Kvr400x64c3a 1g ddr какой
Если отбросить в сторону философский взгляд на оверклокинг, как на один из способов самоутверждения компьютерных энтузиастов, и лишь вторично принимать во внимание прирост производительности системы в целом после разгона одного из компонентов системного блока, то грамотному и "подкованному" оверклокеру доступен еще один плюс. Это экономия на покупке "железа" при уровне производительности, сопоставимом (а то и большим) с гораздо более дорогими комплектующими. Согласитесь, что приятно, когда Ваш разлоченный и разогнанный "Торик" с дополнительно включенными 256Kb кэш-памяти, купленный за 45$, оставляет позади полуторакилобаксового монстра Pentium 4. Предвосхищая недовольство этим высказыванием фанатов Intel, с другой стороны можно привести в пример удачный экземпляр Celeron D 2.53GHz, разогнанный выше 3.9GHz, и опережающий по производительности Athlon 64 2800+, при стоимости более чем в два раза ниже :). Почему же, наконец, везёт только "грамотному и подкованному" оверклокеру? Ответ логичен: при малейшей и самой, казалось бы, незначительной ошибке так называемая экономия может обернуться дополнительными расходами на приобретение и замену сгоревших или даже механически поврежденных комплектующих.
К чему такое длинное и тяжело читаемое вступление? А к тому, что в данном тестировании я попытаюсь сэкономить на памяти DDR400 (PC3200), протестировав на разгон и тайминги 8 самых обычных, недорогих и, как следствие, широко распространенных модулей памяти объемом 512Mb. Задача тривиальна (а точнее их две): определить из тех модулей, что удалось достать, память с максимально возможной частотой работы при максимальных же таймингах, а также найти память, способную работать с минимальными таймингами 2-2-2-5 на как можно более высокой частоте (если так можно выразиться, применительно к памяти данного ценового диапазона).
Объем модулей в 512Mb выбран не случайно. На мой взгляд, на данный момент времени и уж точно в ближайшем будущем (1-1,5 года) такой объем является необходимым минимумом оперативной памяти в системе, причем главное – с учетом дальнейшего увеличения до 1Gb и дополнительного прироста производительности в двухканальном режиме работы (в первую очередь это относится к платформе Intel). Хотя опять же получается "палка о двух концах": работая в одноканальном режиме, один установленный модуль памяти, как правило, покажет заведомо более высокие результаты разгона, но уже никто не гарантирует, что при установке второго аналогичного модуля в двухканальном режиме будет достигнут такой же оверклокерский потенциал. Идеальным решением могло бы стать тестирование всех модулей памяти как в одноканальном, так и в двухканальном режимах, но, увы, по два одинаковых модуля каждого производителя мне не удалось достать :(.
Нельзя не сказать и о том факте, что какие бы ни получились результаты и какие бы оверклокерские способности ни продемонстрировали тестируемые модули, их нельзя принимать как безоговорочную истину, распространяющуюся на любые модули этого типа, так как даже в пределах одной партии чипов результаты разгона могут отличаться (пусть и менее, чем при тестировании процессоров, но разброс все же присутствует). Тем не менее, сопоставляя модули памяти разных производителей, общую картину вполне можно оценить.
реклама
Тестируемые модули и их характеристики
Для тестирования удалось достать следующие модули оперативной памяти DDR400 объемом 512Mb:
DDR (Double Data Rate - удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.
На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR - DDR3.
На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.
DDR - самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
DDR2 - следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.
Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.
DDR3L - DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.
Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM - форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).
FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.
LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.
RIMM - устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.
Дополнительные характеристики
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS - Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) - время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
tRAS (Activate to Precharge Delay) - задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Ранк - область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.
CL или CAS Latency или просто CAS — число тактовых циклов, нужных для выдачи запрашиваемых данных. Чем меньше это значение, тем быстрее память. Например, при CL=3 память на 40% быстрее выдаёт данные, чем при CL=5. Показать полностью
Число контактов модуля оперативной памяти строго определено форм-фактором и спецификацией. Например, для памяти DDR4 число контактов (pin) равно 288 — по 77 и 67 до ключа и после с обеих сторон. Показать полностью
Некоторые производители изначально оснащают высокопроизводительную оперативную память компактными радиаторами для пассивного охлаждения. Показать полностью
Распространённая современная оперативная память DDR4 питается током напряжением 1.2 В. Память прежнего поколения DDR3 — 1.5 В. Искусственное повышение напряжения применяют энтузиасты разгона. Показать полностью
Один из таймингов оперативной памяти. Означает время, предварительного заряда банка памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее память. Показать полностью
Время задержки между сигналами RAS и CAS при обращении к памяти. Эта задержка необходима для корректной работы, но чем она меньше, тем производительнее память при условии умеренного числа ошибок. Может регулироваться вручную в BIOS. Показать полностью
Память со специальными регистрами, повышающими надёжность, но слегка снижающими скорость за счёт дополнительного такта задержки. Дороже обычной памяти и используется в основном в серверах. Показать полностью
Чипы (микросхемы) памяти на модуле (планке) могут располагаться как с одной стороны, так и с обеих. Модули с двойной упаковкой физически толще и в некоторые системы могут не помещаться. Показать полностью
Модули низкопрофильной памяти меньше по высоте, чем стандартные. Оптимально подходит для компактных корпусов с ограниченным внутренним пространством. Показать полностью
Оперативная память может продаваться комплектами модулей (планок) — по две, четыре, шесть и т. д. Это имеет смысл, если речь о памяти с поддержкой двухканального режима работы. Показать полностью
Форм-фактор оперативной памяти подразумевает её физические характеристики — размеры, форму, число контактов. В современных настольных ПК и серверах используется форм-фактор DIMM. В ноутбуках — компактные планки SO-DIMM. Показать полностью
Производительность
Пропускная способность модуля памяти напрямую зависит от тактовой частоты. Для памяти DDR4-1600 показатель составляет 12800 Мб/с, для DDR4-3200 — 25600 Мб/с. Показать полностью
Для современной оперативной памяти DDR4 стандартная тактовая частота составляет 1600, 2133 или 3200МГц. Чем она выше, тем лучше при условии совместимости с процессором и другими комплектующими. Более высокие значения означают санкционированный разгон. Показать полностью
Ёмкость одного модуля памяти (планки) в 2020 году исчисляется гигабайтами в объёме, как правило, кратным 2 — 2ГБ, 4ГБ, 8ГБ и т. д. Показать полностью
ECC — это алгоритм корректировки ошибок оперативной памяти. Поддерживается почти всеми серверными материнскими платами и некоторыми для настольных ПК. Дороже памяти non-ECC в среднем на 30%. Показать полностью
Большее число чипов модуля оперативной памяти подразумевает больший нагрев и большее энергопотребление. В масштабах домашнего ПК различия незначительные. Показать полностью
CL или CAS Latency или просто CAS — число тактовых циклов, нужных для выдачи запрашиваемых данных. Чем меньше это значение, тем быстрее память. Например, при CL=3 память на 40% быстрее выдаёт данные, чем при CL=5. Показать полностью
Число контактов модуля оперативной памяти строго определено форм-фактором и спецификацией. Например, для памяти DDR4 число контактов (pin) равно 288 — по 77 и 67 до ключа и после с обеих сторон. Показать полностью
Некоторые производители изначально оснащают высокопроизводительную оперативную память компактными радиаторами для пассивного охлаждения. Показать полностью
Распространённая современная оперативная память DDR4 питается током напряжением 1.2 В. Память прежнего поколения DDR3 — 1.5 В. Искусственное повышение напряжения применяют энтузиасты разгона. Показать полностью
Память со специальными регистрами, повышающими надёжность, но слегка снижающими скорость за счёт дополнительного такта задержки. Дороже обычной памяти и используется в основном в серверах. Показать полностью
Чипы (микросхемы) памяти на модуле (планке) могут располагаться как с одной стороны, так и с обеих. Модули с двойной упаковкой физически толще и в некоторые системы могут не помещаться. Показать полностью
Модули низкопрофильной памяти меньше по высоте, чем стандартные. Оптимально подходит для компактных корпусов с ограниченным внутренним пространством. Показать полностью
Оперативная память может продаваться комплектами модулей (планок) — по две, четыре, шесть и т. д. Это имеет смысл, если речь о памяти с поддержкой двухканального режима работы. Показать полностью
Форм-фактор оперативной памяти подразумевает её физические характеристики — размеры, форму, число контактов. В современных настольных ПК и серверах используется форм-фактор DIMM. В ноутбуках — компактные планки SO-DIMM. Показать полностью
Производительность
Пропускная способность модуля памяти напрямую зависит от тактовой частоты. Для памяти DDR4-1600 показатель составляет 12800 Мб/с, для DDR4-3200 — 25600 Мб/с. Показать полностью
Для современной оперативной памяти DDR4 стандартная тактовая частота составляет 1600, 2133 или 3200МГц. Чем она выше, тем лучше при условии совместимости с процессором и другими комплектующими. Более высокие значения означают санкционированный разгон. Показать полностью
Ёмкость одного модуля памяти (планки) в 2020 году исчисляется гигабайтами в объёме, как правило, кратным 2 — 2ГБ, 4ГБ, 8ГБ и т. д. Показать полностью
ECC — это алгоритм корректировки ошибок оперативной памяти. Поддерживается почти всеми серверными материнскими платами и некоторыми для настольных ПК. Дороже памяти non-ECC в среднем на 30%. Показать полностью
Большее число чипов модуля оперативной памяти подразумевает больший нагрев и большее энергопотребление. В масштабах домашнего ПК различия незначительные. Показать полностью
CL или CAS Latency или просто CAS — число тактовых циклов, нужных для выдачи запрашиваемых данных. Чем меньше это значение, тем быстрее память. Например, при CL=3 память на 40% быстрее выдаёт данные, чем при CL=5. Показать полностью
Некоторые производители изначально оснащают высокопроизводительную оперативную память компактными радиаторами для пассивного охлаждения. Показать полностью
Распространённая современная оперативная память DDR4 питается током напряжением 1.2 В. Память прежнего поколения DDR3 — 1.5 В. Искусственное повышение напряжения применяют энтузиасты разгона. Показать полностью
Один из таймингов оперативной памяти. Означает время, предварительного заряда банка памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее память. Показать полностью
Время задержки между сигналами RAS и CAS при обращении к памяти. Эта задержка необходима для корректной работы, но чем она меньше, тем производительнее память при условии умеренного числа ошибок. Может регулироваться вручную в BIOS. Показать полностью
Память со специальными регистрами, повышающими надёжность, но слегка снижающими скорость за счёт дополнительного такта задержки. Дороже обычной памяти и используется в основном в серверах. Показать полностью
Модули низкопрофильной памяти меньше по высоте, чем стандартные. Оптимально подходит для компактных корпусов с ограниченным внутренним пространством. Показать полностью
Оперативная память может продаваться комплектами модулей (планок) — по две, четыре, шесть и т. д. Это имеет смысл, если речь о памяти с поддержкой двухканального режима работы. Показать полностью
Форм-фактор оперативной памяти подразумевает её физические характеристики — размеры, форму, число контактов. В современных настольных ПК и серверах используется форм-фактор DIMM. В ноутбуках — компактные планки SO-DIMM. Показать полностью
Производительность
Пропускная способность модуля памяти напрямую зависит от тактовой частоты. Для памяти DDR4-1600 показатель составляет 12800 Мб/с, для DDR4-3200 — 25600 Мб/с. Показать полностью
Для современной оперативной памяти DDR4 стандартная тактовая частота составляет 1600, 2133 или 3200МГц. Чем она выше, тем лучше при условии совместимости с процессором и другими комплектующими. Более высокие значения означают санкционированный разгон. Показать полностью
Ёмкость одного модуля памяти (планки) в 2020 году исчисляется гигабайтами в объёме, как правило, кратным 2 — 2ГБ, 4ГБ, 8ГБ и т. д. Показать полностью
ECC — это алгоритм корректировки ошибок оперативной памяти. Поддерживается почти всеми серверными материнскими платами и некоторыми для настольных ПК. Дороже памяти non-ECC в среднем на 30%. Показать полностью
Читайте также: