Распиновка ddr3 на материнской плате
Описание контактов и другую информацию по распиновке DDR2 можно найти в документации к модулям памяти DDR2 Micron.
Память DDR3 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)
Модуль памяти DDR3 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)
Разъём 240 pin DDR3
Описание контактов и другую информацию по распиновке можно найти в документации к модулям памяти DDR3 Micron.
Распиновка разъёма 240 pin DDR3
Теги этой статьи
Проверяем microSD SD карты памяти, реальный объём, скорость чтения и записи
Распиновка оперативной памяти DDR4 для настольных ПК
Распиновка разъёмов матриц для ноутбуков. 20pin, 30 pin, 40pin, 50pin.
Распиновка разъёмов оперативной памяти ноутбука. (SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3)
Типы оперативной памяти. Память небуферизированная, память с ECC, память регистровая с ECC. В чём отличия.
Мы были единственными международными журналистами, оставшимися в Мариуполе
Мы были единственными международными журналистами, оставшимися в Мариуполе. Мы более двух недель документировали его осаду российскими войсками. Мы делали репортаж из больницы, когда в коридорах появились.
Тысячи пленных российских солдат. Потери армии россии огромны. Ищите родственников, сына, мужа, отца
За 26 дней войны роССии в Украине тысячи пленных российских солдат сдались в плен и смогли выжить. Потери армии россии огромны. Ищите родственников, сына, мужа, отца, возможно они ещё живы. Потери российско-фашистской.
24 февраля 2022 в Украину Путин пришел с войной!
24 февраля 2022 в Украину Путин пришел с войной! У нас нет нацистов, наш президент не наркоман и нацист, как сказал владимир путин, а Украинцы защищают себя и свою землю. Защищают как могут. Тяжко, но.
Компьютерный мир Sector
Вся информация на страницах сайта предназначена только для личного не коммерческого использования, учёбы, повышения квалификации и не включает призывы к каким либо действиям.
Частичное или полное использование материалов сайта разрешается только при условии добавления ссылки на непосредственный адрес материала на нашем сайте.
1 | VREFDQ | 31 | DQ25 | 61 | A2 | 91 | DQ41 | 121 | VSS | 151 | VSS | 181 | A1 | 211 | VSS |
2 | VSS | 32 | VSS | 62 | VDD | 92 | VSS | 122 | DQ4 | 152 | DM3 | 182 | VDD | 212 | DM5 |
3 | DQ0 | 33 | /DQS3 | 63 | CK1 | 93 | /DQS5 | 123 | DQ5 | 153 | NC | 183 | VDD | 213 | NC |
4 | DQ1 | 34 | DQS3 | 64 | /CK1 | 94 | DQS5 | 124 | VSS | 154 | VSS | 184 | CK0 | 214 | VSS |
5 | VSS | 35 | VSS | 65 | VDD | 95 | VSS | 125 | DM0 | 155 | DQ30 | 185 | /CK0 | 215 | DQ46 |
6 | /DQS0 | 36 | DQ26 | 66 | VDD | 96 | DQ42 | 126 | NC | 156 | DQ31 | 186 | VDD | 216 | DQ47 |
7 | DQS0 | 37 | DQ27 | 67 | VREFCA | 97 | DQ43 | 127 | VSS | 157 | VSS | 187 | /EVENT | 217 | VSS |
8 | VSS | 38 | VSS | 68 | NC | 98 | VSS | 128 | DQ6 | 158 | CB4 | 188 | A0 | 218 | DQ52 |
9 | DQ2 | 39 | CB0 | 69 | VDD | 99 | DQ48 | 129 | DQ7 | 159 | CB5 | 189 | VDD | 219 | DQ53 |
10 | DQ3 | 40 | CB1 | 70 | A10,AP | 100 | DQ49 | 130 | VSS | 160 | VSS | 190 | BA1 | 220 | VSS |
11 | VSS | 41 | VSS | 71 | BA0 | 101 | VSS | 131 | DQ12 | 161 | DM8 | 191 | VDD | 221 | DM6 |
12 | DQ8 | 42 | /DQS8 | 72 | VDD | 102 | /DQS6 | 132 | DQ13 | 162 | NC | 192 | /RAS | 222 | NC |
13 | DQ9 | 43 | DQS8 | 73 | /WE | 103 | DQS6 | 133 | VSS | 163 | VSS | 193 | /S0 | 223 | VSS |
14 | VSS | 44 | VSS | 74 | /CAS | 104 | VSS | 134 | DM1 | 164 | CB6 | 194 | VDD | 224 | DQ54 |
15 | /DQS1 | 45 | CB2 | 75 | VDD | 105 | DQ50 | 135 | NC | 165 | CB7 | 195 | ODT0 | 225 | DQ55 |
16 | DQS1 | 46 | CB3 | 76 | /S1 | 106 | DQ51 | 136 | VSS | 166 | VSS | 196 | A13 | 226 | VSS |
17 | VSS | 47 | VSS | 77 | ODT1 | 107 | VSS | 137 | DQ14 | 167 | NC | 197 | VDD | 227 | DQ60 |
18 | DQ10 | 48 | NC | 78 | VDD | 108 | DQ56 | 138 | DQ15 | 168 | /RESET | 198 | NC | 228 | DQ61 |
19 | DQ11 | 49 | NC | 79 | NC | 109 | DQ57 | 139 | VSS | 169 | CKE1 | 199 | VSS | 229 | VSS |
20 | VSS | 50 | CKE0 | 80 | VSS | 110 | VSS | 140 | DQ20 | 170 | VDD | 200 | DQ36 | 230 | DM7 |
21 | DQ16 | 51 | VDD | 81 | DQ32 | 111 | /DQS7 | 141 | DQ21 | 171 | A15 | 201 | DQ37 | 231 | NC |
22 | DQ17 | 52 | BA2 | 82 | DQ33 | 112 | DQS7 | 142 | VSS | 172 | A14 | 202 | VSS | 232 | VSS |
23 | VSS | 53 | NC | 83 | VSS | 113 | VSS | 143 | DM2 | 173 | VDD | 203 | DM4 | 233 | DQ62 |
24 | /DQS2 | 54 | VDD | 84 | /DQS4 | 114 | DQ58 | 144 | NC | 174 | A12,/BC | 204 | NC | 234 | DQ63 |
25 | DQS2 | 55 | A11 | 85 | DQS4 | 115 | DQ59 | 145 | VSS | 175 | A9 | 205 | VSS | 235 | VSS |
26 | VSS | 56 | A7 | 86 | VSS | 116 | VSS | 146 | DQ22 | 176 | VDD | 206 | DQ38 | 236 | VDDSPD |
27 | DQ18 | 57 | VDD | 87 | DQ34 | 117 | SA0 | 147 | DQ23 | 177 | A8 | 207 | DQ39 | 237 | SA1 |
28 | DQ19 | 58 | A5 | 88 | DQ35 | 118 | SCL | 148 | VSS | 178 | A6 | 208 | VSS | 238 | SDA |
29 | VSS | 59 | A4 | 89 | VSS | 119 | SA2 | 149 | DQ28 | 179 | VDD | 209 | DQ44 | 239 | VSS |
30 | DQ24 | 60 | VDD | 90 | DQ40 | 120 | VTT | 150 | DQ29 | 180 | A3 | 210 | DQ45 | 240 | VTT |
---------- Добавлено спустя 1 час 31 минуту 9 секунд: ----------
PIN DESCRIPTION (Symbol -- Function)
A0~A9,A11,A13~15 -- Address Input (*1)
A10,AP -- Address / Autoprecharge Input (*1)
A12,/BC -- Address / Burst Chop Input (*1)
BA0~BA2 -- Bank Select Address Input(*1)
DQ0~DQ63 -- Data Input / Output
CB0~CB7 -- Data check bits Input / Output
CK0,CK1,/CK0,/CK1 -- Clock Input
CKE0 , CKE1 -- Clock Enable Input
/S0 , /S1 , /S2 , /S3 -- Chip Select Input
/RAS -- Row Address Strobe Input
/CAS -- Column Address Strobe Input
/WE -- Write Enable Input
DM0~DM8 -- Data Mask Input
DQS0~DQS8, /DQS0~/DQS8 -- Data Strobe Input / Output
ODT0,ODT1 -- On-die Termination Control Input
Par_In -- Parity bit for the Address and Control bus
/Err_Out -- Parity error found on the Address and Control bus
SCL -- Clock Input for Serial PD
SDA -- Data Input / Output for Serial PD
SA0~SA1 -- Serial Address Input for Serial PD
VDD -- Power Supply for core and I/O
VREFDQ,VREFCA -- Input/Output reference
VDDSPD -- Power Supply for Serial PD
VSS -- Ground
/RESET -- Reset pin
TEST -- Logic analyzer specific test pin
/EVENT -- Temperature event pin
VTT -- Termination voltage
NC -- Reserved for future use
Для измерения напряжения требуется как минимум две вещи - "напряжометр" и само напряжение. :) Правильное название прибора - вольтметр, однако большинство современных аппаратов являются универсальными и измеряют не только напряжение, но и ток, сопротивление, емкость и др., потому общепринятым является простое - "тестер" или "мультиметр".
У тестера есть два щупа - красный и черный (Рис 1.). Черный считается "земляным" ("общим") и подключается к "минусу" (COM), красный - для измерения нужного напряжения и подключается к "плюс" (соответственно этому и их цвет).
Для измерения напряжений на материнской плате, удобно сразу же подключить "общий" (черный, "земляной") щуп к аналогичному по цвету контакту на разъеме блока питания (Рис 2.) - ведь он и есть общая для платы и БП земля. Если измерения производятся без выемки платы из корпуса, то удобнее зацепить крокодила прямо на корпус.
Главный "рабочий" щуп - красный (Рис 3.). Например, для проверки напряжения на батарейке просто им её (батарейку) и "щупаем".
Однако, в отличие от стрелочных приборов, не нужно "бояться" попутать полярность подключения - в таком случае прибор покажет "отрицательное" значение (Рис 3а.). Обратите внимание, что щупы (красный и черный) поменялись местами.
Питание южного моста
Напряжение на процессоре
При измерениях выходного напряжения понижающего импульсного преобразователя (на фото выше это напряжение питания процессора, например) желательно понимать, что некоторые мультиметры могут не совсем адекватно воспринимать высокочастотные импульсные сигналы. Поэтому рекомендуется производить измерения либо на выводах выходных фильтрующих конденсаторов, либо на выводе дросселя, который соединен с выходными фильтрующими конденсаторами (VO на схеме). Однако, во многих случаях может быть неудобно добираться до указанных точек измерения и проводятся оценочные измерения на средней точке полумоста или выводе дросселя, который подключен к средней точке полумоста (VP на схеме).
На фото, которые поясняют измерение напряжения питания процессора, показаны оценочные измерения. Во многих случаях вполне достаточно оценочных измерений, а более точные измерения могут понадобиться в случае сомнений в результатах оценочных измерений - если результат измерения отличается от ожидаемого значения, например.
Если модуль DDR установить задом наперед, со значительным перекосом, или извлекать и ставить на работающем ноутбуке. В 99 процентах случаев плашка будет сожжена, а за ней и материнская плата. Материнскую плату еще можно спасти. Самый простой ремонт в таком случае - забыть про этот разъем DIMM и пользоваться остальными. Если хотим починить то для начала
Замерим напряжение питания памяти
- Для DDR номинальное напряжение питания VDD равно 2.5 В
- Для DDR2 - 1.8 В
- Для DDR3 - 1.5-1.65 В
Замер напряжения должен показать, что на выводах нет напряжения, близкого к значению 3.3 В. Показателей 2.6-2.8 В бояться не стоит. Как правило, у каждой материнской платы напряжение VDD варьируется. Так что, если с разностью потенциалов у разъема все в порядке, то его можно использовать по назначению. Необходимо лишь восстановить деформированные контакты (третье фото)
Если же показатель VDD близок к значению 3.3 В и выше, это означает, что стабилизатор напряжения пробит.
Узел стабилизатора, как правило, состоит из
- ШИМ-контроллера
- Силовых элементов (ёмких транзисторов или мосфетов)
Как раз вторые нам и нужны.
Сперва вызваниваем (измеряем сопротивление) цепи питания в обратном порядке.
Одним щупом мультиметра касаемся любого контакта VDD разъема памяти. Другим поочередно - всех выводов мощных транзисторов, мосфетов и микросхем, расположенных вблизи слотов DIMM. Стопроцентный диагноз о работоспособности силового транзистора можно сделать только при помощи специального прибора - характериографа. При этом его (транзистор) необходимо предварительно выпаять. Прибор, довольно редкий, поэтому обойдемся обыкновенным мультиметром.
Признаком неисправности силового транзистора будет служить малое падение напряжения на участках gate-source/ gate-drain, малое падение напряжения на участке drain-source или же независимость падения напряжения от полярности подключенных щупов мультиметра.
Впрочем 100-процентно верный диагноз можно поставить только при помощи характериографа. Но если выбора нет, то отпаиваем пробитый силовой транзистор и монтируем его аналог.
Самое интересное начинается, когда падение напряжений в норме, разъемы DIMM не повреждены и память точно рабочая, а спикер все пищит и пищит! В таком случае подсистему памяти настиг еще один недуг, повреждение цепей терминации.
Как известно, высокочастотные сигналы отражаются от концов шины. При взаимодействии эти сигналы создают шум, который отрицаельным образом влияет на качество сигнала и может привести к неисправности всей линии. Терминация - это избавление цепи от отражения путем установки на концах линии резисторов. Самая простая аналогия- пример - заполнение комнаты предметами мебели и тканью, дабы поглотить эхо.
Для начала рассмотрим пятую фотографию. Слева от DIMM находится резисторная сборка с восемью ногами. Еще левее упакован ряд керамических транзисторов. Они и и являются цепью терминации памяти! К сожалению, найти поврежденную резисторную сборку - дело не из легких. Вооружившись лупой, необходимо отыскать неисправные резисторные сборки (например, горелая сборка 095) и заменить их на соответствующие аналоги при помощи термофена и пинцета.
Для многих микросхема это черный ящик с нанесенной на нее маркировкой. Заглядываем в микросхему оперативной памяти и смотрим, что внутри. Небольшой реверс-инжиниринг в сборку. Статья для тех, кому интересна микроэлектроника и кто хочет познакомиться с ней.
Подопытная память была снята с видеокарты GT8800 в количестве 10 штук микросхем памяти по 32МБ каждая. Внешний вид образца для изучения. С одной стороны ИМС закрыта пластиком, с другой стороны текстолит с пластиковой бороздкой.
Удаляем верхний слой пластика. Под ним обнаруживается кристалл размером ~ 9.4 х 8 мм. Наполнителем пластика выступают стеклянные шарики приблизительно одного диаметра.
Кристалл перевернут, и топология находится с обратной стороны кристалла. Сам кристалл посажен на светло-коричневый компаунд. Он очень похож на силиконовый герметик, только более упругий. Удаляем пластиковую бороздку с обратной стороны кристалла.
В бороздке скрывается проволочная разварка, которая честно выполнена золотой проволокой. Интересным решением является расположение контактных площадок посередине кристалла. Это сделано скорее всего из-за того, что кристалл перевернут, и поэтому разваривать его на текстолит с площадками по периметру было бы сложнее – требовалось бы больше вырезов на текстолите. Есть память, в которой кристалл припаивается на микрошары, и такая память работает на бОльших частотах. У такой памяти отсутствует пластиковая бороздка снизу, наличие которой указывает на скрытую там проволочную разварку.
По размерам толщины кристалла и текстолита составляют порядка 250мкм соответственно. Сломать такой кристалл очень легко, поэтому съем кристалла проходил долго, сложно, нервно и получился далеко не с первого раза. Хорошо, что память была не в единичном экземпляре.
Снятый кристалл очищаем от компаунда (герметика).
Перед нами верхняя топология кристалла объемом 32 МБ. Топология памяти является повторяющейся. В ней можно видеть много одинаковых повторяющихся прямоугольных областей разного размера. Топология как будто зеркалирована по горизонтали и вертикали.
Если приблизиться в одну из таких прямоугольных область, то в ней можно видеть еще одинаковые квадратные блоки. Приближение 40Х.
Организация памяти из датащита. Память представляет собой массивы массивов. В ней строки и столбцы объединяются в банки памяти, а они в свою очередь образовывают массивы банок. Это все повторяющиеся структуры.
Массивы объединяются шинами, по которым доставляется напряжение питания и данные. Приближение 400Х. Кликабельно.
Проводить дальнейший анализ топологии мне не позволяет оборудование и знания. Но где-то там, в глубине слоев располагаются миллионы микроскопических конденсаторов и транзисторов. Приближение 400Х. Кликабельно.
Ячейка оперативной памяти DRAM. Состоит из транзистора и конденсатора.
Вывод: Кристаллы оперативной памяти довольно большие по площади, и это относится ко всей SDRAM памяти, от DDR1 до DDR6, а это съедает кремниевый бюджет пластины и играет не последнюю роль в формировании её стоимости. Спасибо инженерам за максимальное удешевление сборки – применение текстолита, пластика и т.д. Объемы памяти также впечатляют. Сейчас никого не удивить гигабайтами памяти – мы к этому привыкли.
Читайте также: