Модули памяти hynix не разделены по коду
Здравствуйте! Имеется модуль памяти DDR3 2GB Hynix ( HMT325U6CFR8C-H9) 1333 MHz. В программах Memtes и AIDA определяется как Kingston.
Тесты проходит. Кто нибудь сталкивался с таким? Есть ли этот случай - гарантийный?
P.S Была похожая ситуация с памятью Silicon Power. Отображалась как Hunix.
Последний раз редактировалось focking, 31-01-2021 в 14:16 .
Для отключения данного рекламного блока вам необходимо зарегистрироваться или войти с учетной записью социальной сети.
focking,
на наклейке шифровка от Hynix 100%, но модуль является подделкой. На нормальных оригинальных модулях в верхнем углу имеется надпись "Hynix korea". с 2013 года вся память Hynix и ее чипы маркируются лейблом "SK-Hynix". сама плата модуля датирована в 2013 году. чипы же 2012, так не бывает.
если работает пусть работает, но по тестируйте ее по-дольше. а лучше отдать назад где купили. конечно продавец не смыслящий в этом ни солько, если Вы ему расскажите как оно есть на самом деле, а оно так и есть, не поймет и будет говорить, что все в порядке.
Конфигурация компьютера | |
Процессор: AMD Ryzen 5 1400 @3.5GHz & Cooler Master Hyper TX3 | |
Материнская плата: MSI B350 Pc-Mate | |
Память: Hynix 2x8Gb DDR4 3000Mhz | |
HDD: GoodRam Iridium Pro 240Gb + Hitachi HDS721010CLA332 1Tb | |
Видеокарта: Asrock AMD Radeon RX570 4G (X) | |
Блок питания: be quiet! System Power 9 500W (HEC) | |
CD/DVD: ASUS DRW-24B3ST | |
Монитор: ViewSonic VA2248 22" | |
ОС: Win 10 Home x64 | |
Прочее: Принтер Ricoh Aficio SP 112, ИБП Eaton ENV1000H |
diagnoz_, Hynix 3rd. Но они правильно отображаются. Мож это и есть Кингстон но с соответствующими наклейками? Я не видел у Хуникса низкопрофильных планок, а у Кингстона они есть.
P.S. хотя, причем тут продавец. магазин, что закупил, тем и торгует. хотя можно и осознанно покупать и продавать не весть что.
Но еще хотел добавить, что Kingston как бренд, и под эти брендом, могут идти модули на чипах Infinion, Kingston, Hynix. и т.д. и это нормально. то есть микросхемы могут быть от разных производителей. и еще оригинальный Hynix - это модуль, произведённый самой Hynix. Не оригинальный, то что у Вас, - это микросхемы Hynix на модуле от Kingston например. И в SPD получаете запись от Kingston. так что и такой вариант может у Вас.
но боюсь, что это не тот Hynix, а то о чем я писал выше про бренд. считав инфу с SPD, так у меня практически все Undefined, но чипы от Hynix, а плата не понятно от кого. но наклейка и шифр далеко не Hynix. вот так
Тестирование частотного потенциала четырех планок DDR3: предельный разгон, зависимость частоты от задержек и напряжения.
Вступление, характеристики, упаковка и внешний вид: Hynix Original (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C), Samsung Original (SEC K4B2G0846C-HCH9)
Оглавление
Вступление
Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:
- Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
- Socket FM1 (AMD Llano);
- Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
- Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
- Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).
Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.
реклама
Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель.
Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8, работающий на частоте 2400 МГц.
Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.
Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.
Тестирование частотного потенциала четырех планок DDR3: предельный разгон, зависимость частоты от задержек и напряжения.
Результаты разгона
Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822. Профили EPP/XMP/BEMP отсутствуют, что не удивительно для бюджетной памяти, которую производитель тестирует только в режимах, являющихся штатными для используемых микросхем.
Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
реклама
График с результатами разгона:
Память на микросхемах Hynix оправдала ожидания, продемонстрировав разгон почти до двух с половиной гигагерц, что составляет 187% от своей номинальной частоты. Также она показала хороший, почти линейный рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.75 В, но только на правильно подобранных таймингах. Для микросхем Hynix H5TQ2G83xFR-H9C тайминги лучше всего устанавливать по формуле X-(X+2)-(X+1), то есть tRCD на двойку больше tCL и tRP на единицу больше tCL. Для достижения высоких частот tRAS лучше устанавливать не ниже 28, а на не очень высоких частотах (до 2000-2100 МГц) можно использовать и более низкие значения для этого тайминга. В любом случае заметного влияния на производительность tRAS почти не оказывает. У данной памяти нет никаких проблем с работой Command Rate в значении 1T на всем диапазоне частот, повышение его до 2T не приводит к их увеличению.
На «ровных» таймингах рост частоты от напряжения выше штатного 1.50 В почти отсутствует и предел по частотам с ними гораздо ниже. Установка напряжений выше 1.75 В (были проверены до 1.90 В) уже не приводит к дальнейшему росту частоты, а только увеличивает нагрев. Установка таймингов выше 11-13-12-28 1T также не приводит к увеличению частоты, а при использовании «семерок» или ниже нормального разгона уже не получается.
Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Разгон памяти Samsung на микросхемах SEC K4B2G0846C-HCH9 тоже оказался неплох – до 2220 МГц по частоте, чего вполне достаточно для систем на основе процессоров Sandy Bridge, даже с небольшим повышением BCLK до 104 МГц.
реклама
Рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.50 В наблюдается при любых сочетаниях таймингов, а от 1.50 В до 1.65 В только при правильно подобранных. Выше 1.65 В реакция на напряжение почти отсутствует. Подняв его до 1.80-1.85 В можно получить как максимум еще один-два шага по частоте, то есть прирост составит не более 10-20 МГц. Повышение напряжения выше 1.65 В нерационально для микросхем Samsung C0, за исключением случаев, когда потенциала памяти немного не хватает, например, до достижения стандартной для Sandy Bridge частоты в 2133 МГц с таймингами в районе «десяток».
«Ровные» сочетания таймингов для микросхем Samsung так же, как и для Hynix, неоптимальны, что видно по слабой реакции на увеличение напряжения выше штатного при использовании комбинации 9-9-9. Но у Samsung, в отличие от Hynix, увеличение tRCD больше чем на единицу относительно tCL не приводит к положительному эффекту. Оптимальной формулой можно считать X-(X+1)-(X+1). При использовании таймингов выше, чем 10-11-11, частота памяти Samsung растет очень слабо, что видно на графике по результатам в режиме 11-13-12. У Samsung (как C0, так и D0), аналогично Hynix, нет необходимости в повышении Command Rate с 1T до 2T.
Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-BCK0)
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Если в разгоне памяти Hynix до частот в районе 2500 МГц нет ничего необычного, то получение результатов такого же уровня с микросхемами SEC K4B2G0846D-BCK0 стало приятным сюрпризом. Более того, если у Hynix для этого необходимо повышение напряжения до 1.75 В, то в случае с Samsung D0 его вообще не обязательно поднимать. Особенно стоит отметить результат в 2444 МГц с таймингами 10-11-11 и напряжением 1.50 B.
Память Samsung D0, в отличие от рассмотренной выше Samsung C0, очень слабо реагирует на поднятие напряжения. Увеличение его от 1.50 В до 1.65 В может дать еще 10-20 МГц по частоте, но не более. Однако это не мешает Samsung D0 достигать более высоких частот, нежели Samsung C0, даже с более низким напряжением. Формула оптимальных таймингов осталась прежней – X-(X+1)-(X+1).
Но не стоит забывать, что хотя эта память тоже относится к категории бюджетной, но она уже с номиналом в 1600 МГц и чуть более высокой ценой. Поэтому в процентном соотношении от номинала разгон у Hynix все же больше, так же, как и соотношение цены на мегагерц.
Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0)
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
реклама
Результаты разгона памяти с микросхемами SEC K4B2G0846D-HCK0 показывают, что не вся память Samsung D0 одинаково полезна. Тут можно видеть явно выраженный частотный «потолок» в районе 2300 МГц, который не зависит от таймингов и почти не зависящий от напряжения. Зато это единственная среди протестированных модулей память, которая смогла работать на частоте выше 2 гигагерц с «девятками» и пониженным до 1.35 В напряжением.
Данный режим может быть интересен для обладателей платформ с невысокими возможностями для разгона памяти по частоте (например, таких как Socket AM3 с процессорами Phenom II / Athlon II или Socket 1366 c процессорами на ядре Bloomfield). А для систем на основе Sandy Bridge интересен другой вариант – до 2239 МГц с таймингами 9-10-10 и напряжением 1.50 В. В любом случае даже этот, не самый удачный вариант памяти Samsung D0, оказался лучше, чем Samsung C0.
Заключение
Нет необходимости описывать недостатки и преимущества раздельно для каждого типа протестированной памяти. В случае бюджетных модулей они совпадают не только для микросхем Hynix, но и для всех разновидностей Samsung.
[+] Крайне низкая цена и лучшее соотношение цены к объему.
[+] Отличный разгон. Вы можете рассчитывать на частоты в интервале от 2200 до 2500 МГц, чего хватит для всех современных платформ. Даже если вам не удастся найти в продаже оригинальные модули самих Hynix или Samsung, можете смело брать любую другую память, если на ней установлены точно такие же микросхемы Hynix или Samsung. На данный момент их используют многие производители модулей памяти, не занимающиеся выпуском собственных микросхем, и часть из них маркировку не меняет.
[+] Данная память не требует высокого напряжения для полного раскрытия своего потенциала. Нет необходимости использовать радиаторы или дополнительный обдув. Достаточно слабого потока воздуха от кулера на процессоре.
[-] Высокие тайминги. Для хорошего разгона по частоте (от 2100-2200 МГц и выше) необходимы как минимум «десятки». Это особенность всех без исключения модулей объемом 4 Гбайта. Даже у очень дорогих комплектов памяти, состоящих из модулей по 4 Гбайта и рассчитанных на частоту 2400 МГц, тайминги уже повышены как минимум до уровня 9-11-11. На данный момент единственный вариант получить частоты выше двух гигагерц с таймингами 7 или 8 – это использование памяти с плотностью микросхем в один гигабит (2 Гбайта на модуль), причем далеко не всякой, а только некоторых разновидностей Elpida или PSC.
[-] Отсутствие какой-либо упаковки, кроме антистатического пакетика, повышает шансы получить в магазине модули с повреждениями и вынуждает быть внимательным при покупке этой памяти.
Данную память можно рекомендовать для всех. Особенно в то время пока она стоит очень небольших денег. Даже если прямо сейчас вам не нужен большой объем, есть смысл взять с запасом два модуля по четыре гигабайта, на случай возможного подорожания памяти в будущем.
Единственное «применение», для которого любые планки памяти объемом 4 Гбайта совершенно не подходят – это получение рекордных результатов в 2D-бенчмарках, таких как Super Pi. Но те, кто может рассчитывать на такие результаты в бенчмарках, и сами прекрасно это знают. Но, с другой стороны, в плане достижения рекордно высоких частот (выше 3 ГГц) конкурентов у микросхем Hynix сейчас просто нет.
Вопрос изучения производительности памяти с разными сочетаниями частоты и таймингов остался за рамками данного исследования. Но вкратце могу сказать, что на Sandy Bridge некоторая польза от разгона памяти по частоте все-таки есть. А производительность процессоров AMD на ядре Zambezi не спасёт никакой разгон памяти, даже до 3 ГГц.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Репутация: 3
Маркировка микросхем Hynix: HY AA В CC DD E F G H I J — KK L
(в связи с уменьшением размеров чипов маркировка может быть расположена в две строки)
HY —> Hynix Memory, говорит о том, что микросхема произведена компанией Hynix
AA —> Указывает тип памяти, принимает одно из следующих значений:
5D — DDR SDRAM;
5Q — GDDR2 SDRAM;
5R — GDDR3 SDRAM
В —> Указывает напряжение питания VDD и VDDQ, принимает одно из следующих значений:
V — 3,3 В, 2,5 В;
U — 2,5 В, 2,5 В;
W — 2,5 В, 1,8 В;
S — 1,8 В, 1,8 В
CC —> Указывает емкость чипа и время подзарядки,
nК — обозначает число столбцов в адресной матрице чипа памяти. Адресная матрица не всегда имеет квадратный вид, потому что на подзарядку чипа с меньшим числом строк уходит меньше времени, что увеличивает быстродействие: 32 — 32 Мбит, 4К, 32 мс; 64 — 64 Мбит, 4К, 64 мс; 66 — 64 Мбит, 2К, 16 мс; 28 — 128 Мбит, 4К, 64 мс; 26 — 128 Мбит, 4К, 32 мс; 56 — 256 Мбит, 8К, 64 мс; 57 — 256 Мбит, 4К, 32 мс; 58 — 256 Мбит, 8К, 32 мс; 12 — 512 Мбит, 8К, 64 мс; 1G — 1 Гбит, 8К, 64 мс
DD —> Указывает организацию памяти, принимает одно из следующих значений:
16 — х16; 32 — х32
E —> Указывает число банков памяти, принимает одно из следующих значений:
1 — 2 банка; 2 — 4 банка; 3 — 8 банков
F —> Указывает тип интерфейса памяти, принимает одно из следующих значений:
1 — SSTL_3; 2 — SSTL_2; 3 — — SSTL_18; 4 — Reserved; 5 — POD_18
G —> Поколение памяти, принимает одно из следующих значений:
пробел — первое поколение,
А — второе поколение,
В — третье поколение,
С — четвертое поколение,
D — пятое поколение
H —> Тепловыделение, принимает следующие значения:
пробел — нормальное,
L — пониженное
I —> Тип корпусировки, принимает следующие значения:
Т — TSOP II, Q — LQFP, F — FBGA, FM — MCP FBGA
J —> Материал корпуса, принимает следующие значения:
пробел — нормальный,
L — не содержащий свинца,
Н — не содержащий галогенов,
R — не содержащий свинца и галогенов
KK —> КК — скорость (время доступа), принимает следующие значения:
6 — 6ns, 166 МГц; 55 — 5,5ns, 183 МГц; 5 — 5ns, 200 МГц; 45 — 4,5ns, 222 МГц; 43 — 4,3ns, 233 МГц; 4 — 4ns, 250 МГц; 36 — 3,6ns, 275 МГц; 33 — 3,3ns, 300 МГц; 3 — 3ns, 333 МГц; 28 — 2,8ns, 350 МГц; 26 — 2,6ns, 375 МГц; 25 — 2,5ns, 400 МГц; 22 — 2,2ns, 450 МГц; 2 — 2ns, 500 МГц; 18 — 1,8ns, 550 МГц; 16 — 1,6ns, 600 МГц; 14 — 1,4ns, 700 МГц; 12 — 1,2ns, 800 МГц.
Все частоты приведены в SDR, реальная частота DDR=SDRx2. Стоит отметить, что частота памяти по умолчанию не всегда совпадает с той, которая указана на микросхеме
L —> Температура, принимает следующие значения:
I — индустриальный стандарт (-40°С. 80°С); E — extended стандарт (-25°С. +80°С)
Маркировка микросхем Samsung: K4ABBCCDEF — GHIJ
Маркировка микросхем Infineon: AAA BB С DDD ЕЕ F G H — JJ
AAA —> Префикс, принимает одно из двух значений: HYB — стандартный префикс Infineon; HYE — префикс для микросхем,
поддерживающих расширенный температурный стандарт (-25°С. +85°С)
BB —> Указывает VDD и VDDQ, принимает одно из двух значений: 25 — 2,5 В VDD, 2,5 или 1,8 В VDDQ; 39 — 3,3 В VDD и VDDQ
С —> Указывает семейство памяти, для видеопамяти принимает одно-единственное значение — D, указывающее,
что микросхема принадлежит к семейству DDR SDRAM или графической памяти
DDD —> Указывает емкость чипа, принимает следующие значения: 128 — 128 Мбит, 256 — 256 Мбит, 512 — 512 Мбит
ЕЕ —> Указывает организацию памяти, принимает следующие значения: 80 — х8, 16 — х16, 32 — х32
F —> Указывает интерфейс памяти, принимает следующие значения: 0 — LV-TLL; 3 — Matched Impendence 2,5 VDDQ; 5 — Matched Impendence 1,8 VDDQ
G —> Обозначает ревизию продукта
H —> Тип упаковки, принимает одно из двух значений: Т — TSOP, С — Chip Size Package
JJ —> Скорость (время доступа), принимает следующие значения: 8 — 8ns, 125 МГц; 7.5 — 7,5ns, 133 МГц; 5 — 5ns, 200 МГц; 4.5 — 4,5ns, 222 МГц; 3.6 — 3,6ns, 275 МГц; 3.3 — 3,3ns, 300 МГц; 3.0 — 3ns, 333 МГц; 2.8 — 2,8ns, 350 МГц; 2.5 — 2,5ns, 400 МГц; 2.2 — 2,2ns, 450 МГц
Здравствуйте! Имеется модуль памяти DDR3 2GB Hynix ( HMT325U6CFR8C-H9) 1333 MHz. В программах Memtes и AIDA определяется как Kingston.
Тесты проходит. Кто нибудь сталкивался с таким? Есть ли этот случай - гарантийный?
P.S Была похожая ситуация с памятью Silicon Power. Отображалась как Hunix.
Последний раз редактировалось focking, 31-01-2021 в 14:16 .
Для отключения данного рекламного блока вам необходимо зарегистрироваться или войти с учетной записью социальной сети.
focking,
на наклейке шифровка от Hynix 100%, но модуль является подделкой. На нормальных оригинальных модулях в верхнем углу имеется надпись "Hynix korea". с 2013 года вся память Hynix и ее чипы маркируются лейблом "SK-Hynix". сама плата модуля датирована в 2013 году. чипы же 2012, так не бывает.
если работает пусть работает, но по тестируйте ее по-дольше. а лучше отдать назад где купили. конечно продавец не смыслящий в этом ни солько, если Вы ему расскажите как оно есть на самом деле, а оно так и есть, не поймет и будет говорить, что все в порядке.
Конфигурация компьютера | |
Процессор: AMD Ryzen 5 1400 @3.5GHz & Cooler Master Hyper TX3 | |
Материнская плата: MSI B350 Pc-Mate | |
Память: Hynix 2x8Gb DDR4 3000Mhz | |
HDD: GoodRam Iridium Pro 240Gb + Hitachi HDS721010CLA332 1Tb | |
Видеокарта: Asrock AMD Radeon RX570 4G (X) | |
Блок питания: be quiet! System Power 9 500W (HEC) | |
CD/DVD: ASUS DRW-24B3ST | |
Монитор: ViewSonic VA2248 22" | |
ОС: Win 10 Home x64 | |
Прочее: Принтер Ricoh Aficio SP 112, ИБП Eaton ENV1000H |
diagnoz_, Hynix 3rd. Но они правильно отображаются. Мож это и есть Кингстон но с соответствующими наклейками? Я не видел у Хуникса низкопрофильных планок, а у Кингстона они есть.
P.S. хотя, причем тут продавец. магазин, что закупил, тем и торгует. хотя можно и осознанно покупать и продавать не весть что.
Но еще хотел добавить, что Kingston как бренд, и под эти брендом, могут идти модули на чипах Infinion, Kingston, Hynix. и т.д. и это нормально. то есть микросхемы могут быть от разных производителей. и еще оригинальный Hynix - это модуль, произведённый самой Hynix. Не оригинальный, то что у Вас, - это микросхемы Hynix на модуле от Kingston например. И в SPD получаете запись от Kingston. так что и такой вариант может у Вас.
но боюсь, что это не тот Hynix, а то о чем я писал выше про бренд. считав инфу с SPD, так у меня практически все Undefined, но чипы от Hynix, а плата не понятно от кого. но наклейка и шифр далеко не Hynix. вот так
Читайте также: