряжение, к количеству слоев печатной платы, линий электропередач или рассеиваемой мощности модулей.
Следовательно, каждый комплект - это мир, и чтобы иметь гораздо более приблизительное представление о возможном разгонном потенциале, мы должны искать информацию на специализированных форумах, где сообщество публикует конкретные данные и, таким образом, может определить, с охлаждением и вентиляции, используемой пользователями, мы сможем достичь этих уровней, или мы просто будем спокойны.
Не забывайте, что независимо от того, насколько быстро достигает RAM, насколько есть лучшие чипы DDR4, тот, который идет впереди, - это BMI , поскольку он будет отвечать за установку текущего лимита.
Увеличиваем производительность ПК за счет оверклокинга оперативной памяти.
Как показывает практика, многие пользователи и не подозревают о том, что апгрейд ПК — не единственный вариант увеличения производительности компьютера. В прошлых публикациях из серии материалов «Выжимаем соки из ПК», мы рассказывали вам о том, как разгонять процессор и видеокарту. Но это не единственные комплектующие, мощность которых можно увеличить программным способом. В эту категорию входит ещё и ОЗУ. В сегодняшней статье мы расскажем вам, как разгонять оперативную память, как оперативка связана с процессором и для каких систем оверклокинг особенно выгоден.
Тестирование
Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.
Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.
Тестовый отрезок - встроенный в игру бенчмарк.
Результаты тестирования вышли следующие. Прирост FPS от разгона памяти составил 20%, если сравнивать со значениями, которые память выдавала в стоке. Но остается один вопрос - как память на CL16 обогнала память на CL14? Легендарные "14-19-14-32" с некоторыми ужатыми вторичными таймингами, проповедуемые некоторыми блогерами в YouTube, оказались на уровне XMP по показателю 1% FPS. Почему так произошло - попробуем выяснить уже в комментариях, где вы также сможете похвастаться своими результатами разгона памяти и обсудить данную статью.
Какой прирост производительности от разгона?
В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой. Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью зачастую ограничивались производителем. Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.
Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.
Подготовка к разгону оперативной памяти
реклама
Итак, в первую очередь, если вы собрались подойти к разгону оперативной памяти с головой - выключите YouTube. Методики "разгон памяти за 10 минут", "разгон памяти за 1 минуту" и прочие популярные видео, которые можно встретить на столь популярной площадке по теме разгона E-die - это откровенная чушь, эти методики под большим вопросом помогут именно вам, но я вам даю 100% гарантию, что любая методика разгона, где применяется поднятие напряжения до 1.45 вольта на чипах Micron E-die, сократит их жизнь на порядок. Вы ведь купили комплект бюджетной (относительно) оперативной памяти не для того, чтобы она у вас сгорела или начала сбоить через полгода? Вот поэтому советую вам забыть о методах из YouTube и начать думать своей головой.
Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.
Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти. Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.
реклама
Далее вам следует выяснить, на основе какой микроархитектуры ваш процессор, если вы еще этого не знаете. Наименование своего процессора вы можете посмотреть через диспетчер устройств в Windows. Далее вы ищите в интернете, какая микроархитектура лежит в основе вашего процессора. Это очень важно, так как от этого напрямую зависят результаты разгона. Если вы обладатель процессора с микроархитектурой Zen, то вы можете в среднем рассчитывать на частоту в 3200 - 3400 MHz. Для Zen+ максимумом является частота 3533 MHz. Обладатели процессоров Zen 2 могут смело разгонять память до 3800, но будьте осторожны с делителем.
Далее мы переходим к материнской плате. Если вы не хотите глубоко вникать в процесс разгона, то вам пригодится лишь узнать, на основе какого чипсета выполнена ваша материнская плата. Также желательно знать ее модель, если вы еще этого не знаете. Также на разгон оперативной памяти напрямую влияет количество слотов под память. Если в вашей плате всего два слота - то вам повезло и модули могут разогнаться лучше, чем на плате с 4 слотами (статистически). Также важна топология материнской платы и расположение слотов, в которые была установлена память. Если ваша плата не обладает T-топологией, проще говоря, если вы не обладатель, например, Asrock X470 Taichi и ASUS ROG Crosshair VI, то модули следует расположить в слоты A2 и B2. Материнские платы с T-топологией уникальны тем, что им все равно, сколько у вас оперативной памяти и как она расположена. Еще один важный фактор - количество PCB-слоев. Но для новичков это уже совсем дебри. Но если вам интересно, то хорошие материнские платы обладают большим количеством PCB слоев. Многие думают, например, что покупать плату на X чипсете для AMD - это переплата и проще взять плату на B чипсете. Но, хоть плата плате рознь, а платы на X чипсете имеют в среднем больше PCB слоев, чем платы на B чипсете (или вообще A). Узнать количество PCB слоев достаточно легко на платах MSI - их число указано на обратной стороне платы с краю. Если ваша плата обладает 6-8 слоями PCB, то вам повезло чуть больше.
На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.
Ранг оперативной памяти
Память в основном бывает одноранговой и двухранговой (крайне редко встречается память с четырьмя рангами). В Сети ходит миф о том, что двухранговая память работает якобы быстрее, чем одноранговая (на одинаковых частотах), однако это не совсем так. Всё дело во второстепенных таймингах. Но мы сейчас не будем углубляться в теорию того, что они из себя представляют. Главное, что нужно понять: если вы не планируете вручную настраивать оперативку, лучше выбирать два ранга (как правило, это модули, у которых чипы памяти распаяны с двух сторон печатной платы, но бывают и исключения). Если же вы можете вручную выставить агрессивные второстепенные тайминги, то никакой разницы между одноранговой и двухранговой памятью не будет (или же разница составит 0,5-1%).
Куда важнее обращать внимание на канальность памяти. Никогда не покупайте в пару к современному процессору один модуль оперативки: так вы вынудите ЦП работать с памятью в одноканальном режиме, и это существенно снизит общую производительность вашего ПК. Всегда берите два модуля.
Но можно ли ставить больше: например, четыре или восемь?
Да, можно. Однако следует понимать, что процессор, рассчитанный на работу с двумя каналами памяти (Dual Channel), не будет работать в четырёхканальном режиме, даже если вы установите четыре модуля. Для активации четырёхканального режима (Quad Channel) необходим ЦП, поддерживающий его. Как правило, такие процессоры принадлежат к высшей (HEDT) ценовой категории либо к серверным решениям (десктопные Intel Core X и серверные Xeon от Intel, а так же Ryzen Threadripper наряду с серверными EPYC у AMD). То, со сколькими каналами памяти может работать непосредственно ваш процессор, уточняйте в официальных спецификациях изготовителя.
Лучшие чипы DDR4 для разгона, как оказалась ваша оперативная память?
5 лучших планок оперативной памяти
Итак, какую оперативную память советуем мы сами? Разумеется, любая память, какую бы вы ни купили, будет нормально работать в вашей системе. Другое дело — разгонный потенциал модулей: качественные чипы охотно реагируют на повышение напряжения и позволяют наращивать частоту, сохраняя низкие задержки (тайминги). В отдельных случаях (если память попалась отборная) вполне реален рост частот с попутным уменьшением таймингов.
Так вот: выбирать заведомо медленную память, которая практически никак не разгоняется, не стоит. Даже если вы не хотите настраивать память сразу после покупки, всё равно лучше выбрать модель с хорошим потенциалом, чтобы к моменту появления у вас такого желания результат не заставил себя ждать. В связи с этим мы не советуем выбирать модули, собранные на базе чипов от Hynix, Nania, Elpida и Spectek. Если первые (Hynix) ещё худо-бедно разгоняются, хоть и с неизбежным и чаще всего значительным повышением таймингов, то чипы от остальных производителей попросту ужасны.
Что же тогда выбрать? Память с чипами производства Samsung (выпускается как и самой Samsung, так и целым рядом сторонних производителей) и Micron (выпускается компанией Crucial и сторонними вендорами). Особенно интересен второй вариант, поскольку чипы Micron умеют 80% от того, что умеют B-Die, но при этом обходятся куда дешевле. Ну и вот краткий список того, что мы готовы рекомендовать:
- Samsung 4 ГБ DDR4, 2666 МГц CL19, M378A5244CB0-CTD (4000 рублей за комплект 2х 4 ГБ). Бюджетная память с неприглядным зелёным текстолитом без радиаторов. Дешёвая, но неплохо разгоняется. Берёт 3200 МГц CL 16 при напряжении 1,4 В.
- 8 ГБ DDR4 3200 CL16 Crucial Ballistix BL2K8G32C16U4B (8000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Недорогой вариант от Crucial на базе их фирменных чипов Micron E-Die. Шикарная память, которая, повторимся, может 80% того, что умеют чипы Samsung B-Die. Разница только в том, насколько сильно можно зажать tRCDRD, tRC и tRFC. Как правило, спокойно покоряет 3600 МГц CL 14 при напряжении 1,45 В.
- 8ГБ DDR4 3000 CL15 Crucial BallistixBL2K8G30C15U4B (7500 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Абсолютно такая же память с таким же разгонным потенциалом, но чуть дешевле и с чуть более медленным XMP.
8ГБ DDR4 Patriot Memory VIPER 4 BLACKOUT 4000MHz CL19 PVB416G400C9K (10000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Память на базе чипов Samsung B-Die, но низкого биннинга (биннинг — процесс, при котором завод-изготовитель сортирует выпущенные чипы памяти по качеству: выше качество — выше потенциал). Гарантированный результат — 4000 МГц CL 17.
Пользовательский гайд по разгону оперативной памяти. Исследование влияния частот и таймингов на прирост производительности. Выявление баланса между ростом температур и приростом производительности.
Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже - как перегреваются и выходят из строя модули оперативной памяти.
Итак, среди читателей есть некоторая категория людей, которые не верят в то, что от высокого напряжения модули памяти могут сильно разогреваться. Итак, данное тестирование я посвящаю всем тем, кто до сих пор думал, что радиаторы на оперативной памяти - это маркетинг и "украшение".
Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.
Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.
Если для вас это кажется уже много и ваше представление о "холодной современной памяти" разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.
Удивлены? Если вы все-таки "кочегарите" память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.
При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:
Читайте также: